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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.12, 2016년, pp.750 - 758
For the channel doping of shallow junction and retrograde well formation in CMOS, indium can be implanted in silicon. The retrograde doping profiles can serve the needs of channel engineering in deep MOS devices for punch-through suppression and threshold voltage control. Indium is heavier element t...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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인듐의 특징은? | 인듐은 원자번호가 49이고 원자질량이 114.82 amu. 를 나타내는 기존의 붕소, 갈륨, 알루미늄, BF2 분자 이온등과 비교해서 매우 무거운 3족의 p타입 불순물 원소이다. 또한 인듐의 용융점은 156. | |
인듐의 용융점은? | 를 나타내는 기존의 붕소, 갈륨, 알루미늄, BF2 분자 이온등과 비교해서 매우 무거운 3족의 p타입 불순물 원소이다. 또한 인듐의 용융점은 156.6℃로 매우 낮은 편이다. 따라서 실리콘에 이온 주입된 인듐의 확산 모델은 현재까지 자세히 나타나 있지 않다. | |
인듐이 낮은 에너지에서 갖는 문제점은 무엇인가? | 따라서 실리콘에 이온 주입된 인듐의 확산 모델은 현재까지 자세히 나타나 있지 않다. 또한 낮은 에너지(10∼50 keV)에서 sputtering 효과가 매우 크게 나타나서 실리콘웨이퍼의 표면에서 부식층 (eroded layer)이 나타나게 된다. 이러한 sputtering 효과는 T-dyn [12-15] 시뮬레이션을 통하여 그 결과를 그림으로 나타내었다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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