최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Current photovoltaic research = 한국태양광발전학회논문지, v.4 no.3, 2016년, pp.124 - 129
이유리 (화학공학부, 영남대학교) , 정재학 (화학공학부, 영남대학교)
Recently industry has voiced a need for optimally designing the production process of low-cost, high-quality ingots by improving productivity and reducing production costs with the Czochralski process. Crystalline defect control is important for the production of high-quality ingots. Also oxygen is ...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
연속성장법 초크랄스키 공정의 특징은? | 기존의 초크랄스키 공정은 도가니 내에 용융되어 있던 실리콘만이 모두 잉곳으로 결정화 되면 공정이 끝난다. 하지만 연속성장법 초크랄스키 공정은 우선 이중도가니를 사용하고 있으며 내부 도가니와 외부 도가니 사이에 용융 되어있는 실리콘을 피더(feeder)로부터 연속적으로 실리콘이 주입되는 구조로 되어있다. 따라서 도가니 내에는 100 kg의 일정한 장입량의 실리콘이 유지되고 있다. 또한 더넓은 도가니를 사용하기 때문에 기존 8 inch의 잉곳보다 넓은 12 inch의 잉곳이 1500 mm로 생성된다. 더넓고 긴 잉곳으로 인해서 훨씬더 많은 생산성을 기대 할 수 있다(Fig. 1). | |
초크랄스키법에서 일어나는 결함에 영향을 주는 요인은? | 그러나 임계 전단 응력 분력(Critical Resolved Shear Stress, CRSS)이 작은 재료들은 결정 자체의 온도 차이에 의한 열응력 때문에 많은 결함(특히 전위)들이 나타나고 있으며, 응고 후 겪게 되는 열 이력도 결정 결함에 많은 영향을 미친다. 결국, 초크랄스키법에서 일어나는 결함은 주로 용융액 내 유동에 의해서 일어나는 계면 근처의 온도 변화, 결정 내 온도 분포 그리고 성장하는 결정의 열 이력 등에 의해서 많은 영향을 받기 때문에 내의 열전달 양상과 온도 분포를 알게 되면 성장 시 발생하는 결함을 해석하고, 해결하는데 많은 도움이 될 것이다. | |
단결정 실리콘 성장 시 적절한 산소농도를 제어하는 것이 중요한 이유는? | 광열화현상의 원인은 붕소가 도핑 된 P타입의 단결정 실리콘 잉곳에서 반데르발스 힘(Van der Waals Force)으로 결합되어 있던 실리콘과 산소가 광 조사 후 일정시간이 지남에 따라서 붕소와 반응하여 B-O Complex를 형성하게 되고, B-O Complex가 전자-정공 쌍 trap (Electron-Hole Pair trap, EHP trap)으로 작용하여 광상태의 Lifetime을 저하시키면서 광열화현상을 일으키게 된다4).그러나 적절한 산소석출은 실리콘 웨이퍼 표면 및 벌크(bulk)내에 있는 디바이스의 전기적 특성에 유해한 영향을 주는 금속 불순물 등의 게터링(gettering) 사이트(site)로 작용하여 디바이스의 전기적 특성에 유익한 영향을 미친다5-8). 그러므로 단결정 실리콘 성장 시 적절한 산소농도를 제어하는 것은 매우 중요하다. |
H. Deai, T. Iwasaki, Y. Ikematsu, K. Kawakami, H. Harada and A. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, pp. L1476, 1996.
S.Oka and M. Katayama, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, pp. 1995, 1997.
J. G. Park and T. A. rozgonyi, Solid State Phenomena, Vol. 47-48, pp. 372, 1996.
H.K. Jeon, Impurity effect analysis and optimum condition study for improving light, Yeungnam university graduate school, 2013.
J. Schmidt, A.G. Aberle, and R. Hezel, Investigation of carrier lifetime instabilities in Cz-grown silicon, Proc.26th IEEE PVSC (Anaheim, California, USA), pp. 13-18, 1997.
G. A. Rozgonyi, R. P. Deysher, and C. W. Pearce, J. Electrochem. Soc, 123, pp. 1910, 1976.
W. Shockley and W.T. Read, Jr., Statistics of the Recombination of Holes and Electrons, Phys. Rev., 87, pp. 835-843, 1952.
McCaughan, D.V., and B.C. Wonsiewicz, Effects of dislocations on the properties of metal $SiO_2$ silicon capacitors, J. Appl. Phys. 45, pp. 4982, 1974.
Muhe A., Backofen R., Fainberg J., Muller G., Dornberger E., Tomzig E., and von Ammon W., Oxygen distribution in silicon melt during a standard Czochralski process studied by sensor measurements and comparison to numerical simulation, J. Cryst. Growth, 198/199, pp. 409-413, 1999.
B.C. Sim, I. K. Lee, K. H. Kim, H. W. Lee, Oxygen concentration in the Czochralski-grown crystals with cusp-magnetic field, J. Cryst. Growth, 275, pp. 455-459, 2005.
Y.J. Jung, Study of Oxygen Concentration and Interface Optimization in Czochral, Yeungnam university graduate school, 2014.
V. Savolainena, J. Heikonena, J. Ruokolainena, O. Anttilab, M. Laaksob, and Paloheimob, Simulation of large-scale silicon melt flow in magnetic Czochralski growth, J. Cryst. Growth, 243, pp. 243-260, 2002.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.