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NTIS 바로가기Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers = 전자공학회논문지, v.52 no.11, 2015년, pp.29 - 35
The photo-response characteristics of polysilicon based metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector structure, depending on deuterium treatment method, was analyzed by means of the dark-current and the light-current measurements. Al/Ti bilayer was used as a Schottky metal. Our purpose is to incorp...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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전자-정공 쌍의 생성 원인에는 무엇이 있는가? | 광전류는 빛에너지 흡수에 따른 전자-전공 쌍의 생성 및 이동에 의해 생성된다. 전자-정공 쌍의 생성 원인은 주로 에너지 밴드 개념에서inter-band 생성, intra-band 생성, 및 extrinsic 생성으로 분류된다. 생성된 전자-정공 쌍이 광전류로 전환되기 위해서는 이동 중 재결합 및 포획 등의 과정이 가급적 없어야 한다. | |
실리콘을 사용한 광검출기에 요구되는 조건은? | 실리콘은 파장이 1,100nm 이하 (band-to-band 흡수)인 빛에 대해 반응을 하며, 흡수되는 빛은 가시광선 영역을 포함한다. 실리콘을 사용한 광검출기(photodetector)에 대한 연구는 빠른 속도(대역폭 > 5 GHz), 높은 반응성(responsivity), 낮은 dark current (<1μA), 낮은 바이어스 전압 (<5V), 고집적화 등에 초점을 맞추고 있다. 이러한 요구 조건을 만족하기 위해서 제조방법이 간단하고 제조비용이 저렴한 박막의 다결정 실리콘이 연구되어 왔다[3]. | |
중수소 결합이 광점류 대 암전류비를 증가시킨 이유는? | 다결정 실리콘 내에 중수소 결합을 형성함으로써 광전류 대 암전류비가 증가하였다. 이는 중수소가 다결정 실리콘의 grain boundary나 금속과 계면에 존재하는 결함을 효과적으로 비활성화 시키는 역할을 하고 있기 때문이다. 중수소를 다결정 실리콘에 분포시키는 방법으로 열처리 확산 방법과 이온 주입 방법을 제시하였다. |
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