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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.6, 2016년, pp.348 - 352
손호기 (한국세라믹기술원 광.디스플레이소재센터) , 이영진 (한국세라믹기술원 광.디스플레이소재센터) , 이미재 (한국세라믹기술원 광.디스플레이소재센터) , 김진호 (한국세라믹기술원 광.디스플레이소재센터) , 전대우 (한국세라믹기술원 광.디스플레이소재센터) , 황종희 (한국세라믹기술원 광.디스플레이소재센터) , 이혜용 (루미지엔테크)
In this paper, GaN film was grown on AlN/PSS by hydride vapor phase epitaxy compared with GaN on planar sapphire. Thin AlN layer for buffer layer was deposited on patterned sapphire substrate (PSS) by metal organic chemical vapor deposition. Surface roughness of GaN/AlN on PSS was remarkably decreas...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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HVPE의 특징은? | 앞의 두 가지 성장방법은 결정성은 좋지만 성장 속도가 매우 느리고, 장비 유지비용도 많이 든다. HVPE는 유지비용이 적으며, 성장 속도가 빠르기 때문에 양산 장비로 적합하다. | |
GaN 막 성장법에는 무엇이 있는가? | 위와 같은 장점 때문에 GaN-basad LED 분야에서 계속해서 연구가 되고 있으며 [5], 다양한 성장법이 이용되고 있다. 대표적인 GaN 막 성장법으로는 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)와 ammonothermal과 HVPE (hydride vapor phase epitaxy)가 있다. 앞의 두 가지 성장방법은 결정성은 좋지만 성장 속도가 매우 느리고, 장비 유지비용도 많이 든다. | |
갈륨 나이트라이드의 장점은 무엇인가? | 광전자기기인 레이저 다이오드 (laser diode)와 발광 다이오드 (light emitting diode)에 적합한 재료이다. 3.4 eV의 넓은 밴드갭 에너지, 높은 열안정성, 열전도도의 물성을 가지고 있어 고온에서 작동되는 전자기기에 이용할 수 있다 [1-4]. 위와 같은 장점 때문에 GaN-basad LED 분야에서 계속해서 연구가 되고 있으며 [5], 다양한 성장법이 이용되고 있다. |
M. Balaji, A. Claudel, V. Fellmann, I. Gelard, E. Blanquet, R. Boichot, A. Pierret B. Attal-Tretout, A. Crisci, S. Coindeau, H. Roussel, D. Pique, K. Baskar, and M. Pons, J. Alloy. Compd., 526, 103 (2012). [DOI: http://dx.doi.orgorg/10.1016/j.jallcom.2012.02.111]
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Y. Kumagai, Y. Enatsu, M. Ishizuki, Y. Kubota, J. Tajima, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, and A. Koukitu, J. Cryst. Growth, 312, 2530 (2010). [DOI: http://dx.doi.orgorg/10.1016/j.jcrysgro.2010.04.008]
K. Fujita, K. Okuura, H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Hirayama, Phys. Status. Solidi. C, 8, 1483 (2011). [DOI: http://dx.doi.orgorg/10.1002/pssc.201001130]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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