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Industry promotion research = 산업진흥연구, v.1 no.2, 2016년, pp.13 - 17
조윤정 (청주대학교 반도체공학과) , 채홍주 (청주대학교 반도체공학과) , 오데레사 (청주대학교 반도체공학과)
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ZTO films were annealed in a vaccum atmosphere conditions to research the temperature dependency of current-voltage characteristics. The ZTO film annealed in a vacuum became an amorphous structure but films annealed in an atmosphere condition had a crystal structure. The defects or depletion layer w...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 기존의 Si반도체가 갖고 있는 단점은 무엇인가? | 이러한 장점때문에 AMOLED 와flexible 디스플레이와 같은 차세대 디스플레이 소자로의 활용성이 높다[4-7]. 기존의 Si반도체는 Valence band의 전자가 Conduction band로 여기 되는 현상으로 인해 대부분의 빛 에너지가 흡수되어 투과도가 떨어지는 문제가 있는 반면에 산화물 반도체는 3eV이상의 넓은 밴드 갭을 가지기 때문에 가시광선의 흡수가 거의 일어나지 않아 투명 소자 제작이 가능하다.[8-13] | |
| 산화물반도체의 높은 결정화 온도와 연관이 있는 것은 무엇인가? | Zinc tin oxide(ZTO)는 넓은 밴드 갭을 특징으로 하는 산화물 반도체 중 하나이다. ZTO를 비롯한 산화물반도체의 높은 결정화 온도는 반도체계면효과에 의한 공핍층의 형성과 연관이 있다. ZTO는 화학적으로 안정하여 쉽게 산화하거나 부식되지 않으며, 물리적인 특성도 우수하여 흠집에 대해 강한 내성을 가지고 있다[1-3]. | |
| 차세대 디스플레이 소자로서 ZnO기반의 TFT의 활용성이 높은 이유는 무엇인가? | 1907년 Bädeker에 의해 CdO박막이 처음으로 만들어진 이래로 ZnO계, SnO2계,In2O3계 혼합물이 투명전도체 박막으로 알려졌으며, 이러한 산화 물들의 첨가는 광 투과도 와 전기 전도성을 향상시켰다. TCO의 대표적인 물질 중 하나인 Zinc Oxid e(ZnO) 기반 TFT는 a-si에 비해 높은 Mobi lity를 가지고 고속 회로 구동이 가능하며 저온 진공공정에서의 제작이 가능한 특징이 있다. 또한 상대적으로 넓은 밴드 갭(Wide band gap, 3.3eV)을 갖고 있으며 높은 Binding energy를 갖는다. 이러한 장점때문에 AMOLED 와flexible 디스플레이와 같은 차세대 디스플레이 소자로의 활용성이 높다[4-7]. |
Sung Hoon Oh, Sae Won Kang, Gun Hwan Lee, Woo Seok Jung, Pung Keun Song,"Effect of Annealing on the Electrical Property and Water Permeability of ZTO/GZO Double-layered TCO Films deposited by DC, RF Magnetron Co-sputtering", The Korean Institute of Surface Engineering, Vol. 45, pp 34-45, 2012.
H. M. Kim and J. J. kim, "Heat Treatment Effects on the Electrical Properties of In2O3-ZnO Films Prepared by RF-Magnetron Sputtering Method," J. Korean Vacuum Society, Vol. 14, pp. 238-244, 2005.
Teresa Oh "Analysis of Electrical Characteristics of Oxide Semiconductor of ZnO, SnO2 and ZTO" Korean Journal of Materials Research, Vol. 25 pp. 347-349, 2016.
Young Deuk Ann, Jae Ho Yeon and Teresa Oh, "Comparison between the Electrical Properties and Structures after Atmosphere Annealing and Vaccum Annealing of IGZO Thin Films," Industry Promotion Research, Vol. 1, pp. 1-6, 2016.
Meng Yu and Jungyol Jo, "Sputtering Growth of ZnO Thin-Film Transistor Using Zn Target", The Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, September Vol. 13, pp. 35-38, 2014.
Kyoungjin Kim and Joong-Youn Park, "Effects of Forced Self Driving Function in Silicon Wafer Polishing Head on the Planarization of Polished Wafer Surfaces", The Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, March 2014. Vol. 13, No. 1, pp 13-17.
Dukyean Yoo, Hyoungju Kim, Junyeong Kim and Jungyol Jo, "Current Variation in ZnO Thin-Film Transistor under Different Annealing Conditions", Journal of the Semiconductor & Display Technology, Vol. 13, pp. 63-66, 2014.
Chu, M.C., Meena, J.S., Liu, P.T., Shieh, H.D., You, H.C., Tu, Y.W., Chang, F.C., and Ko, F.H., "Oxygen Plasma Functioning of Charge Carrier Density in Zinc Oxide Thin-Film Transistors," Applied Physics Express, Vol. 6, 076501, 2013.
Young Ho So, Jung Ho Song, Dong Myung Seo and Teresa Oh, "A Study on the Chemical Properties of AZO with Crystral Structure and IGZO of Amorphous Structure due to the Annealing Temperature," Industry Promotion Research, Vol. 1, pp. 1-6, 2016.
D. H. Hwang, H. H. Ahn, K. N. Hui, K. S. Hui, and Y. G. Son, "Effect of Oxygen Partial Pressure Contents on the Properties of Al-doped ZnO Thin Films Prepared by Radio Frequency Sputtering," J. Ceram. Proc. Res., Vol. 12, pp. 150-154, 2011.
Chu, M. C., Meena, J.S., Liu, P.T., Shieh, H.D., You, H.C., Tu, Y.W., Chang, F.C., and Ko, F.H., "Oxygen Plasma Functioning of Charge Carrier Density in Zinc Oxide Thin-Film Transistors," Applied Physics Express, Vol. 6, 076501, 2013.
B. K. Lee and K. M. Lee, "Structural and Electrical Characteristics of IZO Thin Films Deposited on Flexible Substrate", The Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, Vol. 10, pp. 39-44, 2011.
D. H. Hwang, H. H. Ahn, K. N. Hui, K. S. Hui, and Y. G. Son, "Effect of Oxygen Partial Pressure Contents on the Properties of Al-doped ZnO Thin Films Prepared by Radio Frequency sputtering," J. Ceram. Proc. Res., Vol. 12, pp. 150-154, 2011.
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