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2차원 반도체 반데르발스 이종구조 기반의 전자소자 및 광전자소자 원문보기

세라미스트 = Ceramist, v.20 no.3, 2017년, pp.115 - 124  

이동훈 (고려대학교 KU-KIST 융합대학원) ,  이철호 (고려대학교 KU-KIST 융합대학원)

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문제 정의

  • 4) 기존 벌크 물질을 이용하여 구현된 여러 복합구조를 2차원 물질로 구현하게 되면 벌크 물질에서 볼 수 없었던 새로운 과학적 현상을 관찰할 수 있으며 기존기술로 구현하기 힘들었던 구조도 2차원 물질을 이용하면 손쉽게 구현할 수 있다는 장점이 있다. 본 보고에서는 수 원자 층 두께를 가지는 2차원 물질 기반의 반데르발스 이종구조 제작 및 반도체 소자로의 응용에 관해 중점적으로 논의하고자 한다. (Fig.
  • 지금까지 2차원 반도체 물질의 성질 및 이들의 반데르발스 이종구조를 이용한 다양한 전자 및 광전자소자 응용에 대해 살펴보았다. 2차원 물질의 고유한 성질로 인하여 기존의 3차원 벌크 물질로는 구현하기 어려운 독특한 이종접합 구조 및 새로운 특성을 나타내는 소자를 2차원 물질을 조립하여 손쉽게 제작할 수 있다는 장점이 있다.

가설 설정

  • 또 다른 연구진들은 MoS2를 채널로, 그래핀을 플로팅 게이트로, h-BN을 터널 장벽으로 사용하는 메모리 장치를 개발하였다.24) 이 구조에서는 드레인 전극과 그래핀 사이의 h-BN은 전하가 터널링을 통해 이동할 수 있지만 그래핀에서 소스 전극으로는 전위차가 작아서 전하가 h-BN을 통과할 수 없다. 이를 통해 플로팅 그래핀에 전하가 터널링을 통해 효율적으로 저장되어 10-14 A의 낮은 off 상태 전류와 109의 높은 on-off ratio를 나타낸다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
그래핀을 처음 발견한 방법은 무엇인가? 이러한 결합 특성으로 인해 층간의 분리가 용이하여 면적은 수 μm2 에서부터 수 mm2 이상까지 크고 두께는 원자수준의 얇은 물질로 존재할 수 있다. 2004년에 테이프를 이용한 기계적 박리법(mechanical exfoliation)으로 영국 맨체스터대학에서 처음으로 대표적인 2차원 물질인 그래핀(graphene)을 발견한 이래로 세계 우수 연구진들에 의해 그래핀의 차세대 전자소자로의 응용가능성에 대한 많은 연구들이 진행되어 왔다.1) 
2차원 물질의 결합 특성으로 인한 결과는? 2차원 물질은 평면 방향으로는 강한 공유결합(covalent bond)으로 이루어져 있으며 수직 방향으로는 약한 반데르발스(van der Waals)결합으로 이루어져 있는 층상 구조를 공통적으로 가지고 있다. 이러한 결합 특성으로 인해 층간의 분리가 용이하여 면적은 수 μm2 에서부터 수 mm2 이상까지 크고 두께는 원자수준의 얇은 물질로 존재할 수 있다. 2004년에 테이프를 이용한 기계적 박리법(mechanical exfoliation)으로 영국 맨체스터대학에서 처음으로 대표적인 2차원 물질인 그래핀(graphene)을 발견한 이래로 세계 우수 연구진들에 의해 그래핀의 차세대 전자소자로의 응용가능성에 대한 많은 연구들이 진행되어 왔다.
반데르발스 이종구조 제작을 위해 가장 많이 사용되는 방법은 무엇인가? 반데르발스 이종구조 제작을 위해 현재까지 가장 많이 사용되고 있는 방법은 습식전사(wet-transfer)법이다. (Fig.
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참고문헌 (30)

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  18. L. Britnell, R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M. I. Katsnelson, L. Eaves, S. V. Morozov, N. M. R. Peres, J. Leist, A. K. Geim, K. S. Novoselov, and L. A. Ponomarenko "Field-effect tunneling transistor based on vertical graphene heterostructures," Science, 335 947-950 (2012). 

  19. Thanasis Georgiou, Rashid Jalil, Branson D. Belle, Liam Britnell1, Roman V. Gorbachev, Sergey V. Morozov, Yong-Jin Kim, Ali Gholinia, Sarah J. Haigh, Oleg Makarovsky, Laurence Eaves, Leonid A. Ponomarenko, Andre K. Geim, Kostya S. Novoselov and Artem Mishchenko "Vertical field-effect transistor based on graphene- $WS_2$ heterostructures for flexible and transparent electronics," Nature Nanotech., 8 100-103 (2013). 

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  21. Simone Bertolazzi, Daria Krasnozhon, and Andras Kis "Nonvolatile Memory Cells Based on $MoS_2$ /Graphene Heterostructures," ACS Nano, 7 3246-3252 (2013). 

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  26. L. Britnell, R. M. Ribeiro, A. Eckmann, R. Jalil, B. D. Belle, A. Mishchenko, Y.-J. Kim, R. V. Gorbachev, T. Georgiou, S. V. Morozov, A. N. Grigorenko, A. K. Geim, C. Casiraghi, A. H. Castro Neto, and K. S. Novoselov "Strong Light-Matter Interactions in Heterostructures of Atomically Thin Films," Science, 340 1311-1314 (2013). 

  27. Woo Jong Yu, Quoc An Vu, Hyemin Oh, Hong Gi Nam, Hailong Zhou, Soonyoung Cha, Joo-Youn Kim, Alexandra Carvalho, Munseok Jeong, Hyunyong Choi, A.H. Castro Neto, Young Hee Lee and Xiangfeng Duan "Unusually efficient photocurrent extraction in monolayer van der Waals heterostructure by tunnelling through discretized barriers," Nat. commun., 7 13278 (2016). 

  28. Chul-Ho Lee, Gwan-Hyoung Lee, Arend M. van der Zande, Wenchao Chen, Yilei Li, Minyong Han, Xu Cui, Ghidewon Arefe, Colin Nuckolls, Tony F. Heinz, Jing Guo, James Hone and Philip Kim "Atomically thin p-n junctions with van der Waals heterointerfaces," Nat. Nanotech., 9 676-681 (2014). 

  29. F.Withers, O. Del Pozo-Zamudio, A. Mishchenko, A. P. Rooney, A. Gholinia, K.Watanabe, T. Taniguchi, S. J. Haigh, A. K. Geim, A. I. Tartakovskii and K. S. Novoselov "Light-emitting diodes by band-structure engineering in van der Waals heterostructures," Nat. Mater., 14 301-306 (2015). 

  30. F. Withers, O. Del Pozo-Zamudio, S. Schwarz, S. Dufferwiel, P. M. Walker, T. Godde, A. P. Rooney, A. Gholinia, C. R. Woods, P. Blake, S. J. Haigh, K. Watanabe, T. Taniguchi, I. L. Aleiner, A. K. Geim, V. I. Fal'ko, A. I. Tartakovskii, and K. S. Novoselov " $WSe_2$ Light-Emitting Tunneling Transistors with Enhanced Brightness at Room Temperature," Nano Lett., 15 8223-8228 (2015). 

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