[논문]XRD의 결정구조로 살펴본 GZO 박막의 온도의존성

오데레사

XRD의 결정구조로 살펴본 GZO 박막의 온도의존성
Temperature Dependence of Bonding Structure of GZO Thin Film Analyzed by X-ray Diffractometer 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.15 no.1, 2016년, pp.52 - 55

Abstract ▼ AI-Helper

GZO film was prepared on p-type Si wafer and then annealed at various temperatures in an air conditions to research the bonding structures in accordance with the annealing processes. GZO film annealed in an atmosphere showed the various bonding structure depending on annealing temperatures and oxygen gas flow rate during the deposition. The difference of bonding structures of GZO films made by oxygen gas flows between 18 sccm and 22 sccm was so great. The bonding structures of GZO films made by oxygen gas flow of 18 sccm were showed the crystal structure, but that of 22 sccm were showed the amorphous structure in spite of after annealing processes. The bonding structure of GZO as oxide-semiconductor was observed the trend of becoming amorphous structures at the temperature of $200^{\circ}C$. Therefore, the characteristics of oxide semiconductor are needed to research the variation near the annealing at $200^{\circ}C$.

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

본 연구는 GZO 박막의 결정구조변화에 따른 특성을 관찰하기 위해서 열처리 조건과 열처리온도에 변화를 주어서 결합구조가 다양하게 변화하도록 GZO 박막을 증착하고 열처리를 하였다. 34.

제안 방법

34.7°근처에서 나타나는 XRD 패턴의 변화를 조사하고 분석하였다.
7°근처에서 나타나는 XRD 패턴의 변화를 조사하고 분석하였다. 그리고 산소공공과 전기적인 특성과의 상관성을 살펴보고, XRD 분석에 의한 결합구조와 XPS분석에 의한 결합에너지 사이의 상관성을 살펴보았다.
증착이 된 GZO 박막은 진공 중에서 각각 RT, 100°C, 200°C, 300°C, 400°C 에서 각각 열처리를 10분동안 실시하였으며, 각 박막들의 분석은 XRD를 이용하여 결정구조를 분석하여 서로 비교하였다. 열처리 온도에 따른 결정구조의 변화와 온도 상관성을 조사하였다.
증착이 된 GZO 박막은 진공 중에서 각각 RT, 100°C, 200°C, 300°C, 400°C 에서 각각 열처리를 10분동안 실시하였으며, 각 박막들의 분석은 XRD를 이용하여 결정구조를 분석하여 서로 비교하였다.

대상 데이터

GZO박막은 p형의 실리콘 위에 GZO 타겟소스 를 사용하고 산소가스를 16 sccm ~ 26 sccm을 주입하여 플라즈마를 형성하였으며, RF magnetron sputtering장비를 이용하여 10분동안 증착하였다. 증착이 된 GZO 박막은 진공 중에서 각각 RT, 100°C, 200°C, 300°C, 400°C 에서 각각 열처리를 10분동안 실시하였으며, 각 박막들의 분석은 XRD를 이용하여 결정구조를 분석하여 서로 비교하였다.

성능/효과

또한 GZO 박막이 비정질의 특성을 갖는다는 것을 확인하였으며, 100°C와 200°C 온도에서 결정구조가 변한다는 것을 확인시켜주고 있다.

질의응답

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	산화물 반도체체의 장점은?	하지만 실리콘 반도체는 소형화하는데 한계가 있고, 투명하지 않으며, 특히 유연성을 가질 수 없다. 따라서 작고 소형화가 가능하며, 유연하면서도 투명할 수 있는 산화물반도체에 대한 관심이 높아지고 있다. ZnO 기반의 산화물반도체의 시작은 ITO 투명전극에서 시작 되었다.
	ZnO의 장점은?	ZnO 기반의 산화물반도체의 시작은 ITO 투명전극에서 시작 되었다. 비싸고 희토류에 속하는ITO 투명전극을 대신할 수 있으면서 동시에 무독성, 내식성, 내방사성, 내열성, 압전성등 우수한 기계적인 특성을 갖는 ZnO는 액정디스플레이, 플라즈마 디스플레이와 같은 유기 발광 소자 및 태양광, 자외선 발광소자의 투명전극 등으로 개발되고 있다.[1-5] ZnO는 3-5족 화합물 반도체로 육방정계 우르자이트(hexagonal wruzite)의 결정구조를 가지며, 상온에서 3.
	실리콘 반도체의 한계점은?	실리콘 반도체에 의한 기술은 눈부실 만한 산업의 성장과 인간의 생화패턴을 바꾸는 신세계를 열어주었고, 그 끝은 영원할 것처럼 무궁무궁하게 여겨져왔다. 하지만 실리콘 반도체는 소형화하는데 한계가 있고, 투명하지 않으며, 특히 유연성을 가질 수 없다. 따라서 작고 소형화가 가능하며, 유연하면서도 투명할 수 있는 산화물반도체에 대한 관심이 높아지고 있다.

참고문헌 (12)

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