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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0212804 (1998-12-16) |
우선권정보 | DE-0008712 (1995-03-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 46 인용 특허 : 3 |
For the simple production of a back surface field it is proposed that a boron-containing diffusion source layer (2) be applied to the rear (RS) of a silicon wafer (1) and boron be driven into the wafer to a depth of about 1 to 5 .mu.m at 900 to 1200.degree. C. This is done in an oxygen-containing at
[ What is claimed is:] [1.] A solar cell comprising:a p-doped solar cell body having a front side and a back side;a layer region p+ doped with boron and having a depth of 1 to 5 .mu.m on said back side;an n+ doped layer region at least on the front side;a front side contact on the front side;a burne
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