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정전척 표면의 세라믹물질 적층 순서에 따른 온도 특성에 관한 연구
A Study on Temperature Characteristics according to Ceramic Material Stacking Sequence of Electrostatic Chuck Surface 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.16 no.3, 2017년, pp.116 - 120  

장경민 (한국기술교육대학교 대학원 메카트로닉스공학과) ,  김광선 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Temperature uniformity of a wafer in a semiconductor process is a very important factor that determines the overall yield. Therefore, it is very important to confirm the temperature characteristics of the chuck surface on which the wafer is lifted. The temperature characteristics of the chuck depend...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 척의 상부 표면은 웨이퍼와 직접 접촉하기 때문에, 이 부분의 온도 프로파일은 웨이퍼의 온도 프로파일과 밀접한 연관이 있다. 본 연구는 정전 척 상부에 PI Heater, AlN, Al2O3를 올렸을 때, 그 순서 및 두께에 따른 온도 특성을 시뮬레이션을 통하여 파악하는 것이 목적이다.
  • 본 연구에서는 정전척의 표면 세라믹 물질의적층 순서 및 두께에 따른 표면 온도 특성의 변화를 확인하였다. 온도의 변화가 가장 빠른 경우는 CASE 1이며, 가장 느린 경우는 CASE 3이다.
  • 본 연구에서는 척 표면에 적층되는 세라믹 물질의 적층 순서에 따른 척의 온도 균일도에 미치는 영향을 CFD(Computational Fluid Dynamics)를 이용하여 확인하고, 가장 좋은 적층 방식을 제안한다.

가설 설정

  • 식 (2)는 유동에 대한 질량 보존 방정식이다. 본 연구에서 Sm은 0으로 가정하였다.
  • 본 연구에서는 챔버를 포함한 전체 모델의 열전달을 시뮬레이션 한다. 열원은 Heating lamp로 2000W의 에너지를 발생하며 챔버 내벽은 단열로 가정하였다. 냉매(R501a)의 입구 유량과 온도는 각각 0.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
웨이퍼 이송 및 고정에 어떤 장비가 사용되는가? 반도체 제품 생산 분야에서 수율의 향상은 웨이퍼 대구경화 및 소자의 고집적화로 달성되며, 이를 위한 반도체 공정 기술 또한 빠르게 발전하고 있다. 반도체 공정 중 웨이퍼 이송 및 고정에 척(chuck)이라는 장비가 사용된다. 척을 사용하여 웨이퍼를 밀착시킴으로써, 균일한 공정처리가 가능하게 하며, 파티클의 발생을 최소화 할 수 있다[1].
반도체 제품 생산 분야에서 수율의 향상은 무엇으로 달성되는가? 반도체 제품 생산 분야에서 수율의 향상은 웨이퍼 대구경화 및 소자의 고집적화로 달성되며, 이를 위한 반도체 공정 기술 또한 빠르게 발전하고 있다. 반도체 공정 중 웨이퍼 이송 및 고정에 척(chuck)이라는 장비가 사용된다.
반도체 공정 중 웨이퍼 이송 및 고정에 척이라는 장비를 사용하는 이유는? 반도체 공정 중 웨이퍼 이송 및 고정에 척(chuck)이라는 장비가 사용된다. 척을 사용하여 웨이퍼를 밀착시킴으로써, 균일한 공정처리가 가능하게 하며, 파티클의 발생을 최소화 할 수 있다[1]. 척은 웨이퍼를 고정하는 방법에 따라 몇 가지로 분류되는데, 진공 흡착 방식을 사용하는 진공척, 정전력을 사용하는 정전척, 베르누이 원리에 의한 비접촉 웨이퍼 척 등이 있다.
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참고문헌 (5)

  1. K. Asano, F. Hatakeyama, and K. Yatsuzuka, "Fundamental Study of an electrostatic chuck for silicon wafer handling", IEEE Transaction On Industry Application, Vol. 38, No. 3, 2002. 

  2. L.D. Hartsough, "Electrostatic Wafer Holding", Solid State Tech. 35, No. 1, pp. 87-90, 1993. 

  3. S. A. Khomyakov, "Attraction and Accuracy Characteristic of Electrostatic Chucks", Machines and Tooling 50, No. 3, pp.24-24, 1979. 

  4. Tretheway, D. and Aydil, E.S., "Modeling of Heat Transport and Wafer Healing Effects during Plasma Etching", J. Electrochem. Soc., Vol. 143, pp.3674-3680, 1996. 

  5. Suhas V. Patankar (1980), Numerical Heat Transfer and Fluid Flow, McGrow-Hill Book Company. 

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