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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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소자 표면의 평탄화 목적은 무엇인가? | 1980년대 말, 미국 IBM에서는 서브마이크론 이하의 선폭과 다층 배선을 갖는 초집적 반도체를 얻기 위해서는 소자 표면의 평탄화(planarization)가 필수적이며, 이를 실현하기 위한 강력한 방법으로서 화학 기계적 연마(CMP)를 적용한 것이 시초이며, 지금 10nm급의 디바이스를 얻기 위한 핵심공정이 되었다. CMP는 박막형성, 로광 및 식각을 통해 형성된 패턴의 상부에 연속적으로 패턴을 만들기 위해서 하부 패턴 표면을 평탄화 시키는 것이다. | |
평탄화의 메커니즘 원리는 어떻게 되는가? | 평탄화의 메커니즘은 화학적 및 기계적 에너지의 하이브리드 작용에 의한 이방적(anisotropic) 재료 제거이다. 즉, 소자의 돌출부에 압력이 집중되고 기계적 접촉이 선택적으로 일어나 돌출부를 우선적으로 제거하여 평탄화시킨다는 것이다. 그림 4는 일반적으로 반도체 공정에 주로 적용되고 있는 화학반응에 의한 등방적 제거와 CMP의 차이점을 설명하고 있다. | |
CMP란 무엇인가? | 1980년대 말, 미국 IBM에서는 서브마이크론 이하의 선폭과 다층 배선을 갖는 초집적 반도체를 얻기 위해서는 소자 표면의 평탄화(planarization)가 필수적이며, 이를 실현하기 위한 강력한 방법으로서 화학 기계적 연마(CMP)를 적용한 것이 시초이며, 지금 10nm급의 디바이스를 얻기 위한 핵심공정이 되었다. CMP는 박막형성, 로광 및 식각을 통해 형성된 패턴의 상부에 연속적으로 패턴을 만들기 위해서 하부 패턴 표면을 평탄화 시키는 것이다. 그림 3은 평탄화 여부에 따라 형성된 소자의 단면 구조의 차이를 보여주고 있다. |
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