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Journal of radiation protection and research, v.40 no.2, 2015년, pp.110 - 117
김동성 (명지대학교 물리학과) , 홍현승 (명지대학교 물리학과) , 박혜민 (명지대학교 물리학과) , 김정호 (명지대학교 물리학과) , 주관식 (명지대학교 물리학과)
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Recently, Due to the increased industry using radiation inspection equipment in the semiconductor, this demand of technology research is increasing. Although semiconductor inspection equipment is using low energy X-ray from 40 keV to 120 keV, Studies of radiation damage about the low energy X-ray ar...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| TID는 어떻게 발생하는가? | TID는 주로 반도체 내의 silicon과 silicon dioxide의 사이에서 전자 정공이 형성되어 charge trapping에 의해 발생하게 된다. MOSFET의 경우 TID가 발생하면 문턱전압이 변화하며, 누설 전류가 증가한다. | |
| 반도체 소자의 방사선 손상의 종류는 무엇이 있는가? | 최근 원자력 관련 산업의 발달함에 따라 방사선을 이용한 반도체 검사장비에 관한 연구 수요가 증가하고 있으며, 반도체가 받는 방사선 손상 관련 연구가 많이 이루어져왔다. 반도체 소자의 방사선 손상의 종류는 total ionizing dose (TID), single event effect (SEE), displace damage (DD) 등 크게 세 가지로 나누어 볼 수 있다. | |
| single event effect란 무엇이며 특징은 어떠한가? | SEE는 이온화에 의한 손상으로, 주로 전기적 신호를 바뀌게 하며[1], DD는 원자핵을 격자에서 벗어나게 하여 물리적인 손상을 입히게 된다[2]. 이 둘의 손상은 주로 1MeV이상의 방사선이 조사되는 경우에 발생하게 되며, 이에 대한 이론은 이미 많은 연구를 통해 알려져 왔다. |
McDonald PT, Henson BG, Stapor WJ, Mark Harris. Destructive heavy ion SEE Investigation of 3 IGBT devices. Radiation Effects Data Workshop. 2000 July 11-15.
Srour JR, Cheryl J. Marshall, Paul W. Marshall. Review of displacement damage effects in silicon devices. IEEE Trans Nucl Sci. 2003;50(3):653-670.
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