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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.27 no.6, 2017년, pp.275 - 281
배숭근 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 전인준 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 양민 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 이삼녕 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 안형수 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 전헌수 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 김경화 (한국해양대학교 전자소재공학과) , 김석환 (안동대학교 물리학과)
AlN is a promising material for wide band gap and high-frequency electronics device due to its wide bandgap and high thermal conductivity. AlN has advantages as materials for power semiconductors with a larger breakdown field, and a smaller specific on-resistance at high voltage. The growth of a p-t...
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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AlN의 장점은? | AlN는 넓은 밴드 갭 및 높은 열전도율로 인해 넓은 밴드 갭 및 고주파 전자 소자로 유망한 재료이다. AlN은 전력 반도체의 재료로서 더 큰 항복전압과 고전압에서의 더 작은 특성저항의 장점을 가지고 있다. 높은 전도도를 갖는 p형 AlN 에피층의 성장은 AlN 기반 응용 제품 제조에 중요하다. | |
AlN란? | AlN는 넓은 밴드 갭 및 높은 열전도율로 인해 넓은 밴드 갭 및 고주파 전자 소자로 유망한 재료이다. AlN은 전력 반도체의 재료로서 더 큰 항복전압과 고전압에서의 더 작은 특성저항의 장점을 가지고 있다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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