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[국내논문] 2차원 MoS2 물질 기반의 전자소자 연구
Introduction to research of atomically thin MoS2 and its electrical properties 원문보기

진공 이야기 = Vacuum magazine, v.3 no.1, 2016년, pp.9 - 15  

이탁희 (서울대학교 물리천문학부) ,  김태영 (서울대학교 물리천문학부) ,  조경준 (서울대학교 물리천문학부) ,  박진수 (서울대학교 물리천문학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Molybdenum disulfide ($MoS_2$), which has 0.65 nm-thick atomic layer, can be easily separated layer by layer due to weak van der Waals interactions in out-of-plane direction. ($MoS_2$), has a good potential in nanoelectronics, because it has high electrical mobility and On/Off ...

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문제 정의

  • 따라서, 단분자층에 가까운 얇은 두께의 MoS2를 이용한 공학적, 학문적 연구가 계속되고 있다. 본 논문에서는 대표적 2차원 반도체 물질인 MoS2연구를 소개하고, 앞으로의 연구 가능성에 대해 논해보고자 한다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
전이금속 다이칼코젠 화합물의 특징은 무엇인가? 2010년 노벨 물리학상을 수상한 주제인 그래핀 연구는 2차원 물질이라는 새로운 연구 분야를 개척했다. 다양한 2차원 물질 중 전이금속 다이칼코젠 화합물 (transition metal dichalcogenides)은 층(layer) 간에 약한 반 데르발스 결합을 가져 스카치 테이프를 이용해서 간편하게 수 나노미터 두께의 얇은 분자층을 떼어낼 수 있다. 여러 화합물 중, 이황화 몰리브덴(molybdenum disulfide, 이하 MoS2)은 한 층의 두께가 0.
이황화 몰리브덴이 차세대 전자소자로 각광받는 이유는 무엇인가? 다양한 2차원 물질 중 전이금속 다이칼코젠 화합물 (transition metal dichalcogenides)은 층(layer) 간에 약한 반 데르발스 결합을 가져 스카치 테이프를 이용해서 간편하게 수 나노미터 두께의 얇은 분자층을 떼어낼 수 있다. 여러 화합물 중, 이황화 몰리브덴(molybdenum disulfide, 이하 MoS2)은 한 층의 두께가 0.65 나노미터로 얇고 휘어지며 투명하고 전기 이동도(electrical mobility)가 뛰어나기에 차세대 전자소자로 각광받고 있다 (그림 1) [1].
MoS2의 전기적 특성 저하를 막기 위해 진공이나 질소 환경이 필요한 이유는 무엇인가? 수 나노미터의 얇은 두께를 갖는 MoS2 FET의 경우, 공기 중의 수분이나 산소의 영향을 받아서 전기적 특성이 저하된다. 일반적으로 MoS2는 전자(electron)가 주된 전하(major carrier)인 n형 반도체 특성을 보이는데, 공기 중의 수분이나 산소가 채널의 전자를 트랩(trap)시켜서 전기 이동도를 떨어뜨리게 된다. 따라서, 전기적 특성 측정을 진공이나 질소 환경에서 하면 전기적 특성 저하를 막을 수 있다.
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참고문헌 (15)

  1. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis, Nat. Nanotech. 6, 147 (2011). 

  2. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 105, 136805 (2010). 

  3. G. Eda, H. Yamaguchi, D. Voiry, T. Fujita, M. Chen, and M. Chhowalla, Nano Lett. 11, 5111 (2011). 

  4. W. Park, J. Park, J. Jang, H. Lee, H. Jeong, K. Cho, S. Hong, and T. Lee, Nanotechnology 24, 095202 (2013). 

  5. K. Cho, W. Park, J. Park, H. Jeong, J. Jang, T.-Y. Kim, W. K. Hong, S. Hong, and T. Lee, ACS Nano 7, 7751 (2013). 

  6. J. R. Schwank, M. R. Shaneyfelt, D. M. Fleetwood, J. A. Felix, P. E. Dodd, P. Paillet, and V. Ferlet-Cavrois, IEEE Trans. Nucl. Sci. 55, 1833 (2008). 

  7. T.-Y. Kim, K. Cho, W. Park, J. Park, Y. Song, S. Hong, W.-K. Hong, and T. Lee, ACS Nano 8, 2774 (2014). 

  8. K. Cho, T.-Y. Kim, W. Park, J. Park, D. Kim, J. Jang, H. Jeong, S. Hong, and T. Lee, Nanotechnology 25, 155201 (2014). 

  9. J. Pak, J. Jang, K. Cho, T.-Y. Kim, J.-K. Kim, Y. Song, W.-K. Hong, M. Min, H. Lee, and T. Lee, Nanoscale 7, 18780 (2015). 

  10. H. Qiu, T. Xu, Z. Wang, W. Ren, H. Nan, Z. Ni, Q. Chen, S. Yuan, F. Miao, F. Song et al., Nat. Commun. 4, 2642 (2013). 

  11. K. Cho, M. Min, T.-Y. Kim, H. Jeong, J. Pak, J.-K. Kim, J. Jang, S. J. Yoon, Y. H. Lee, W.-K. Hong, and T. Lee, ACS Nano 9, 8044 (2015). 

  12. Y. H. Lee, X. Q. Zhang, W. Zhang, M. T. Chang, C. T. Lin, K. D. Chang, Y. C. Yu, J. T. Wang, C. S. Chang, L. J. Li, and T. W. Lin, Adv. Mater. 24, 2320 (2012). 

  13. W. Park, J. Baik, T.-Y. Kim, K. Cho, W.-K. Hong, H.-J. Shin, and T. Lee, ACS Nano 8, 4961 (2014). 

  14. T.-Y. Kim, M. Amani, G. H. Ahn, Y. Song, A. Javey, S. Chung, and T. Lee, ACS Nano 10, 2819 (2016). 

  15. M. Amani, D. H. Lien, D. Kiriya, J. Xiao, A. Azcatl, J. Noh, S. R. Madhvapathy, R. Addou, S. KC, M. Dubey, K. Cho, R. M. Wallace, S. C. Lee, J. H. He, J. W. Ager III, X. Zhang, E. Yablonovitch, and A. Javey, Science 350, 1065 (2015). 

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