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불규칙 패턴 에칭에 의한 표면 형상 제어와 광학적 특성
Optical Property and Surface Morphology Control by Randomly Patterned Etching 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.30 no.12, 2017년, pp.800 - 805  

김성수 ((주)가인공영) ,  이정우 (신한대학교 에너지환경공학과) ,  전법주 (신한대학교 에너지환경공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Randomly patterned and wet chemical etching processes were used to treat anti-glare of display cover glasses. The surface and optical properties of grain size and surface morphology controlled by randomly patterned etching and wet chemical solution etching were investigated. The surface morphology a...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서 본 연구에서는 디스플레이 글라스의 antiglare 표면처리를 위해 습식화학에칭 방식을 적용한 불규칙 스크린 패턴 에칭과 2차 용액표면 에칭을 수행하고 grain size 제어와 불규칙 패턴 에칭에 따른 표면 morphology의 변화인 표면특성과 광학적 특성을 비교하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
대표적으로 제시된 유리 표면처리 방식의 건식에칭과 습식에칭 방법은? 유리 표면처리는 반도체 공정에서 Si와 SiO2 에칭을 위한 연구들을 기초로 하여 다양한 방식의 건식에칭과 습식에칭 방법이 제시되어 왔다 [1-7]. 대표적인 에칭 방식으로는 건식방식의 이온 에칭(ion etching)과 화학반응을 동반한 반응성 이온 에칭(reactive ion etching, RIE) 공정이 있으나 소형면적에 국한되어 대면적 적용에는 masking 공정의 어려움과 낮은 식각속도(etching rate, ER)뿐만 아니라 경제적 문제로 인하여 적용하는 데 한계가 있다. 습식에칭은 빠른 ER과 경제성으로 인하여 대면적 처리와 대량생산에 많이 적용되고 있다. 가장 대표적인 양산공정으로는 대형 판유리를 에칭용액상에 직접 deeping하여 반응 시간에 따라 표면 형상을 제어하는 방식과 에칭용액을 표면에 직접 스프레이 분사하여 처리하는 방식이 적용되고 있다 [7,8].
무반사(anti glare) 표면처리는 어떤 조건에 따라 표면 형상이 다르게 나타나는가? 무반사(anti glare) 표면처리는 1차 겔 상태의 에칭액으로 표면처리 후 표면에 생성된 미세입자를 2차 에칭용액에 의해 처리되는 에칭조건에 따라 표면 형상이 다르게 나타난다. 특히 2차 에칭용액의 농도와 에칭용액의 분사속도는 grain의 생성과 처리된 유리 표면에서 표면을 손상시킬 수 있어 결함을 줄이는 데 중요하다.
무반사(anti glare) 표면처리된 유리는 어디에 적용되고 있는가? 무반사(anti glare) 표면처리된 유리는 전자칠판의 선명한 이미지 전달을 위해 적용되어 왔으나 최근 소형 portable 디스플레이 기기부터 옥외용 대형 광고용으로 확대 적용되고 있다. 유리 표면처리는 반도체 공정에서 Si와 SiO2 에칭을 위한 연구들을 기초로 하여 다양한 방식의 건식에칭과 습식에칭 방법이 제시되어 왔다 [1-7].
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참고문헌 (9)

  1. S. Verhaverbeke, I. Teerlinck, C. Vinckier, G. Stevens, R. Cartuyvels, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 141, 2852 (1994). [DOI: https://doi.org/10.1149/1.2059243] 

  2. M. Sekine, Appl. Surf. Sci., 192, 270 (2002). [DOI: https://doi.org/10.1016/S0169-4332(02)00031-4] 

  3. J. K. Kang and C. B. Musgrave, J. Chem. Phys., 116, 275 (2002). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.1420729] 

  4. T. E. Myers, S. Shanmugam, T. S. Alan, M. J. Towner, K. W. Uhlig, and L. Zhang, U.S. 20130299452 A1, 14 November, 2013. 

  5. E. Wang and Y. Zhao, Opt. Lett., 39, 3748 (2014). [DOI: https://doi.org/10.1364/OL.39.003748] 

  6. V. Bliznetsov, H. M. Lin, Y. J. Zhang, and D. Johnson, J. Micromech. Microeng., 25, 087002 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1088/0960-1317/25/8/087002] 

  7. C. T. Lee, Appl. Chem. Eng., 27, 101 (2016). [DOI: https://doi.org/10.14478/ace.2016.1005] 

  8. G.A.C.M. Spierings, J. Mater. Sci., 28, 6261 (1993). [DOI: https://doi.org/10.1007/BF01352182] 

  9. S. S. Kim, J. S. Hwang, and B. J. Jeon, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 28, 607 (2015). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2015.28.9.607] 

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