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이차원 반도체 소재를 이용한 투명 태양전지 특성에 관한 연구
Transparent Photovoltaic Device using Two-dimensional Transition-metal Dichalcogenides 원문보기

한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.49 no.2, 2016년, pp.186 - 190  

좌태헌 (한국해양대학교 전자소재공학과) ,  현철민 (한국해양대학교 전자소재공학과) ,  김민식 (한국해양대학교 전자소재공학과) ,  이혁주 (한국해양대학교 전자소재공학과) ,  안지훈 (한국해양대학교 전자소재공학과)

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In this study, we fabricated the transparent photovoltaic device using 2-dimensional transition-metal dichalcogenides and investigated the transparency and photovoltaic characteristics. P-n heterojunction was formed by mechanical exfoliation and aligned transfer method on the transparent sheet using...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 이차원 전이금속 칼코게나이드 화합물이 투명하다는 장점, 그리고 가시광 영역의 빛을 흡수할 수 있다는 장점에 착안하여 가시광 영역의 빛을 광발전에 사용할 수 있는 투명 태양전지를 제작하고 그 응용 가능성을 확인하는 연구를 진행하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
전이금속 칼코게나이드 화합물에는 어떤 것들이 있는가? 따라서 전이금속 칼코게나이드 화합물을 매우 얇게 형성시키면 투명하고 유연성을 갖기 때문에 최근 유연, 투명 소자로의 응용을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다[13-15]. 특히 n-type 반도체 특성을 갖는 대표적인 이차원 소재인 MoS2와 p-type 반도체 특성을 갖는 대표적인 이차원 소재인 WSe2의 bandgap이 약 1.2 ~ 1.
유연성을 갖는 전자소자 또는 광전 소자는 어디에서 응용이 가능한가? 최근 투명성, 유연성을 갖는 전자소자 또는 광전 소자는 portable, wearable, implantable 소자에 응용 가능성 때문에 많은 관심과 연구가 진행되고 있다[1-4]. 특히 투명성을 갖는 태양전지의 경우 건물 외관에 부착되거나 발광 소자에 부착되어 버려지는 광 에너지를 이용하여 전력을 발생시키는 energy harvesting device로 응용 될 수 있는 가능성이 있어서 산화물 반도체[5]나 고분자 반도체 소재[6], 또는 nano-wire [7]등을 이용하여 투명 태양전지를 제작하는 연구가 진행되었다.
기전력을 발생시키는 태양전지의 기본 원리는? 특히 투명성을 갖는 태양전지의 경우 건물 외관에 부착되거나 발광 소자에 부착되어 버려지는 광 에너지를 이용하여 전력을 발생시키는 energy harvesting device로 응용 될 수 있는 가능성이 있어서 산화물 반도체[5]나 고분자 반도체 소재[6], 또는 nano-wire [7]등을 이용하여 투명 태양전지를 제작하는 연구가 진행되었다. 하지만, photon을 흡수하여 electron-hole pair를 형성시켜 기전력을 발생 시키는 태양전지의 기본 원리 때문에 투명한 태양전지는 가시광 영역의 빛을 발전에 사용하기가 어려워 대부분의 연구 결과는 자외선이나 적외선 영역에서 동작하는 태양전지를 제작하는데 집중되었다. 한편 이차원 결정구조를 갖는 전이금속 칼코게나이드 화합물(transition-metal dichalcogenides)은 in-plane 방향으로는 강한 공유결합을 하고 있지만 out-of-plain 방향으로는 매우 약한 van der Waals 결합을 하고 있기 때문에 원자층 레벨의 매우 얇은 수준으로 떼어나거나 합성하기 용이하다[8-9].
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참고문헌 (17)

  1. T. Sekitani, H. Nakajima, H. Maeda, T. Fukushima, T. Aida, K. Hata, and T. Someya, Stretchable active-matrix organic light-emitting diode display using printable elastic conductor, Nat. Mater., 8 (2009) 494-499. 

  2. C. C. Lu, Y. C. Lin, C. H. Yeh, J. C. Huang, and P. W. Chiu, High mobility flexible graphene field-effect transistors with self-healing gate dielectrics, ACS Nano, 6 (2012) 4469-4474. 

  3. M. G. Chung, D. H. Kim, D. K. Seo, T. Kim, H. U. Im, H. M. Lee, J. B. Yoo, S. H. Hong, T. J. Kang, and Y. H. Kim, Flexible hydrogen sensors using graphene with palladium nanoparticle decoration, Sens. Actuators B, 169 (2012) 387-392. 

  4. W. J. Yu, S. Y. Lee, S. H. Chae, D. Perello, G. H. Han, M. Yun, and Y. H. Lee, Small Hysteresis Nanocarbon-based integrated circuits on flexible and transparent plastic substrate, Nano Lett., 11 (2011) 1344-1350. 

  5. C. C. Chen, L. Dou, R. Zhu, C. H. Chung, T. B. Song, Y. B. Zheng, S. Hawks, G. Li, P. S. Weiss, and Y. Yang, Visibly transparent polymer solar cells produced by solution processing, ACS Nano, 6 (2012) 7185-7190. 

  6. B. Chen, Z. Zuo, Y. Liu, Q. Zhan, Y. Xie, H. Yang, G. Dai, Z. Li, G. Xu, and R. Li, Tunable photovoltaic effects in transparent $Pb(Zr_{0.53},Ti_{0.47})O_3$ capacitors, App. Phys. Lett., 100 (2012) 173903. 

  7. W. Wang, Q. Zhao, H. Li, H. Wu, D. Zou, and D. Yu, Double-sided, ITO-Free, flexible dyesensitized solar cells based on metal wire/ZnO nanowire arrays, Adv. Funct. Mater., 22 (2012) 2775-2782. 

  8. J. H. Ahn, M. J Lee, H. Heo, J. H. Sung, K. Kim, H. Hwang, and M. H. Jo, Deterministic two-dimensional polymorphism growth of hexagonal n-type $SnS_2$ and orthorhombic p-type SnS crystals, Nano Lett., 15 (2015) 3703-3708. 

  9. Y. Shi, H. Li, and L. Li, Recent advances in controlled synthesis of two-dimensional transition metal dichalcogenides via vapour deposition techniques, Chem. Soc. Rev., 44 (2015) 2744-2756. 

  10. Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, and M. S. Strano, Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides, Nat. Nanotech., 7 (2012) 699-712. 

  11. D. Jariwala, V. K. Sangwan, L. J. Lauhon, T. J. Marks, and M. C. Hersam, Emerging device applications for semiconducting two-dimensional transition metal dichalcogenides, ACS Nano, 8 (2014) 1102-1120. 

  12. G. Fiori, F. Bonaccorso, G. Iannaccone, T. Palacios, D. Neumaier, A. Seabaugh, S. K. Banerjee, and L. Colombo, Electronics based on two-dimensional materials, Nat. Nanotech., 9 (2014) 768-779. 

  13. D. Akinwande, N. Petrone, and J. Hone, Twodimensional flexible nanoelectronics, Nat. Commun., 5 (2014) 5678. 

  14. G. H. Lee, Y. J. Yu, X. Cui, N. Petrone, C. H. Lee, M. S. Choi, D. Y. Lee, C. Lee, W. J. Yoo, K. Watanabe, T. Taniguchi, C. Nuckolls, P. Kim, and J. Hone, Flexible and transparent $MoS_2$ fieldeffect transistors on hexagonal boron nitridegraphene heterostructures, ACS Nano, 7 (2013) 7931-7936. 

  15. J. Pu, Y. Yomogida, K. K. Liu, L. J. Li, Y. Iwasa, and T. Takenobu, Highly flexible $MoS_2$ thin-film transistors with ion gel dielectrics, Nano Lett., 12 (2012) 4013-4017. 

  16. A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C. Y. Chim, G. Galli, and F. Wang, Emerging photoluminescence in monolayer $MoS_2$ , Nano Lett., 10 (2010) 1271-1275. 

  17. R. Coehoorn, C. Haas, and R. A. de Groot, Electronic structure of $MoSe_2$ , $MoS_2$ , and WSe2. II. The nature of the optical band gaps, Phy. Rev. B, 35 (1987) 6203-6206. 

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