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[국내논문] 안티-바운드리 스위칭 디지털 지연고정루프
An Anti-Boundary Switching Digital Delay-Locked Loop 원문보기

전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.21 no.4, 2017년, pp.416 - 419  

윤준섭 (Dept. of Electronic & Electrical Engineering, Hongik University) ,  김종선 (Dept. of Electronic & Electrical Engineering, Hongik University)

초록
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본 논문에서는 고속 DDR3/DDR4 SDRAM을 위한 새로운 디지털 지연고정루프 (delay-locked loop: DLL)를 제안한다. 제안하는 디지털 DLL은 디지털 지연라인의 boundary switching 문제에 의한 jitter 증가 문제를 제거하기 위하여 위상보간 (phase interpolation) 방식의 파인지연라인 (fine delay line)을 채택하였다. 또한, 제안하는 디지털 DLL은 harmonic lock 문제를 제거하기 위하여 새로운 점진직 검색 (gradual search) 알고리즘을 사용한다. 제안하는 디지털 DLL은 1.1V, 38-nm CMOS DRAM 공정으로 설계되었으며, 0.25-2.0 GHz의 주파수 동작 영역을 가진다. 2.0 GHz에서 1.1 ps의 피크-투-피크 (p-p) 지터를 가지며, 약 13 mW의 전력소모를 가진다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we propose a new digital delay-locked loop (DLL) for high-speed DDR3/DDR4 SDRAMs. The proposed digital DLL adopts a fine delay line using phase interpolation to eliminate the jitter increase problem due to the boundary switching problem. In addition, the proposed digital DLL utilizes ...

Keyword

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 DDR3와 DDR4 SDRAM에서 모두 동작할 수 있는 디지털 DLL을 제안한다. 제안하는 DLL은 새로운 구조의 디지털 DCDL을 이용하여 CDL과 FDL의 mismatch에 의한 boundary switching 문제를 해결하여 jitter 특성을 개선하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
디지털 DLL의 설계에서 이러한 CDL과 FDL의 mismatch의 발생은 어떤 문제를 일으킬 수 있는가? 하지만, CDL을 구성하는 지연셀의 구조와 FDL을 구성하는 회로는 구조적으로 매우 다르기 때문에 공정, 동작전압 및 온도 (Process, Voltage, and Temperature: PVT) 변화 등의 요인으로 인해 tDC와 tDF값은 동작 코너에 따라 최대 30% 이상의 mismatch가 생길 수 있다. 디지털 DLL의 설계에서 이러한 CDL과 FDL의 mismatch는 boundary switching 문제를 야기하며, 디지털 DLL의 jitter 특성을 저하시키는 주요인이 된다 [1][2].
디지털 지연고정루프란 무엇인가? 디지털 지연고정루프 (delay-locked loop: DLL)는 DDR2/DDR3/DDR4 SDRAM 메모리에서 입력클럭신호의 phase skew를 보정하여 메모리 시스템의 성능을 향상시키기 위해 필수적으로 쓰이는 클럭킹 회로이다. 컴퓨팅 시스템이 필요로 하는 bandwidth가 계속적으로 증가하고 있기 때문에, 속도향상을 위한 디지털 DLL의 성능개선이 지속적으로 요구되고 있는 상황이다.
CDL의 블록도는 어떻게 구성되는가? 그림2는 제안하는 CDL의 블록도를 보여준다. CDL은 지연셀 블록(Delay Cell Block), 선택 블록(Selection Block), 인에이블 신호 발생기(Enable Signal Generator)로 구성된다. 지연셀 블록은 총 64개의 지연셀로 구성되며, 선택 블록은 두 개의 32:1 멀티플렉서 (MUX)로 구성된다. 인에이블 신호 발생기는 2진 코드 C0[4:0]과 C1[4:0] 신호를 입력으로 받아 EN[63:0] 신호를 선택적으로 발생시킨다.
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참고문헌 (7)

  1. J. Lim, et al, "A delay locked loop with a feedback edge combiner of duty-cycle corrector with a 20%-80% input duty cycle for SDRAMs," IEEE Trans. Circuits Syst. II, 63, 2016, pp. 141-145. DOI: 10.1109/TCSII.2015.2468911 

  2. S. Han and Jongsun Kim, "A high-resolution wide-range dual-loop digital delay-locked loop using a hybrid search algorithm," IEEE Asian Solid State Circuits Conference (A-SSCC), 2012, pp. 293-296. DOI: 10.1109/IPEC.2012.6522683 

  3. J. Yoon, S. Heo, and Jongsun Kim, "A fast-locking harmonic-free digital DLL for DDR3 and DDR4 SDRAMs," IEICE Electronics Express, vol. 14, pp.1-10, 2017. DOI:10.1587/elex.13.20161020 

  4. Lei Wang, , et al., "An implementation of fast-locking and wide-range 11-bit reversible SAR DLL," IEEE Trans. Circuits Syst. II, vol. 57, pp. 421, 2010. DOI:10.1109/TCSII.2010.2048379 

  5. R. Yang and S. Liu, "A 40-550 MHz harmonic-free all-digital delay locked loop using a variable SAR algorithm," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 42, pp. 361, 2007. DOI:10.1109/JSSC.2006.889381 

  6. Ji-Hoon Lim, et al., "A Delay Locked Loop With a Feedback Edge Combiner of Duty-Cycle Corrector With a 20%-80% Input Duty Cycle for SDRAMs," IEEE Trans. Circuits Syst. II, 63, 2016, pp. 141. DOI:10.1109/TCSII.2015.2468911 

  7. Lei Wang, et al., "An implementation of fast-locking and wide-range 11-bit reversible SAR DLL," IEEE Trans. Circuits Syst. II, 57, 2010, pp. 421. DOI:10.1109/TCSII.2010.2048379 

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