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가설 설정
- 8. Surface SEM micrographs of Mo-Cu coating according to targets type; (a) Mo, Cu two targets, (b) Mo-10 at% Cu single alloy target.
제안 방법
- 스퍼터링 중 가스분압은 Ar 과 N2 가스비를 5 : 1 (Ar : 30 sccm, N2 : 6 sccm)로 하였다. Mo, Cu 복수타겟을 이용한 스퍼터링 공정의 경우는 Mo-10 at% Cu 단일 합금타겟의 조성과 동일하게 맞추기 위해 타겟에 인가하는 파워를 계속적으로 조절하여 실험을 수행하였다. 표 3에 세부적인 스퍼터링 공정조건을 제시한다.
- 분말 장입 및 추출 전 Glove box 내부를 로터리 펌프를 이용하여 진공분위기를 만든 후 Ar 가스를 주입하여 Ar 분위기 조성상태에서 분말 장입 및 추출을 진행하였고, 추출 한 분말의 산화를 방지하기 위해 진공밀폐용기 안에 보관하였다. Mo-10 at% Cu 분말을 추출한 후 입도를 확인하기 위해 입도분석기(Microtrac, Microtrac Zetatrac)를 이용하였고 분말의 형상과 조성을 확인하기 위해 주사전자현미경과 원소분석기(HITACHI HIGH TECHNOLOGY, HITACHI SU5000)를 이용하여 분석을 수행하였다. 다음 표 1에 유성 볼밀링 공정을 이용하여 제조한 분말의 공정조건을 제시한다.
- 표 3에 세부적인 스퍼터링 공정조건을 제시한다. 그리고 증착된 박막의 표면, 단면 조직과 조성을 조사하기 위해서 주사전자현미경과 원소분석기를 이용하여 분석하였다. 또한 박막의 조도를 측정하기 위해서 표면조도계(Tokyo Seimitsu, SURFCOM 1500SD3-12)를 이용하여 분석하였고 나노인덴터(Fischer instrument, HM2000) 분석을 이용하여 박막의 표면 경도를 측정하였다.
- 그리고 증착된 박막의 표면, 단면 조직과 조성을 조사하기 위해서 주사전자현미경과 원소분석기를 이용하여 분석하였다. 또한 박막의 조도를 측정하기 위해서 표면조도계(Tokyo Seimitsu, SURFCOM 1500SD3-12)를 이용하여 분석하였고 나노인덴터(Fischer instrument, HM2000) 분석을 이용하여 박막의 표면 경도를 측정하였다.
- 제조한 Mo-10 at% Cu 분말은 입도와 조성균일도를 확인하기 위해 입도분석과 맵핑분석을 진행하였고 Mo-10 at% Cu 분말을 이용하여 제작한 Mo-10 at% Cu 합금타겟의 밀도측정과 조직 및 조성분석을 진행하였다. 또한 제작한 Mo-10 at% Cu 합금타겟을 이용하여 제작한 박막과 Mo 및 Cu 2개의 단일조성 타겟을 이용하여 제작한 MoN-Cu 박막의 조직, 조성, 조도, 경도를 비교분석하였다.
- 본 논문에서는 유성볼밀링 공정을 통해 Mo-10 at% Cu 합금분말을 제조하였고 방전 플라즈마 소결공정을 통해서 Mo-10 at% Cu 합금타겟을 성공적으로 제작하였다. 제작한 합금타겟은 스퍼터링 공정을 이용하여 박막을 제작하였고 2개의 원소재 타겟을 이용한 코스퍼터링 공정으로 제작한 박막과 비교하였다.
- 용기와 볼을 지르코니아 재질로 사용한 이유는 내마모 특성이 좋아 고경도 소재에 대한 볼 밀링이 유리하기 때문이다. 볼과 분말의 장입비는 무게비로 10 : 1로 정하였고 밀링공정 중 높은 에너지에 따른 분말의 웰딩과 산화 문제를 해결하기 위해 용기 내부는 Ar 가스 분위기를 조성하여 공정을 진행하였다. 유성 볼밀링 공정시간은 30시간, 공정속도는 300RPM 으로 고정하였다.
- 유성 볼밀링 공정시간은 30시간, 공정속도는 300RPM 으로 고정하였다. 분말 장입 및 추출 전 Glove box 내부를 로터리 펌프를 이용하여 진공분위기를 만든 후 Ar 가스를 주입하여 Ar 분위기 조성상태에서 분말 장입 및 추출을 진행하였고, 추출 한 분말의 산화를 방지하기 위해 진공밀폐용기 안에 보관하였다. Mo-10 at% Cu 분말을 추출한 후 입도를 확인하기 위해 입도분석기(Microtrac, Microtrac Zetatrac)를 이용하였고 분말의 형상과 조성을 확인하기 위해 주사전자현미경과 원소분석기(HITACHI HIGH TECHNOLOGY, HITACHI SU5000)를 이용하여 분석을 수행하였다.
- 소결온도는 1000°C로 정하였고 10분 동안 1000°C로 올리고 1000°C에서 5분간 유지하였다. 소결공정압력은 그라파이트 몰드가 견디는 하중을 고려하여 80 MPa로 고정하여 실험을 수행하였다. 제작할 타겟의 크기는 직경 Φ76.
- 2 mm, 높이 100 mm로 가공하였다. 소결방법은 그라파이트 몰드에 Mo-10 at% Cu 분말을 충진 시킨 후 전류를 통전시키기 위해 상하에 그라파이트 펀치를 배치하였다. 몰드 내벽에 3파이의 구멍을 뚫어 R-type의 열전대를 삽입하였고 몰드와 펀치를 위, 아래 동심원을 맞춰 정중앙에 맞췄다.
- 본 연구에서는 Mo와 Cu 2개의 타겟을 이용한 코스퍼터링 박막과 Mo-10 at% Cu 단일 합금타겟을 이용하여 제작한 박막을 비교하는 실험을 수행하였다. 스퍼터링 공전 전에 타겟 표면의 산화층을 없애기 위해 2-2 mtorr 진공도에서 Ar 가스를 주입하고 DC 200 W 인가하여 20분 동안 타겟 표면세정을 진행하였고 기판 또한 산화막을 제거하기 위해 타겟 표면세정과 동일한 조건으로 기판에 600 V의 Bias를 10분간 인가하였다. Mo-Cu 박막 증착은 고순도 Ar 가스와 N2 가스를 사용하였고 가스의 전체 유량은 36 sccm 으로 고정하였다.
- 본 논문에서는 유성볼밀링 공정을 통해 Mo-10 at% Cu 합금분말을 제조하였고 방전 플라즈마 소결공정을 통해서 Mo-10 at% Cu 합금타겟을 성공적으로 제작하였다. 제작한 합금타겟은 스퍼터링 공정을 이용하여 박막을 제작하였고 2개의 원소재 타겟을 이용한 코스퍼터링 공정으로 제작한 박막과 비교하였다. 분말 분석 결과 Mo-10 at% Cu 합금분말의 입도는 약 6.
- 제조한 Mo-10 at% Cu 합금타겟을 마그네트론 스퍼터링법에 사용하여 박막을 증착하였다. 제조한 Mo-10 at% Cu 분말은 입도와 조성균일도를 확인하기 위해 입도분석과 맵핑분석을 진행하였고 Mo-10 at% Cu 분말을 이용하여 제작한 Mo-10 at% Cu 합금타겟의 밀도측정과 조직 및 조성분석을 진행하였다. 또한 제작한 Mo-10 at% Cu 합금타겟을 이용하여 제작한 박막과 Mo 및 Cu 2개의 단일조성 타겟을 이용하여 제작한 MoN-Cu 박막의 조직, 조성, 조도, 경도를 비교분석하였다.
- 제조한 Mo-10 at% Cu 합금분말을 방전 플라즈마 소결장치(DR.SINTER, SPS-625)를 이용하여 소결공정을 수행하였다. 소결을 위해 고강도 그라파이트(ISO-63) 몰드를 제작하였고, 크기는 3인치 타겟을 제작 할 수 있도록 외경 Φ120 mm, 내경 Φ76.
- 몰드 내벽에 3파이의 구멍을 뚫어 R-type의 열전대를 삽입하였고 몰드와 펀치를 위, 아래 동심원을 맞춰 정중앙에 맞췄다. 진공분위기에서 소결을 진행하기 위해서 로터리 펌프와 부스터 펌프를 이용하여 2 mtorr 까지 진공도를 조성하여 공정을 수행하였다. 소결온도는 1000°C로 정하였고 10분 동안 1000°C로 올리고 1000°C에서 5분간 유지하였다.
대상 데이터
- 스퍼터링 공전 전에 타겟 표면의 산화층을 없애기 위해 2-2 mtorr 진공도에서 Ar 가스를 주입하고 DC 200 W 인가하여 20분 동안 타겟 표면세정을 진행하였고 기판 또한 산화막을 제거하기 위해 타겟 표면세정과 동일한 조건으로 기판에 600 V의 Bias를 10분간 인가하였다. Mo-Cu 박막 증착은 고순도 Ar 가스와 N2 가스를 사용하였고 가스의 전체 유량은 36 sccm 으로 고정하였다. 스퍼터링 중 가스분압은 Ar 과 N2 가스비를 5 : 1 (Ar : 30 sccm, N2 : 6 sccm)로 하였다.
- 제조한 Mo- 10 at% Cu 합금타겟을 이용하여 마그네트론 스퍼터링 공정으로 합금박막을 증착했다. 기판으로 Si wafer (100)를 사용하였고, 기판은 각각 아세톤과 알콜 중에서 초음파 세정으로 세척하였다. 본 연구에서 사용한 스퍼터링 장비(A-tech system, Flexlab system 100)의 챔버 내부의 개략도는 그림 1과 같다[15].
- 본 연구에서는 Mo, Cu 분말을 사용하여 Mo-10 at% Cu 합금분말을 제조하였다. 순도 99.
- 그림 1(a)는 두 개의 스퍼터 건을 이용하여 기판에 증착할 수 있도록 기울기를 주어 동시에 파워를 인가하여 증착하는 코스퍼터링 방식이고, 그림 1(b) 는 스퍼터 건과 기판을 동일선상에 배치하여 증착하는 방식이다. 본 연구에서는 Mo와 Cu 2개의 타겟을 이용한 코스퍼터링 박막과 Mo-10 at% Cu 단일 합금타겟을 이용하여 제작한 박막을 비교하는 실험을 수행하였다. 스퍼터링 공전 전에 타겟 표면의 산화층을 없애기 위해 2-2 mtorr 진공도에서 Ar 가스를 주입하고 DC 200 W 인가하여 20분 동안 타겟 표면세정을 진행하였고 기판 또한 산화막을 제거하기 위해 타겟 표면세정과 동일한 조건으로 기판에 600 V의 Bias를 10분간 인가하였다.
- 본 연구에서는 유성 볼밀링 공정을 이용하여 분말을 미세화시키고 균일한 조성분포를 가지는 분말을 제조하였다. 그림 2는 유성 볼밀링 공정 후 분말의 입도변화를 보여주는 결과이다.
- 2 µm 의 Cu 분말을 이용하여 기계적 특성이 우수하다고 알려진 Mo-10 at% Cu 조성으로 합금분말을 제조하였다[14]. 분말 제조는 유성 볼 밀링(FRITSH, Pulverisette 5) 장비를 사용하였고 밀링 용기와 볼은 지르코니아 재질로 사용하였다. 용기의 부피는 500ml 이며 볼의 직경은 5 mm로 정하여 공정을 진행하였다.
- 소결을 위해 고강도 그라파이트(ISO-63) 몰드를 제작하였고, 크기는 3인치 타겟을 제작 할 수 있도록 외경 Φ120 mm, 내경 Φ76.2 mm, 높이 100 mm로 가공하였다.
- 순도 99.9%, 입도 13.6 µm의 Mo 분말과 순도 99.5%, 입도 24.2 µm 의 Cu 분말을 이용하여 기계적 특성이 우수하다고 알려진 Mo-10 at% Cu 조성으로 합금분말을 제조하였다[14].
- 제작할 타겟의 크기는 직경 Φ76.2 mm에 높이 7 mm이며 표 2에 방전 플라즈마 소결 공정조건을 제시한다.
- 제조한 Mo- 10 at% Cu 합금타겟을 이용하여 마그네트론 스퍼터링 공정으로 합금박막을 증착했다. 기판으로 Si wafer (100)를 사용하였고, 기판은 각각 아세톤과 알콜 중에서 초음파 세정으로 세척하였다.
- 본 연구에서는 Mo-10 at% Cu 합금타겟과 박막을 제작하기 위해 유성볼밀링법(Planetary Ball Milling; PBM)을 이용한 기계적합금화 방법으로 Mo-10 at% Cu 합금분말을 제조하였으며 고밀도의 소결체를 제작하기 위해 방전플라즈마 소결법을 이용하여 합금 타겟을 제작하였다. 제조한 Mo-10 at% Cu 합금타겟을 마그네트론 스퍼터링법에 사용하여 박막을 증착하였다. 제조한 Mo-10 at% Cu 분말은 입도와 조성균일도를 확인하기 위해 입도분석과 맵핑분석을 진행하였고 Mo-10 at% Cu 분말을 이용하여 제작한 Mo-10 at% Cu 합금타겟의 밀도측정과 조직 및 조성분석을 진행하였다.
- 합금박막은 그림 1과 같이 2개의 타겟을 이용한 코스퍼터링 공정과 본 연구에서 제작한 Mo- 10at% Cu 단일 합금타겟을 이용한 스퍼터링 공정으로 제작하였다. 공정 중 사진은 그림 7과 같다.
데이터처리
- 2 mm에 높이 7 mm이며 표 2에 방전 플라즈마 소결 공정조건을 제시한다. 그리고 제작한 타겟은 아르키메데스법을 이용하여 밀도를 측정하였고 타겟의 조직과 조성을 확인하기 위해 주사전자현미경과 원소분석기를 이용하여 분석하였다.
이론/모형
- 본 연구에서는 Mo-10 at% Cu 합금타겟과 박막을 제작하기 위해 유성볼밀링법(Planetary Ball Milling; PBM)을 이용한 기계적합금화 방법으로 Mo-10 at% Cu 합금분말을 제조하였으며 고밀도의 소결체를 제작하기 위해 방전플라즈마 소결법을 이용하여 합금 타겟을 제작하였다. 제조한 Mo-10 at% Cu 합금타겟을 마그네트론 스퍼터링법에 사용하여 박막을 증착하였다.
성능/효과
- 23%의 조성을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 2개의 타겟을 이용하여 박막을 제작할 시 파워조절에 따라 박막의 조성을 구현하기가 매우 어려우며 박막을 제작하는데 있어 밀착력이 떨어져 막에 박리현상이 나타나는 것을 확인 할 수 있었다. 하지만 단일 합금타겟을 이용하여 박막을 제작할 시 타겟의 조성과 동일하게 박막에 조성이 전사되는 것을 확인 할 수 있었고 미세한 조직을 갖는 박막 제작이 가능한 장점을 가지는 것을 확인하였다.
- 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막의 경우 공정시간 1시간동안 약 2.38 µm, 단일 합금타겟을 이용하여 제작한 박막의 경우는 약 3.27 µm의 막이 증착된 것을 확인 할 수 있었다.
- 그림 11(a)는 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막의 경도값을 보여주고 그림 11(b)는 단일 합금타겟을 이용하여 제작한 박막의 경도 결과값을 보여준다. 2개의 타겟을 이용한 박막의 경도값은 약 24 ~ 25 GPa이고 단일 합금타겟을 이용한 박막의 경도값은 약 28 ~ 29 GPa이다. 단일 합금타겟을 이용하여 박막을 제작했을 시 약 4~5 GPa 이상 박막의 경도가 증가한 것을 확인할 수 있었다.
- 그림 10(a)는 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막의 조도를 보여주고 그림 10(b)는 단일 합금타겟을 이용하여 제작한 박막의 표면조도 결과를 보여준다. 2개의 타겟을 이용한 박막의 표면조도의 평균값은 약 3.634 nm이고, 단일 합금타겟을 이용한 박막의 경우 약 1.135 nm의 평균 조도값을 갖는 것을 확인하였다. 따라서, 단일 합금타겟을 이용한 박막의 경우 더 낮은 조도값을 갖는 것을 확인 할 수 있었다.
- 제작된 Mo-10 at% Cu 합금타겟의 조직 및 조성을 조사하였고, 그 결과는 그림 5와 같다. Mo-10 at% Cu 소결 후 조직과 맵핑 분석 결과, 전체적으로 균일한 크기의 조직을 가지는 것을 확인할 수 있고, 방전플라즈마 소결 후 압력과 온도에 따른 결정립이 분말과 비교하였을때 크게 변화가 없는 것을 확인 할 수 있다. 이러한 결과는 방전 플라즈마 소결의 장점인 준안정상태에서 분말 소결에 의한 결정립 성장의 최소화와도 부합되는 결과이다[15].
- 코스퍼터링의 경우 단일 합금타겟의 조성과 동일한 조성을 맞추기 위해 타겟별 파워량을 조절하여 박막을 제작하였다. 각각의 타겟에 파워를 인가하면서 그 결과 Mo 타겟에는 300 W, Cu 타겟에는 200 W의 파워를 인가하였을 때 Mo-10 at% Cu 박막조성과 가장 유사한 조성을 가지는 박막을 제작할 수 있었다.
- 스퍼터링 공정 중 Ar 분위기에서 제작한 박막들의 표면조직 확인을 위해 SEM 분석을 수행한 결과는 그림 8과 같다. 그림에서 보면 볼 수 있듯이 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막의 경우 약 50 nm 의 결정립을 가지는 것을 확인할 수 있었고, Mo10 at% Cu 단일 합금타겟을 이용한 박막의 경우 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막과는 달리 결정립이 아주 미세하여 SEM 이미지상으로는 구분되지 않는 것을 볼 수 있다. 박막의 조성은 2개의 타겟을 이용한 박막의 경우 Mo: 93.
- 2개의 타겟을 이용한 박막의 경도값은 약 24 ~ 25 GPa이고 단일 합금타겟을 이용한 박막의 경도값은 약 28 ~ 29 GPa이다. 단일 합금타겟을 이용하여 박막을 제작했을 시 약 4~5 GPa 이상 박막의 경도가 증가한 것을 확인할 수 있었다.
- 그림 9(a)는 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막의 단면을 보여주고, 그림 9(b)는 단일 합금타겟을 이용하여 제작한 박막의 단면을 보여준다. 두 박막의 단면을 확인한 결과 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막의 경우 단면이 주상 구조를 가지는 것을 확인할 수 있고, 단일 합금타겟을 이용한 박막의 경우 피쳐러스한 구조를 가지는 것을 확인 할 수 있다. 또한 같은 공정시간동안 박막을 증착하였을 때 단일 합금타겟을 이용하여 박막을 제작할 시 더 높은 증착률을 보이는 것을 확인할 수 있었다.
- 135 nm의 평균 조도값을 갖는 것을 확인하였다. 따라서, 단일 합금타겟을 이용한 박막의 경우 더 낮은 조도값을 갖는 것을 확인 할 수 있었다.
- 두 박막의 단면을 확인한 결과 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막의 경우 단면이 주상 구조를 가지는 것을 확인할 수 있고, 단일 합금타겟을 이용한 박막의 경우 피쳐러스한 구조를 가지는 것을 확인 할 수 있다. 또한 같은 공정시간동안 박막을 증착하였을 때 단일 합금타겟을 이용하여 박막을 제작할 시 더 높은 증착률을 보이는 것을 확인할 수 있었다. 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막의 경우 공정시간 1시간동안 약 2.
- 135 nm의 낮은 표면조도값을 가졌다. 또한 박막의 경도 측정 결과 28 GPa 이상의 높은 경도값을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 기존에 연구된 다수의 타겟을 이용한 스퍼터링 공정으로 제작한 박막의 문제점인 공정의 복잡화 문제점을 단일 합금 타겟을 제작함으로써 해결할 수 있었고, 멀티 스퍼터링 박막 제작 시 일어났던 박리현상 및 박막의 특성 저하 문제를 해결 수 있었다[16].
- 이러한 결과는 방전 플라즈마 소결의 장점인 준안정상태에서 분말 소결에 의한 결정립 성장의 최소화와도 부합되는 결과이다[15]. 맵핑 분석 결과, 전체적으로 Mo 와 Cu 가 균일하게 분포한 것을 확인 할 수 있고 특히 Mo 의 결정립 사이에 Cu가 존재하는 것을 확인 할 수 있다. 전체 조성분석 결과, 분말과 동일하게 높은 조성 균일도를 보이는 것을 확인할 수 있고 그 오차 범위가 ±0.
- 그림에서 보면 볼 수 있듯이 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막의 경우 약 50 nm 의 결정립을 가지는 것을 확인할 수 있었고, Mo10 at% Cu 단일 합금타겟을 이용한 박막의 경우 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막과는 달리 결정립이 아주 미세하여 SEM 이미지상으로는 구분되지 않는 것을 볼 수 있다. 박막의 조성은 2개의 타겟을 이용한 박막의 경우 Mo: 93.58%, Cu: 7.42%의 조성을 갖는 것을 확인하였고, 단일 합금타겟을 이용하여 제작한 박막은 Mo: 90.77%, Cu: 9.23%의 조성을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 2개의 타겟을 이용하여 박막을 제작할 시 파워조절에 따라 박막의 조성을 구현하기가 매우 어려우며 박막을 제작하는데 있어 밀착력이 떨어져 막에 박리현상이 나타나는 것을 확인 할 수 있었다.
- 분말 분석 결과 Mo-10 at% Cu 합금분말의 입도는 약 6.1 µm 수준으로 미세한 것을 확인하였고, 맵핑 분석결과 전체적으로 균일한 조성분포도를 가지는 것을 확인하였다.
- 소결된 합금타겟은 아르키메스법으로 밀도를 측정하였고, 그 결과 약 99% 이상의 높은 소결밀도를 가지는 것을 확인하였다. 제작된 Mo-10 at% Cu 합금타겟의 조직 및 조성을 조사하였고, 그 결과는 그림 5와 같다.
- 27 µm의 막이 증착된 것을 확인 할 수 있었다. 이러한 결과는 2개의 타겟을 이용한 코스퍼터링 공정보다 단일 합금타겟을 이용한 스퍼터링 공정이 더 높은 증착률을 가진다는 것을 제시한다.
- 전체 조성분석 결과, 분말과 동일하게 높은 조성 균일도를 보이는 것을 확인할 수 있고 그 오차 범위가 ±0.5% 이내였다.
- 제조한 합금분말을 이용하여 제작한 Mo-10 at% Cu 합금타겟의 밀도는 약 99% 이상이였으며, 조성 분석 결과 분말의 조성과 ±1% 이내로 근접하는 매우 높은 조성균일도를 보였다.
- 조성분석 결과 밀링 전 Mo-10 at% Cu의 조성과 오차 범위가 ±1% 이내로 매우 높은 조성 균일도를 보이는 것을 확인 할 수 있다.
- 2개의 타겟을 이용하여 박막을 제작할 시 파워조절에 따라 박막의 조성을 구현하기가 매우 어려우며 박막을 제작하는데 있어 밀착력이 떨어져 막에 박리현상이 나타나는 것을 확인 할 수 있었다. 하지만 단일 합금타겟을 이용하여 박막을 제작할 시 타겟의 조성과 동일하게 박막에 조성이 전사되는 것을 확인 할 수 있었고 미세한 조직을 갖는 박막 제작이 가능한 장점을 가지는 것을 확인하였다.
- 제조한 합금분말을 이용하여 제작한 Mo-10 at% Cu 합금타겟의 밀도는 약 99% 이상이였으며, 조성 분석 결과 분말의 조성과 ±1% 이내로 근접하는 매우 높은 조성균일도를 보였다. 합금타겟을 이용하여 제작한 박막과 2개의 타겟을 이용하여 제작한 박막을 비교한 결과 합금타겟을 이용하여 제작한 박막이 더 미세한 표면조직과 1.135 nm의 낮은 표면조도값을 가졌다. 또한 박막의 경도 측정 결과 28 GPa 이상의 높은 경도값을 가지는 것을 확인할 수 있었다.
후속연구
- 또한 단일 합금 타겟을 이용함으로써 스퍼터 일드값이 증가하여 기존 멀티 타겟을 이용한 박막의 비해 증착률이 크게 향상된 것을 확인할 수 있었다[17]. 박막의 증착그림 1과 같이 플라즈마에 의한 타겟의 이온들이 최종적으로 이러한 결과로 볼 때, 전기적, 열적, 기계적 물성이 뛰어난 Mo-Cu 재료를 더 다양하고 높은 품질이 요구되는 응용분야에 적용할 수 있을 것으로 기대되며, Mo-Cu 재료의 추가적인 원소를 첨가한 합금을 제작할 시 더 다양한 응용분야에 적용시킬 수 있을 것으로 기대된다.
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