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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 산학협력단 HanYang University |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-01 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201600011349 |
과제고유번호 | 1415125390 |
사업명 | 부품소재산업경쟁력향상(소재부품기술개발) |
DB 구축일자 | 2016-11-19 |
키워드 | 갈륨나이트라이드.화학증착법.발광다이오드.레이저다이오드.전자소자.GaN.HVPE.LED.LD. |
핵심기술
HVPE 결정성장법에 의한 고품위 (곡률반경 10 m, 전위밀도 105·cm-2), 대구경 (6인치) 단결정 성장 및 기판 제조기술
최종목표
1. 단결정 성장
Polar GaN
- 직경 6 인치
- 곡률반경 > 10 m
- 전위밀도: 1×105·㎝-2
- n-type doping > 2×1018·㎝-3
Non polar GaN
- 직경 4 인치<
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