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NTIS 바로가기한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.11 no.5, 2016년, pp.473 - 478
윤운하 (재료연구소 소재실용화연구실) , 강성준 (전남대학교 전기및반도체공학전공) , 정양희 (전남대학교 전기및반도체공학과)
In this paper, the MIS(: Metal-Insulator-Semiconductor) Capacitor with the nitrided-oxide by RTP are fabricated to investigate the carrier trap parameters due to avalanche electron injection. Two times turn-around phenomenon of the flatband voltage shift generated by the avalanche injection are obse...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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게이트 절연막으로 질화산화막을 사용할 때 발생될 수 있는 문제는 무엇인가? | SiO2막을 고온에서 열적으로 질화시켜 형성한 질화산화막은 기존의 SiO2막보다 불순물 확산에 대한 장벽효과가 좋고 높은 전기장의 스트레스에 대한 저항력과 유전상수를 가지는 잇점이 있다[6]. 그러나 SiO2막을 암모니아(NH3) 분위기에서 열적으로 질화시키는 경우 NH3의 해리로 생긴 수소(Hydrogen)나 질소(Nitrogen)가 SiO2막내로 확산되어 많은 전자 트랩(trap)에 기인한 질화산화막의 불안정성과 퇴화를 초래하는 것으로 알려져 있다[7-8]. 따라서 이러한 질화산화막에서 제기되는 문제를 규명하고 개선을 위해서는 산화막의 질화가 트랩생성에 미치는 영향을 알아야 한다. | |
질화산화막의 장점은? | 그러므로 VLSI 기술에서 산화막을 대체할 절연막으로 질화산화막(Nitrided-oxide)에 관한 많은 연구가 활발하게 이루어지고 있다. SiO2막을 고온에서 열적으로 질화시켜 형성한 질화산화막은 기존의 SiO2막보다 불순물 확산에 대한 장벽효과가 좋고 높은 전기장의 스트레스에 대한 저항력과 유전상수를 가지는 잇점이 있다[6]. 그러나 SiO2막을 암모니아(NH3) 분위기에서 열적으로 질화시키는 경우 NH3의 해리로 생긴 수소(Hydrogen)나 질소(Nitrogen)가 SiO2막내로 확산되어 많은 전자 트랩(trap)에 기인한 질화산화막의 불안정성과 퇴화를 초래하는 것으로 알려져 있다[7-8]. | |
실리콘 산화막을 대체할 새로운 게이트 절연막으로 제시되는 것은? | 이중에서 실리콘 표면을 산화시킨 실리콘 산화막은 게이트 절연막으로 널리 사용되어 왔으나 불순물 확산과 방사선 손상에 의한 저항력 감소 등의 문제가 발생하여 이를 대체할 새로운 게이트 절연막이 요구되고 있다[1-5]. 그러므로 VLSI 기술에서 산화막을 대체할 절연막으로 질화산화막(Nitrided-oxide)에 관한 많은 연구가 활발하게 이루어지고 있다. SiO2막을 고온에서 열적으로 질화시켜 형성한 질화산화막은 기존의 SiO2막보다 불순물 확산에 대한 장벽효과가 좋고 높은 전기장의 스트레스에 대한 저항력과 유전상수를 가지는 잇점이 있다[6]. |
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