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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.5, 2015년, pp.291 - 294
엄기윤 (충남대학교 차세대기판학과) , 정광석 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 윤호진 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 김유미 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 양승동 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 김진섭 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 이가원 (충남대학교 전자전파정보통신공학과)
Recently, ZnO based oxide TFTs used in the flexible and transparent display devices are widely studied. To apply to OLED display switching devices, electrical performance and stability are important issues. In this study, to improve these electrical properties, we fabricated TFTs having Al doped Zin...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ZnO의 문턱 전압 변화는 어떻게 발생하는가? | ZnO 내부에는 반송자 농도에 직접적인 영향을 미치는 Zn, O의 vacancy(VO, VZn) 또는 interstitial(Oi, Zni) 등의 결함이 존재하는데 이러한 결함은 동시에 반송자의 trapping site로 작용할 수 있다 [7]. 앞서 언급한 문턱 전압 변화는 주로 ZnO 박막 채널층 내부의 결함 또는 게이트 절연체와 채널층 사이의 계면에 존재하는 결함에 전자가 trapping되어 발생하는 것으로 알려져 있다. 이러한 ZnO의 특성에 의해 In, Ga 등의 원소를 도핑하여 안정성 및 전기적 성질을 변화시키는 연구가 활발히 진행 중이다 [8]. | |
문턱전압의 변화가 나타날 때 발생하는 문제는? | 특히 게이트 전압이나 외부 환경적인 요인에 의한 문턱전압의 변화에 대해서는 많이 보고되고 있다[5,6]. 이는 실제 회로 동작에서 출력 전류값이 게이트 전압에 따라 지속적으로 변하게 되어 디스플레이에 잔상이 남는 문제를 야기한다. ZnO 내부에는 반송자 농도에 직접적인 영향을 미치는 Zn, O의 vacancy(VO, VZn) 또는 interstitial(Oi, Zni) 등의 결함이 존재하는데 이러한 결함은 동시에 반송자의 trapping site로 작용할 수 있다 [7]. | |
산화물 반도체를 이용한 박막트랜지스터의 특성은? | 기존의 다결정/비정질 Si을 이용한 박막트랜지스터에 비해 산화물 반도체를 이용한 박막트랜지스터는 우수한 이동도(mobility)를 가지며 공정 시 균일도가 높아 대면적공정으로 제조 원가를 절감할 수 있다. 또한 저온공정이 가능하고 넓은 밴드갭으로 투명한 특성을 가지고 있어 투명/유연 소자에 적용할 수 있다 [3,4]. OLED 구동용 트랜지스터로서 ZnO 기반의 소자는 103에서 107 정도의 on/off ratio와 0. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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