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용액공정 OLED 기술 동향 원문보기

인포메이션 디스플레이 = Information display, v.16 no.5, 2015년, pp.20 - 26  

육경수 (성균관대학교 화학공학)

초록이 없습니다.

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문제 정의

  • 본 서에서는 용액공정용 OLED 재료의 요구 조건 및 용액공정 OLED 소자와 용액공정용 OLED 재료 개발 동향에 대하여 논하고자 한다.
  • 용액공정 OLED 기술에 대해 살펴보았다. 용액공정 OLED 기술은 저가 양산 공정이 필요한 조명에 매우 적합한 기술이면서 대면적화 되어가고 있는 OLED 디스플레이의 경쟁력을 확보하기 위해 매우 중요한 기술이다.
  • 경화형태의 박막공정은 주로 정공전달층 재료에 사용 되어 다층 OLED 박막 구조를 형성한다. 정공 전달층 재료 부분에서 경화형 재료에 대해 더 살펴보도록 하겠다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
광중합 공정을 이용한 이층구조의 정공전달층을 형성하는 것은 어떤 문제점이 있는가? 광중합 공정을 이용한 이층구조의 정공전달층 구조는 정공의 효율적인 주입뿐만 아니라 발광층에서 생성된 엑시톤의 소광현상을 막을 수 있어 우수한 효율 특성을 구현 할 수 있다. 하지만 광중합 공정을 이용한 정공 전달층 형성은 불용성 박막 형성 후 개시제의 제거가 어려운 단점을 가지고 있고, 개시제가 박막 내 불순물로 작용하여 소자의 특성을 저하 시킬 가능성이 있다[15].
용액공정을 이용한 OLED 제조 기술의 장점은? 용액공정을 이용한 OLED 제조 기술은 OLED 디스플레이와 OLED 조명에 모두 이용이 가능한 기술로, 진공증착 공정과 비교 할 때 높은 재료 사용 효율, 낮은 설비 투자비용, 대면적화에 유리 등의 장점들을 가지고 있어, OLED 제조 단가를 크게 낮출 수 있다. 특히 진공 증착 공정은 대면적화 됨에 따라 생산 장비의 가격이 기하급수적으로 증가하여 제조 단가의 증가는 피할 수 없다.
스탬프 전사법으로는 주로 어떤 방법이 사용되는가요? 마지막으로 언급 할 다층 박막 구성 기술은 스탬프를 이용한 스탬프 전사법이다. 스탬프 전사법은 다른 기판에 용액공정으로 박막을 형성 한 후 스탬프를 이용하여 기판으로부터 떼어내어 이미 박막이 형성된 기판에 전사하는 방법과, 스탬프 위에 용액공정을 이용하여 박막을 형성한 후 이미 박막이 형성된 기판위에 전사하는 방법이 주로 사용되며, 스탬프에서 기판위로 전사하는 과정에서 열과 압력을 가하여 하부 박막의 손상 없이 상부 박막을 형성 할 수 있는 기술이다. 스탬프 재료로는 poly(dimethylsiloxane)(PDMS)와 polyurethane acrylate(PUA) 같은 재료가 주로 사용 되며, 전사 공정에 따라 UV-Ozone 또는 plazma 공정을 통해 표면 개질 후 사용 되기도 한다.
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참고문헌 (20)

  1. C. Zhong, Chem. Mater. 23, 326 (2011). 

  2. H. A. Al-Attar and A. P. Monkman, J. Appl. Phys. 109, 074516 (2011). 

  3. K. S. Yook and J. Y. Lee, Org. Electron. 12, 1595 (2011). 

  4. T. Earmme, E. Ahmed, and S. A. Jenekhe, Adv. Mater. 22, 4744 (2010). 

  5. F. Huang, P.-I, Shih, C.-F. Shu, Y. Chi and A. K.-Y. Jen, Adv. Mater. 21, 361 (2009). 

  6. N. Aizawa, Y.-J. Pu, M. Watanabe, T. Chiba, K. Ideta, N. Toyota, M. Igarashi, Y. Suzuri, H. Sasabe and J. Kido, Nat. Commum, 5, 5756 (2014). 

  7. C. W. Joo, S. O. Jeon, K. S. Yook and J. Y. Lee, Org. Electron, 10, 372 (2009). 

  8. F.-S. Juang, A. Chittawanij, L.-A. Hong, Y.-S. Tsai and K.-K. Huang, IEICE trans. Electron. E98-C, 66 (2015). 

  9. C. Zhong, C. Duan, F. Huang, H. Wu and Y. Cao., Chem. Mater. 23, 326 (2011). 

  10. J. Jang, J. Ha and K. Kim, Thin Solid Films 516, 3152 (2008). 

  11. S. Ho, C. Xiang, R. Liu, N. Chopra, M. Mathai and F. So., Org. Electron, 15, 2513 (2014). 

  12. S. Hofle, H. Do, E. Mankel, M. Pfaff, Z. Zhang, D. Bahro, T. Mayer, W. Jaegermann, D. Gerthsen, C. Feldmann, U. Lemmer and A. Colsmann., Org. Electron, 14, 1820 (2013). 

  13. S. Hofle, M. Bruns, S. Strassle, C. Feldmann, U. Lemmer and A. Colsmann., Adv. Mater. 25, 4113 (2013). 

  14. H. Lee, Y. Kwon and C. Lee., J. Soc. Info. Display 20, 640 (2012). 

  15. S. Ho, S. Liu, Y. Chen and F. So., J. Photon. Energy 5, 057611 (2015). 

  16. H. Wu, G. Zhou, J. Zou, C.-L. Ho, W.-Y. Wong, W. Yang, J. Peng and Y. Cao, Adv. Mater. 21, 4181 (2009). 

  17. C.-L. Ho, W.-Y. Wong, G.-J. Zhou, B. Yao, Z. Xie and L. Wang, Adv. Funct. Mater. 17, 2925 (2007). 

  18. C.-L. Ho, W.-Y. Wong, Z.-Q. Gao, C.-H. Chen, K.-W. Cheah, B. Yao, Z. Xie, Q. Wang, D. Ma, L. Wang, X.-M. Yu, H.-S. Kwok, Z. Lin, Adv. Funct. Mater. 18, 319 (2008). 

  19. K. S. Yook and Y. J. Lee. Adv. Mater. 26, 4218 (2014). 

  20. A. Garcia, E. C. Bakus II, P. Zalar, C. V. Hoven, J. Z. Brzezinski and T.-Q. Nguyen, J. Am. Chem. Soc. 133, 2492 (2011). 

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