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NTIS 바로가기Journal of sensor science and technology = 센서학회지, v.24 no.6, 2015년, pp.419 - 422
김보영 (Department of Materials Science and Engineering, Korea University) , 윤지욱 (Department of Materials Science and Engineering, Korea University) , 이철순 (Department of Materials Science and Engineering, Korea University) , 박준식 (Smart Convergence Sensor Research Center, Korea Electronic Technology Institute (KETI)) , 이종흔 (Department of Materials Science and Engineering, Korea University)
Pure and Mo-doped ZnO hollow nanofibers were prepared by single capillary electrospinning and their gas sensing characteristics toward 5 ppm ethanol, trimethylamine (TMA), CO and
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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TMA의 특징은? | TMA는 염기성 가스이며, MoO3 는 산성물질로 알려져 있다. 일반적으로 암모니아 및 TMA와 같은 염기성 가스는 WO3 등과 같은 산성 감응물질에서 감도와 선택성이 증가한다는 보고가 있다 [8]. 이는 염기성가스가 산성 산화물 반도체 표면과의 반응성이 크기 때문으로 이해되고 있다. | |
가스 감응물질에는 무엇이 있는가? | 산화물 반도체형 가스센서는 감응물질의 표면과 피검 가스의 반응에 의한 저항 변화를 이용하여 가스를 검출한다[1]. 가스 감응물질로 SnO2[2], ZnO[3], In2O3[4], TiO2[5], WO3[6], Fe2O3[7] 등의 n-형 산화물 반도체가 활발히 연구되고 있다. n-형 산화물 반도체 표면에 산소가 흡착되면, 높은 전기음성도로 인해 반도체표면으로부터 전자를 받아 음으로 대전 되고(O- 또는 O2-), 고저항의 전자공핍층이 표면 부근에 형성되어 센서의 저항이 증가한다. | |
n-형 산화물 반도체형 가스센서의 동작 원리는? | 가스 감응물질로 SnO2[2], ZnO[3], In2O3[4], TiO2[5], WO3[6], Fe2O3[7] 등의 n-형 산화물 반도체가 활발히 연구되고 있다. n-형 산화물 반도체 표면에 산소가 흡착되면, 높은 전기음성도로 인해 반도체표면으로부터 전자를 받아 음으로 대전 되고(O- 또는 O2-), 고저항의 전자공핍층이 표면 부근에 형성되어 센서의 저항이 증가한다. 환원성 가스와 음으로 대전된 표면 산소가 반응하여 산화될 경우 반응에서 남은 전자가 반도체형 가스센서에 주입되어, 가스 농도에 비례하는 저항 감소를 센서 신호로 얻게 된다. |
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