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전기저항 분석을 통한 은나노 입자 합성 시의 입자거동 연구
Particle Behavior of Silver Nanoparticles Synthesized by Electrical Resistance Analysis 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.8, 2015년, pp.531 - 538  

윤영우 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ,  유시홍 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ,  양성주 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ,  이성의 (한국산업기술대학교 신소재공학과)

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This study examined the size and shape of the nano-silver particle through the analysis of electrical resistance when synthesizing nano-sized silver by using the chemical liquid reduction. Changes in particle behaviors formed according to the changes in electronic characteristics by electric resista...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 은나노 입자 합성 시 환원반응 초기의 급격하게 변화하는 은나노 콜로이드 내의 전기저항을 실시간 측정 후 저항의 변화를 분석하고, 입자의 핵성장 기구에 적용되는 KJMA equation 이론에 은나노 입자의 전기저항을 결과를 적용하여 환원반응 시 Ag+ 이온의 핵생성과 핵성장 영역에 대한 전기적 거동에 대하여 분석하였다 [7]. 또한 환원반응 시의 온도 및 Ag+ 이온의 농도 변화에 따른 전기저항의 분석을 통하여 다양한 물리, 화학적 변화 속의 은나노 입자합성 시 입자 형성과 전기 특성의 상관관계에 대하여 연구하였다.

가설 설정

  • 5. Concept of nucleation and growth Ag colloid.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
은나노 입자를 형성하는 방법에는 무엇이 있는가? 여러 금속 나노입자 중에 첨단정보 통신기술, 인쇄전자, 터치패널산업 분야에 널리 사용되는 은(siver) 나노 입자 형성에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 기본적으로 은나노 입자를 형성하는 방법에는 화학적 합성 방법, 기계적 제조 방법, 기상 제조 방법이 있다. 기계적 제조 방법은 공정상의 불순물 혼입 및 공정 한계상 고순도의 입자를 형성하는데 어려움이 있으며, 기상 제조 방법의 경우 제조된 분말의 입자크기, 균일성, 고순도 등의 장점이 있지만 제조설비가 고가이며, 은나노 입자 생성 시 수율이 낮은 단점 등이 있다 [1].
은나노 입자 형성 시 기계적 제조 방법의 단점은? 기본적으로 은나노 입자를 형성하는 방법에는 화학적 합성 방법, 기계적 제조 방법, 기상 제조 방법이 있다. 기계적 제조 방법은 공정상의 불순물 혼입 및 공정 한계상 고순도의 입자를 형성하는데 어려움이 있으며, 기상 제조 방법의 경우 제조된 분말의 입자크기, 균일성, 고순도 등의 장점이 있지만 제조설비가 고가이며, 은나노 입자 생성 시 수율이 낮은 단점 등이 있다 [1]. 다른 합성 방법으로는 화학적합성 방법이 있다.
환원반응 초기단계에서 은나노 입자는 어떤 변화를 나타내는가? 2단계는 환원제가 투입된 직후 환원반응 초기단계이다. 초기 단계의 경우 환원제 투입과 동시에 Ag+ 이온이 환원되어 핵생성이 발생하는 영역에서 Ag+ 이온의 급격한 소모와 동시에 저항이 급격하게 상승하게 된다. Ag+ 농도가 높을수록 본 실험에서의 충분한 환원제의 농도비에 의해 핵생성 시의 Ag+ 이온의 소모량이 증가하기 때문에 환원전의 저항에 비해 저항 상승폭이 증가하게 된다.
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참고문헌 (15)

  1. J. H. Kim, T. A. Germer, G. W. Mulholland, and S. H. Ehrman, Adv. Mater., 14, 518 (2002). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/1521-4095(20020404)14:7 3.0.CO;2-P] 

  2. Y. Li, Y. Wu, and B. S. Ong, J. Am. Chem. Soc., 127, 3266 (2005). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/ja043425k] 

  3. S. Trigueors, Nanoscale Research Letters, 7, 151 (2012). [DOI: http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-151] 

  4. Q. Zhang, J. Xie, Y. Yu, J. Y. Lee, Nanoscale Research Letters, 2, 1962 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1039/c0nr00155d] 

  5. W. S. Choi and K. C. Song, Korean Chem. Eng. Res., 42, 78 (2004). 

  6. M. Ashmi and S. Pandey, Hindawi Publishing Corporation Journal of Nanoscience, 2013, 9 (2013). 

  7. P. Skrdla and J. Robertson, Chem. Mater., 20, 3 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/cm071092v] 

  8. Y. H. Lee and J. K. Oh, Journal of Korean Inst. of Resource Recycling, 14, 21 (2005). 

  9. R. Davis and C. Kibby, Journal. Am. Chem. Soc., 84, 885 (1962). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/ja00865a001] 

  10. V. H. LaMer, J. Am. Chem. Soc., 72, 4847 (1950). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/ja01167a001] 

  11. R. Vernal, Thesis, p. 294, Washington University, St. Louis (2010). 

  12. Z. S. Pillai and P. V. Kamat, J. Phys. Chem., 108, 945 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/jp037018r] 

  13. A. C. Pierre (Kluner Academic Publisher, Boston, 1988) 

  14. C. H. Kim, T. H. Joung, and J. W. Cho (Proc. of KIEEME, 7, 2006) 

  15. B. H. Cho, S. H. Cho, J. M. Kim, S. E. Kim, D. H. Kim, and S. J. Jun (Proc. of KIEEME, 11, 2010) 

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