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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.4, 2015년, pp.213 - 217
김기현 (메이플세미컨덕터 신사업본부) , 김정한 (메이플세미컨덕터 신사업본부) , 박태수 (메이플세미컨덕터 신사업본부) , 정은식 (메이플세미컨덕터 신사업본부) , 양창헌 (메이플세미컨덕터 신사업본부)
Device model parameters are very important for accurate estimation of electrical performances in devices, integrated circuits and their systems. There are a large number of methods for extraction of model parameters in power MOSFETs. For high efficiency, design is important considerations of a power...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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power MOSFET의 온-저항을 개선하기 위하여 N형의 도펀트를 JFET 영역에 추가할 때 미치는 영향은? | 에피텍셜 층(epitaxial layer) 위에 제작된 power MOSFET의 온-저항을 개선하기 위하여 P-base와 gate에 사이인 JFA (junction field area)에 N형의 도펀트를 주입하여 JFET 영역을 추가하는 방법이 있다. JFET영역을 추가하면 주변보다 높은 농도로 채널 영역에서 많은 캐리어들이 존재하게 되어 같은 바이어스 조건에서 큰 전류를 흘릴 수 있다 [13]. | |
power MOSFET란? | 이러한 추세에 따라 전력공급 장치, 인/컨버터, 모터 제어 및 각종 전원 회로 등에 널리 사용 되는 전력 반도체의 특성 향상 방법이 주목되고 있다 [5-7]. 전력 반도체 중 power MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)은 낮은 소비 전력, 높은 항복 전압, 높은 입력 임피던스 및 높은 스위칭 속도를 가진 소자로써 폭 넓게 사용되며 전력 반도체 산업에서 중요한 소자이다 [8,9]. Power MOSFET은 매년 고속 스위칭 특성 향상, 저 온-저항(Rds(on))화, 고전압/전류화 등의 연구가 진행 되고 있지만 더욱 높은 성능 향상이 요구되고 있다 [10,11]. | |
스위칭 소자로써 power MOSFET 동작 시 전력효율을 결정하는 것은? | Power MOSFET은 매년 고속 스위칭 특성 향상, 저 온-저항(Rds(on))화, 고전압/전류화 등의 연구가 진행 되고 있지만 더욱 높은 성능 향상이 요구되고 있다 [10,11]. 일반적으로 power MOSFET의 주요 성능 지표는 전력 효율, 신뢰성, 제조비용, 스위칭 속도, 항복전압 및 온-저항 등이 있으며, 스위칭 소자로써 power MOSFET이 동작 시 drain과 source간의 온-저항으로 인해 발생하는 손실로 전력 효율을 결정한다 [12]. 에피텍셜 층(epitaxial layer) 위에 제작된 power MOSFET의 온-저항을 개선하기 위하여 P-base와 gate에 사이인 JFA (junction field area)에 N형의 도펀트를 주입하여 JFET 영역을 추가하는 방법이 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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