최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.22 no.3, 2023년, pp.155 - 160
강예환 (광운대학교 전자재료공학과) , 이현우 (광운대학교 전자재료공학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
The potential performance benefits of Silicon Carbide(SiC) MOSFETs in high power, high frequency power switching applications have been well established over the past 20 years. In the past few years, SiC MOSFET offerings have been announced by suppliers as die, discrete, module and system level prod...
Kimoto T., Jpn, J, Appl. Phys., 2015, 54, 040103-1-040103-27.
Jinseon Lee, Tai Young Kang and Kyung Hwan Kim.,?Electrical Characteristics of the SiC SBD Prepared by?using the Facing Targets Sputtering Method. Journal of?the semiconductor & display technology, 14(1), 27-30,?2015.
Dongjin Kim, Junghwan Bang and Min-Su Kim.,?Advances in Power Semiconductor Devices for?Automotive Power Inverters: SiC and GaN., The?Microelectronics And Packaging Society, 30(2), 43-51,?2023.
R. Perez et al., "A highly effective edge termination?design for SiC planar high power devices," Mater. Sci.?Forum, vols. 457-460, pp. 1253-1256, Jun. 2004.
S. H. Ryu, S. Krishnaswami, B. Hull, J. Richmond, A.?Agarwal, and A. Hefner, "10 kV, 5A 4H-SiC power?DMOSFET," in Proc. Int. Symp. Power Semicond.?Devices ICs, 2006, pp. 265-268.
Koutarou Kawahara, Jun Suda, Gerhard Pensl, et al., J.?Appl. Phys. 108, 033706 (2010).
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.