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For rear metallization with Al paste, Al back contacts require good passivation, high reflectance, and a processing temperature window compatible with the front metal. In this paper, the effect of the firing ambient during the metallization process on the formation of Al rear metal was investigated....

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 7) 또한 여러 그룹에 의해서 알루미늄 후면 전계를 에미터로 사용하는 이른바 Al rear emitter cell 에 대한 연구도 이루어져 왔다.8-10) 본 연구에서는 스크린 프린트 법에 의해 형성된 알루미늄 후면 전극 및 후면전극의 소성시 분위기에 따른 형성과 그 특성에 대해 알아보았다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
후면 전계의 특성을 측정하는 대표적인 방법은? 충분한 온도가 가해지면 이러한 알루미늄 spike 가 평행하게 증가하며 온도가 떨어지는 과정에서 알루미늄이 도핑된 실리콘 상이 남게 되는데 이 영역이 후면 전계가 된다.5) 이러한 후면 전계의 특성 측정방법은 여러가지가 있는데 후면재결합 속도의 측정이나, quasi-steady-state photoconductance(QSSPC)를 통한 포화전류의 측정방법이 대표적인다.6) 알루미늄 페이스트를 통한 후면 전극 및 후면 전계의 형성시 알루미늄 후면 전계는 패시베이션 역할을 잘 수행해야 하며 높은 후면 반사정도와 공정상의 넓은 processing 온도 범위를 가져야 한다.
태양전지의 후면 전계 형성의 메커니즘은? 따라서 후면 전계는 알루미늄과 실리콘의 상호 반응에 의해 형성되며, 형성 메커니즘은 다음과 같다. 낮은 온도에서 실리콘이 알루미늄쪽으로 확산되며 온도가 올라감에 따라 혼합된 알루미늄 실리콘 melting 상이 실리콘 기판에 spike 형태로 확산되게 된다. 충분한 온도가 가해지면 이러한 알루미늄 spike 가 평행하게 증가하며 온도가 떨어지는 과정에서 알루미늄이 도핑된 실리콘 상이 남게 되는데 이 영역이 후면 전계가 된다.5) 이러한 후면 전계의 특성 측정방법은 여러가지가 있는데 후면재결합 속도의 측정이나, quasi-steady-state photoconductance(QSSPC)를 통한 포화전류의 측정방법이 대표적인다.
스크린 프린트법으로 상용 태양전지의 후면 전계 및 전극을 형성할 때 사용하는 페이스트는 무엇인가? 스크린 프린트법은 실리콘 태양전지 후면전극 형성방법으로 쉽고 빠르다는 장점을 가지고 있다. 대부분의 상용 태양전지의 경우 알루미늄 페이스트를 스크린 프린트하고 co-firing의 공정을 통해 후면 전계 및 전극을 형성한다.1-4) 이러한 스크린 프린트 법은 리소그래피법이나 PVD법, Laser 방법등에 비해 좀더 빠르고 값싼 방법이라 할 수 있다.
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참고문헌 (10)

  1. K. Kim, S. K. Dhungel, U. Gangopadhyay, J. Yoo, W. S. Choi and J. Yi, Thin Solid Films, 511-512, 228 (2006). 

  2. S. Noel, H. Lautenschlager, C. Muller, Highest efficiency rapid thermal processed multicrystalline silicon solar cells. 

  3. J. W. Jeong, A. Rohatgi, V. Yelundur, A. Ebong, M. D. Rosenblum and J. P. Kalejs, IEEE transactions on electron devices, 48(12), 2836 (2001). 

  4. S. Narasimha, A. Rohatgi and A. W. Weeber, IEEE transactions on electron devices, 46(7), 1363 (1999). 

  5. S. Park, J. Song, S. J. Tark, Y. D. Kim, C. Choi, S. Kwon, S. Yoon, C. S. Son and D. Kim, Prog. photovoltaics, 22(8), 863 (2014). 

  6. S. Park, Y. D. Kim, S. Bae, S. Kim, J. Song, H. Kim, H. M. Park, S. Kim, S. J. Tark and D. Kim, Met. Mater. Int., 18(4), 731 (2012). 

  7. S. Narasimha, A. Rohatgi and A. W. Weeber, IEEE trans. Electron Devices, 46, 1363 (1999). 

  8. C. Schmiga, H. Nagel and J. Schmidt, Prog. photovoltaics 14, 533 (2006). 

  9. R. Bock, J. Schmidt, S. Mau, B. Hoex, E. Kessels and R. Brendel, Proc. 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, p. 30, Philadelphia, USA (2009). 

  10. M. Rauer, C. Schmiga, M. Hermle and S. W. Glunz, Proc. 24th European Photovoltaic Solar Conference and Exhibition, p. 21, Hamburg, Germany (2009). 

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