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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.29 no.11, 2016년, pp.702 - 706
손호기 (한국세라믹기술원) , 이영진 (한국세라믹기술원) , 김진호 (한국세라믹기술원) , 황종희 (한국세라믹기술원) , 전대우 (한국세라믹기술원) , 이혜용 (루미지엔테크)
We demonstrated that self-separation FS-GaN (freestanding-GaN) was grown on MELO (maskless epitaxially lateral overgrowth) GaN template by horizontal HVPE (hydride vapor phase epitaxy). Before thick GaN grwoth, MELO GaN template was grown on patterned GaN template by MOCVD (metal organic chemical va...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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HVPE 성장법의 특징은? | HVPE 성장법은 HCl과 Ga메탈을 반응시켜 GaCl을 형성하고 NH3와 반응하여 GaN을 성장하게 된다. 성장률이 다른 성장법보다 매우 빠르고, 불순물 함유량이 적고, 한 번의 공정에 여러 장의 GaN 기판을 제작할 수 있으며, 유지비용이 적어 양산형 장비로 적합하다. | |
갈륨 나이트라이드의 특징은? | 2014년 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, GaN) 물질은 다양한 장점을 가지고 있어 이를 연구해 온 일본의 연구자가 노벨 물리학상을 수상하였다. 이처럼 갈륨 나이트라이드는 3.4 eV의 넓은 밴드갭 에너지를 갖고 고온에서의 높은 안정성과 열전도도의 물성을 가지고 있을 뿐만 아니라 알루미늄과 인듐을 합성하고 조성을 조절하여 다양한 파장을 얻을 수 있기 때문에 광 전자기기와 고온에서 작동되는 전력소자에 매우 매력 적인 물질이다 [1-5]. 위와 같은 뛰어난 물성을 포함하는 소자를 구현하기 위해서는 고품질의 GaN 기판이 요구되지만 제작하기가 매우 어렵다. | |
이종기판 사용 시 성장과 냉각공정에서 108cm-2 정도의 높은 쓰레딩 전위 밀도를 가진 GaN 기판이 만들어지는 이유는? | 많은 연구그룹에서 GaN 기판은 고가이기 때문에 사파이어, SiC 등 이종기판을 소자에 응용 및 기판 개발 중이다. 이종기판을 사용하면 열팽창계수 및 격자상수 차이로 인해 성장과 냉각공정에서 108cm-2 정도의 높은 쓰레딩 전위 밀도를 가진 GaN 기판이 만들어진다. 이런 문제점을 해결하기 위해 SAG (selective area growth) [6], ELOG (epitaxial lateral overgrowth) [7]와 MELO (maskless ELO) [8] 같은 성장 기술이 지속적으로 연구 개발 중에 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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