최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.15 no.1, 2016년, pp.22 - 26
우동곤 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) , 홍성철 (한양대학교 공과대학 신소재공학과) , 김정식 (한양대학교 공과대학 나노 반도체 공학과) , 조한구 (나노 과학 기술연구소) , 안진호 (한양대학교 공과대학 신소재공학과)
Extreme ultraviolet (EUV) pellicle is one of the most concerned research in the field of EUV lithography (EUVL). Imaging performance of EUV mask with pellicle should be investigated prior to high volume manufacturing (HVM) of EUVL. In this paper, we analyzed the relationship between standoff distanc...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
펠리클의 역할은 무엇인가? | EUV 펠리클 (pellicle) 개발은 노광 공정의 수율 향상을 위한 연구로서, 펠리클은 노광 공정에 사용되는 마스크에 부착하여 공정 중 발생하는 각종 오염물질로 부터 마스크를 보호하고, 웨이퍼 상에 전사되는 패턴의 결함을 방지하는 역할을 한다[4]. 특히 EUVL 은 제작하는 패턴의 사이즈가 수 nm 스케일로 매우 작고, 모든 물질이 EUV 광에 대해 높은 소광계수를 가지는 특성으로 인해서 오염물질에 매우 취약하다. | |
EUVL이 오염물질에 매우 취약한 이유는? | EUV 펠리클 (pellicle) 개발은 노광 공정의 수율 향상을 위한 연구로서, 펠리클은 노광 공정에 사용되는 마스크에 부착하여 공정 중 발생하는 각종 오염물질로 부터 마스크를 보호하고, 웨이퍼 상에 전사되는 패턴의 결함을 방지하는 역할을 한다[4]. 특히 EUVL 은 제작하는 패턴의 사이즈가 수 nm 스케일로 매우 작고, 모든 물질이 EUV 광에 대해 높은 소광계수를 가지는 특성으로 인해서 오염물질에 매우 취약하다. 따라서 마스크를 오염물질로부터 보호하는 펠리클의 개발이 꼭 필요한 상황이다. | |
Extreme ultraviolet lithography의 양산을 위해서는 어떠한 기술에 대한 연구가 필수적인가? | Extreme ultraviolet lithography (EUVL)은 현재 7 nm node logic 공정에 적용될 가장 유력한 기술로, 양산을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다[1-3]. 기존 노광기술과 달리 반사형 광학계를 이용할 수 밖에 없는 EUVL의 양산을 위해서는 반사형 광학계에서 손실되는 광량 보상을 위한 250 W 이상의 고출력 광원 확보 및 새로운 구조의 마스크 개발 등 다양한 기술에 대한 연구가 필수적이다. 이를 위한 연구가 수년 동안 지속적으로 이루어져왔으며, 현재는 EUVL 공정 기술 확보를 넘어 최종적으로 공정의 수율을 높이기 위한 연구들이 진행되고 있다. |
ITRS organization, "International technology roadmap for semiconductors 2014 edition: Lithography summary", 2014, from http://www.itrs2.net
Z. J. Qi, J. Rankin, E. Narita and M. Kagawa, "Viability of pattern shift for defect-free EUV photomasks at the 7 nm node", Proc. of SPIE 9635, 96350N, 2015.
E.V. Setten, G. Schiffelers, E. Psara, D. Oorschot, N. Davydova, J. Finders, "Imaging performance and challenges of 10 nm and 7 nm logic nodes with 0.33 NA EUV", Proc. of SPIE 9231, 923108, 2014.
Y. A. Shroff, M. Goldstein, B. Rice, S. H. Lee, K. V. Ravi, and D. Tanzil, "EUV Pellicle Development for Mask Defect Control", Proc. of SPIE 6151, Emerging Lithographic Technologies X, 615104, 2006.
C. Zoldesi, K. Bal, B. Blum, G. Bock, D. Brouns, F. Dhalluin, N. Dziomkina, J. D. A. Espinoza, J. D. Hoogh, S. Houweling, M. Jansen, M. Kamali, A. Kempa, R. Kox, R. Kruif, J. Lima, Y. Liu, H. Meijer, H. Meiling, I. Mil, M. Reijnen, L. Scaccabarozzi, D. Smith, B. Verbrugge, L. de Winter, X. Xiong, and J. Zimmerman. "Progress on EUV pellicle development", Proc. of SPIE 9048, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography V, 90481N, 2014.
L. Scaccabarozzi, D. Smith, P. R. Diago, E. Casimiri, N. Dziomkina, and H. Meijer, "Investigation of EUV pellicle feasibility", Proc. of SPIE 8679, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IV, 867904, 2013.
Y. A. Shroff, M. Leeson, and P. Y. Yan, "High transmission pellicles for extreme ultraviolet lithography reticle protection", Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol. 28, No. 6, pp. C6E36-C6E41, 2010.
K. A. Goldberg and I. Mochi, "Actinic characterization of extreme ultraviolet bump-type phase defects", Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol. 29, No. 6, 06F502, 2011.
J. R. Fienup, "Phase retrieval algorithms: a comparison", APPLIED OPTICS, Vol. 21, No.15, pp. 2758-2769, 1982.
J. E. Kim. S. Hong, J. H. Kim, and J. Ahn, "Manufacturing SiNx EUV pellicle with HF wet etching process", Journal of KSDET, Vol 14, No. 3, pp. 7-11, 2015.
J. Miao, D. Sayre, H. N. Chapman, "Phase retrieval from the magnitude of the Fourier transforms of nonperiodic objects", Journal of Optical Society of America, Vol. 15, No.6, pp. 1662-1669, 1998.
D. Hellweg, J. Ruoff, A. Herkommer, J. Stuhler, T. Ihl, H. Feldmann, M. Ringel, U. Strobner, S. Perlitz and W. Harnisch, " $AIMS^{TM}$ - the actinic aerial image review platform for EUV masks", Proc. of SPIE, 7969, 79690H, 2011.
H. S. Seo, D. G. Lee, H. Kim, S. Huh and B. S. Ahn, "Effects of mask absorber structures on the extreme ultraviolet lithography", Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol. 26, No. 6, pp. 2208-2214, 2008.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.