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탄소 기판을 이용한 박막 실리콘 태양전지의 배리어 층 효과
The Effect of Barrier Layer on Thin-film Silicon Solar Cell Using Graphite Substrates 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.8, 2016년, pp.505 - 509  

조영준 (충남대학교 에너지과학기술대학원) ,  이동원 ((주)뉴파워프라즈마) ,  조준식 (한국에너지기술연구원 태양광연구실) ,  장효식 (충남대학교 에너지과학기술대학원)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have investigated the characteristics of amorphous silicon (a-Si) thin-film solar cell by inserting barrier layer. The conversion efficiency of a-Si thin-film solar cells on graphite substrate shows nearly zero because of the surface roughness of the graphite substrate. To enhance the performance...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 다양한 그라파이트(graphite) 기판을 이용하여 표면거칠기가 박막 실리콘 태양전지 특성에 어떻게 영향을 주는지에 대하여 연구하였으며, 이를 바탕으로 태양전지의 효율을 개선하고자 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
태양전지로 많은 연구가 되고 있는 탄소재료는 무엇인가? 탄소재료들은 높은 전기전도성을 부여할 수 있고, 다양한 형태로 제조가 가능하여 에너지 저장재료, 에너지 변환재료 등 많은 전기적인 응용 분야에 사용될 수 있어서 고부가가치 재료로 주목받고 있다. 그래핀, 탄소 섬유, 흑연 그라파이트는 비교적 저렴하고, 낮은 열팽창계수, 우수한 열적 안정성 (~10-6 /k), 낮은 전기저항(~10-4 Ω㎝) 그리고, 유연한 기판 특성을 나타내어서 태양전지에도 많은 연구가 진행되고 있다 [1-3]. 이러한 탄소재료와 실리콘을 코팅 하여 이차전지의 성능과 태양전지의 특성 개선이 진행 중이다 [4,5].
탄소 재료의 장점은 무엇인가? 탄소 재료는 일반적으로 복합재료의 구조재료로서 많이 사용되고 있다. 탄소재료들은 높은 전기전도성을 부여할 수 있고, 다양한 형태로 제조가 가능하여 에너지 저장재료, 에너지 변환재료 등 많은 전기적인 응용 분야에 사용될 수 있어서 고부가가치 재료로 주목받고 있다. 그래핀, 탄소 섬유, 흑연 그라파이트는 비교적 저렴하고, 낮은 열팽창계수, 우수한 열적 안정성 (~10-6 /k), 낮은 전기저항(~10-4 Ω㎝) 그리고, 유연한 기판 특성을 나타내어서 태양전지에도 많은 연구가 진행되고 있다 [1-3].
그래핀의 특성은 무엇인가? 탄소재료들은 높은 전기전도성을 부여할 수 있고, 다양한 형태로 제조가 가능하여 에너지 저장재료, 에너지 변환재료 등 많은 전기적인 응용 분야에 사용될 수 있어서 고부가가치 재료로 주목받고 있다. 그래핀, 탄소 섬유, 흑연 그라파이트는 비교적 저렴하고, 낮은 열팽창계수, 우수한 열적 안정성 (~10-6 /k), 낮은 전기저항(~10-4 Ω㎝) 그리고, 유연한 기판 특성을 나타내어서 태양전지에도 많은 연구가 진행되고 있다 [1-3]. 이러한 탄소재료와 실리콘을 코팅 하여 이차전지의 성능과 태양전지의 특성 개선이 진행 중이다 [4,5].
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참고문헌 (6)

  1. W. Xu, S. Choi, and M. G. Allen, 23rd IEEE Micro Electro Mechanical System (MEMS) (Hong Kong, 2010) p. 1187. 

  2. K. J. Maung, H. T. Hahn, and Y. S. Ju, Solar Energy, 84, 450 (2010). [DOI: http://dx.doirg/10.1016/j.solener.2010.01.002] 

  3. X. Li. Z. Lv, and H. Zhu, Adv. Mater., 27, 6549 (2015). [DOI: http://dx.doirg/10.1002/adma.201502999] 

  4. J. H. Lee, S. R. Won, J. P. Shim, G. S. Park, H. J. Sun, and H. K. Lee, Trans. Electr. Electron. Mater., 15, 193 (2014). [DOI: http://dx.doirg/10.4313/TEEM.2014.15.4.193] 

  5. C. H. Doh, K. Y. Jeong, B. S. Jin, H. S. Kim, S. I. Moon, M. S. Yun, I. G. Choi, C. W. Park, and K. J. Lee, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 19, 636 (2006). 

  6. D. E. Carlson and C. R. Wronski, Appl. Phy. Lett., 28, 671 (1976). [DOI: http://dx.doirg/10.1063/1.88617] 

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