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NTIS 바로가기세라미스트 = Ceramist, v.18 no.2, 2015년, pp.70 - 77
장우제 (서울대학교 재료공학부 생체 분자 나노 재료 연구실) , 심욱 (서울대학교 재료공학부 생체 분자 나노 재료 연구실) , 남기태 (서울대학교 재료공학부 생체 분자 나노 재료 연구실)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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GaP의 에너지 밴드갭은? | GaP의 band gap은 2.26eV로 수소 발생에 사용 가능한 반도체 물질이다.10) n-type GaP의 경우 수용액 상태에서 불안정 하지만 p-type GaP의 경우 수소 발생 반응 광전극으로 사용이 된다. | |
기체 개질의 단점은? | 그러나 현재 전체 수소 에너지의 약 96%는 기체 개질(gas reforming)을 통해 얻어지고 있다.6) 그런데 기체 개질은 다음과 같은 단점을 지니고 있는데 수소 에너지를 생산하는 과정에서 친환경적이지 못한 물질인 이산화탄소를 부산물로 만들어 내며 고온 고압과 같은 어려운 조건에서 반응이 진행되어 위험하다. 그러나 물 전기 분해는 수소를 생산하는 과정에서 오직 산소만을 부산물로 만들어내고 상온에서도 반응이 가능하기 때문에 최근 들어 주목을 받고 있는 추세이다. | |
InP가 광전극으로서 갖는 한계점은? | 35eV로 GaP보다 더 작은 band gap을 가져 효율적으로 넓은 영역의 가시 광선을 흡수할 수 있다. 그러나 In 원소가 상대적으로 지구상에 적게 분포한다는 단점으로 인해 전통적인 wafer 공정을 할 수 없다. Turner group에서는 위의 GaP와 InP 물질을 합친 GaInP2를 개발하였고 이는 band gap이 1. |
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