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문제 정의

  • ZnO 바리스터의 주요 시장은 무선 단말기, 컴퓨터 및 주변기기, 자동차용 전장용품, TV, AV 기기, 가정용 전기제품, 산업용 통신 인프라 및 전력계통, 특수 및 방위용품 등이다. 여기서는 ZnO 바리스터의 특성에서 출발하여 물성의 제어와 이를 통한 제품개발, 그 시장동향과 기술개발 동향에 대하여 살펴보고자 한다. 그림 1에는 ESD와 서지 대책소자로 널리 사용되고 있는 다양한 ZnO 바리스터 제품들을 보여주고 있다 [1].
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
Bi계 ZnO 바리스터의 장점과 단점은? ZnO 바리스터 재료는 ZnO-Bi2O3에 각종 첨가제 (Sb2O3, Mn3O4, Co3O4, NiO, Cr2O3, SiO2, TiO2 등)를 소량 첨가한 Bi계 ZnO 바리스터 [4]와 ZnO-Pr6O11에 각종 첨가제 (Co3O4, Cr2O3, 희토류 산화물 등)를 소량 첨가한 Pr계 ZnO 바리스터로 크게 나눌 수 있다 [9]. Bi계의 경우 높은 비선형성, 높은 서지내량, 낮은 소결온도의 장점이 있는 반면 첨가제의 종류가 많아 복잡한 미세구조를 형성하고 낮은 정전용량 제품일수록 ESD 내성이 낮아지는 단점이 있다. 반면 Pr계는 첨가제의 종류가 적어 보다 단순한 미세구조를 형성하고 ESD 내성이 높다는 장점이 있지만 높은 소결 온도, 비교적 낮은 비선형성과 써지 내량을 보인다 [10].
ZnO 바리스터란? ZnO 바리스터 (Varistor: variable resistor)는 비선형 전류-전압 특성을 갖는 반도성 가변 저항소자로 순간적인 전압 동요를 1 ns 이내에 감지하고 제한시키는 동작을 제품의 파괴 없이 반복적으로 수행하는 전자 세라믹 부품이다 [2]. 기능적으로 바리스터는 back-to-back 제너 다이오드 (Zener diode)와 같으며, 회로나 피보호 부품과 병렬로 연결하여 회로 혹은 피보호 부품을 ESD 나 전압 서지 (surge)로부터 보호한다 [2-8].
ZnO 바리스터 재료는 무엇이 있는가? 기능적으로 바리스터는 back-to-back 제너 다이오드 (Zener diode)와 같으며, 회로나 피보호 부품과 병렬로 연결하여 회로 혹은 피보호 부품을 ESD 나 전압 서지 (surge)로부터 보호한다 [2-8]. ZnO 바리스터 재료는 ZnO-Bi2O3에 각종 첨가제 (Sb2O3, Mn3O4, Co3O4, NiO, Cr2O3, SiO2, TiO2 등)를 소량 첨가한 Bi계 ZnO 바리스터 [4]와 ZnO-Pr6O11에 각종 첨가제 (Co3O4, Cr2O3, 희토류 산화물 등)를 소량 첨가한 Pr계 ZnO 바리스터로 크게 나눌 수 있다 [9]. Bi계의 경우 높은 비선형성, 높은 서지내량, 낮은 소결온도의 장점이 있는 반면 첨가제의 종류가 많아 복잡한 미세구조를 형성하고 낮은 정전용량 제품일수록 ESD 내성이 낮아지는 단점이 있다.
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참고문헌 (13)

  1. www.epcos.com (www.tdk.co.jp), www.amotech.co.kr, www.vishay.com, www. avx.com, www.littelfuse.com, www.inpaq.co.tw 

  2. 홍연우, "ZnO 칩 바리스터 특성과 적용 분야", 전기전자재료, 23권, 9호, pp. 3-11, 2011 

  3. L. M. Levinson and H. R. Philipp, "Znic Oxide Varistors-A Review", Am. Ceram. Soc. Bull., Vo. 65, No. 4, pp. 639-646, 1986 

  4. T. K. Gupta, "Application of Zinc Oxide Varistors", J. Am. Ceram. Soc., Vol. 73, No. 7, p. 1817-1840, 1990 

  5. R. Einzinger, "Metal Oxide Varistors", Annu. Rev. Mater. Sci., Vol. 17, pp. 299-321, 1987 

  6. K. Eda, "Zinc Oxide Varistors", IEEE Electrical Insulation Magazine, Vol. 5, No. 6, pp. 28-41, 1989 

  7. D. R. Clarke, "Varistor Ceramics", J. Am. Ceram. Soc., Vol. 82, No. 3, pp. 485-502, 1999 

  8. P. R. Bueno, J. A. Varela and E. Longo, " $SnO_2$ , ZnO and related polycrystalline compound semiconductors: An overview and review on the voltage-dependent resistance (non-ohmic) feature", J. Euro. Ceram. Soc., Vol. 28, No. 3, pp. 505-529, 2008 

  9. K. Mukae, "Zinc oxide varistors with praseodymium oxide", Am. Ceram. Soc. Bull., Vo. 66, No. 9, pp. 1329-1331 

  10. S. Hirose, K. Nishita, and H. Niimi, "Influence of distribution of additives on electrical potential barrier at grain boundaries in ZnO-based multilayered chip varistor", J. Appl. Phys., Vol. 100, 083706, 2006 

  11. F. Greuter and G. Blatter, "Electrical properties of grain boundaries in polycrystalline compound semiconductors", Semicond. Sci. Technol., Vol. 5, No. 2, pp. 111-137, 1990 

  12. 위성권, "MLCC 제품 개발 동향", 세라미스트, Vol. 14, No. 1, pp. 41-45, 2011 

  13. "유망전자부품재료-下卷-", Fuji Kimera Research Institute, 2011 

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