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電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers, v.42 no.7 = no.374, 2015년, pp.60 - 66
오정우 (연세대학교 글로벌융합공학부)
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 반도체 산업에서 스케일링의 역할은 무엇이었나? | 지난 수십년간 Si 기반의 논리 및 메모리 반도체는 CMOS 기술로 구현 되고 있는데, 기술의 발전은 스케일링 이란 방법으로 지속적으로 유지 되고 있다. 스케일링은 정해진 반도체 기판 면적에 더 많은 소자를 집적하여 CMOS 회로의 성능을 높이는 것으로, 논리 및 메모리 반도체 기술을 지속적으로 발전시킬 수 있는 원동력이었다. <그림 1>은 세계적 반도체 제조회사인 Intel사의 창시자중에 한명인 Moore가 예측한 반도체 집적도를 보여 주는 것으로, 2년 마다 소자의 집적도는 2배씩 증가한다는 예측이 지금껏 꽤 정확히 지켜지고 있다. | |
| III-V 반도체를 구성하는 물질에는 무엇이 있는가? | III-V 반도체라 함은 주기율표의 3족과 5족의 원소가 합하여 화합물반도체를 이루는 형태이다. 따라서 <표 1>에서 보면 GaAs, InAs, InP, InSb가 이에 해당하며 Ge 반도체는 Si과 같이 4족에 위치한 것으로 단원자반도체 물질이다. Ge/III-V 반도체는 Si 대비 전하의 이동도 (mobility)가 우수 하다. | |
| Ge/III-V 반도체 소자 제작에 요구되는 사항은 무엇인가? | Ge/III-V 반도체 소자는 기존의 CMOS 공정과의 호환성을 전제로 하며, 고품위 헤테로에피탁시, 고유전물질, 저저항 전극 등의 핵심 기술을 필요로 한다. |
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