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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.26 no.2, 2016년, pp.58 - 61
Bulk GaN crystals were grown by the basic ammonothermal method. The c-plane GaN templates grown by hydride vapor phase epitaxy were used as seed crystals and sodium metal, amide, and azide were added as a mineralizer. The growth conditions are at temperatures from
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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암모노써멀 방법의 구분은 어떻게 되는가? | 암모노써멀 방법으로 결정 성장 시 할로겐(F, Cl, Br, I) 원소를 광화제로 첨가할 경우 Acidic 암모노써멀 방법이라고 하고, 알칼리(Li, Na, K) 원소를 광화제로 첨가할 경우는 Basic 암모노써멀 방법이라고 부른다. Acidic 암모노써멀은 온도 증가에 따라 GaN의 용해도가 증가하는 정방향의 용해도 거동을 나타내고, Basic 암모노써멀은 온도 증가에 따라 GaN의 용해도가 감소하는 역방향의 용해도 거동을 나타낸다. | |
초임계 암모니아 내에서 GaN 결정을 성장하는 방법은 어떤 장점이 있는가? | 암모니아를 용매로 사용하는 암모노써멀 방법은 물을 용매로 사용하는 수열법과 유사하다. 초임계 암모니아 내에서 GaN 결정을 성장하는 방법은 다른 성장 방법에 비해 (1) 간단한 장치 구조, (2) 공정 확장성, (3) 다수의 종자 결정을 사용한 동시 성장, (4) 낮은 공정 온도 등과 같은 장점이 있다[7]. 그러므로 암모노써멀 방법을 사용한 벌크 GaN 단결정 성장은 비용 면에서 효과적인 방법이 될 수 있다[8]. | |
성장 운용 압력을 증가시켜 암모니아의 분해를 감소시키는 방법은 무엇을 향상시킬 수 있는가? | 성장 운용 압력을 증가시키면 암모니아의 분해를 감소시킬 수 있다. 이와 같은 방법 등으로 암모니아 분해를 제어하게 되면 결정의 품질 및 성장 속도를 향상시킬 수 있다[10]. |
H. Jacobs and D. Schmidt, "High pressure ammonolysis in solid-state chemistry", in Current Topics in Material Science, E. Kaldis, Ed., North-Holland Publishing Co. (1982) 383.
R. Kucharski, M. Zajac, R. Doradzinski, M. Rudzinski, R. Kudrawiec and R. Dwilinski, "Non-polar and semipolar ammonothermal GaN substrates", Semiconductor Science and Technology 27 (2012) 024007.
R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, R. Kucharski, M. Zajac, M. Rudzinski, R. Kudrawiec, W. Strupinski and J. Misiewicz, "Ammonothermal GaN substrates: Growth accomplishments and applications", Physica Status Solidi (a) 208 (2011) 1489.
D. Ehrentraut, R.T. Pakalapati, D.S. Kamber, W. Jiang, D.W. Pocius, B.C. Downey, M. McLaurin and M.P. D'Evelyn, "High quality, low cost ammonothermal bulk GaN substrates", Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 08JA01.
K. Yoshida, K. Aoki and T. Fukuda, "High-temperature acidic ammonothermal method for GaN crystal growth", J. Crystal Growth 393 (2014) 93.
B. Wang, M.J. Callahan, K.D. Rakes, L.O. Bouthillette, S.-Q. Wang, D.F. Bliss and J.W. Kolis, "Ammonothermal growth of GaN crystals in alkaline solutions", J. Crystal Growth 287 (2006) 376.
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B. Wang and M.J. Callahan, "Ammonothermal synthesis of III-Nitride crystals", Crystal Growth & Design 6 (2006) 1227.
M. Callahan, B.-G. Wang, K. Rakes, D. Bliss, L. Bouthillette, M. Suscavage and S.-Q. Wang, "GaN single crystals grown on HVPE seeds in alkaline supercritical ammonia", J. Mater. Sci. 41 (2006) 1399.
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