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반응 용기법을 이용한 InP/ZnS 양자점 합성과정에서 InP 코어의 성장기구
Growth mechanism of InP and InP/ZnS synthesis using colloidal synthesis 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.24 no.1, 2017년, pp.6 - 10  

서한욱 (한국생산기술연구원 한국희소금속산업센터) ,  정다운 (한국생산기술연구원 한국희소금속산업센터) ,  이빈 (한국생산기술연구원 한국희소금속산업센터) ,  현승균 (인하대학교 재료공정공학부) ,  김범성 (한국생산기술연구원 한국희소금속산업센터)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This study investigates the main growth mechanism of InP during InP/ZnS reaction of quantum dots (QDs). The size of the InP core, considering a synthesis time of 1-30 min, increased from the initial 2.56 nm to 3.97 nm. As a result of applying the proposed particle growth model, the migration mechani...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 Core 양자점으로 사용되는 InP의 성장기구를 이해하기 위하여 합성온도를 고정하고, 합성시간에 따른 InP의 크기를 측정하여 시간지수를 도출하였다. 또한, Core의 합성이 종료된 후 잔류한 인듐(In), 인(P) 전구체를 제거하여 추가적인 Core의 반응없이 Shell을 합성하는 조건에서 Core의 추가적인 시간지수를 도출하고자 하였다. 이를 통해 양자점의 발광 파장과 광학적 특성을 결정짓는 InP의 성장기구 고찰을 통해 광흡수 및 발광 거동을 관찰하였다.
  • 즉, 높은 양자효율을 갖는 InP를 위해서는 Core의 합성반응에서 입자의 성장기구와 Shell의 합성반응 과정에서 추가적인 Core의 성장기구를 이해하는 것이 중요하다. 본 연구에서는 Core 양자점으로 사용되는 InP의 성장기구를 이해하기 위하여 합성온도를 고정하고, 합성시간에 따른 InP의 크기를 측정하여 시간지수를 도출하였다. 또한, Core의 합성이 종료된 후 잔류한 인듐(In), 인(P) 전구체를 제거하여 추가적인 Core의 반응없이 Shell을 합성하는 조건에서 Core의 추가적인 시간지수를 도출하고자 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
양자 구속효과를 갖는 양자점을 의학, 광학, 전자소자 분야에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있는 이유는? 나노 크기를 갖는 반도체 입자 중에서 양자 구속효과를 갖는 양자점은 그 크기에 따라 가시광선에서 자외선 영역까지 발광 파장 조절이 가능하여 의학, 광학, 전자소자 분야에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다[1-3]. 최근까지 가시광선영역에서 발광파장의 조절이 가능한 양자점인 CdSe가 가장 많이 연구되어 왔지만, 전 세계적인 물질규제 정책과 환경문제에 대응하기 위해 Cd을 대체한 비카드뮴계(Cd-free) 반도체 양자점 개발이 주목 받고 있다[4].
비카드뮴계(Cd-free) 반도체 양자점 개발이 주목 받고 있는 이유는? 나노 크기를 갖는 반도체 입자 중에서 양자 구속효과를 갖는 양자점은 그 크기에 따라 가시광선에서 자외선 영역까지 발광 파장 조절이 가능하여 의학, 광학, 전자소자 분야에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다[1-3]. 최근까지 가시광선영역에서 발광파장의 조절이 가능한 양자점인 CdSe가 가장 많이 연구되어 왔지만, 전 세계적인 물질규제 정책과 환경문제에 대응하기 위해 Cd을 대체한 비카드뮴계(Cd-free) 반도체 양자점 개발이 주목 받고 있다[4]. 특히 Cd의 유해성에 대한 논란을 피하기 위한 비카드뮴계 양자점으로서 주목 받고 있는 InP, ZnSe 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
InP 양자점의 발광 피크(Peak)가 관찰 되지 않은 이유는? InP 양자점의 발광 피크(Peak)가 관찰 되지 않았다. 이것은 서론에서 설명한 것과 같이 Core의 전도대(Conduction band)와 가전자대(Valence band)사이의 에너지를 가진 홀 전자(Lone pair electron)에 의해 전하가 트랩 되는 표면결함이 발생하기 때문에 발광하지 않는 것으로 판단된다[11].
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참고문헌 (15)

  1. V. L. Colvin, M. C. Schlamp and A. P. Alivisatos: Nature, 370 (1994) 354. 

  2. H. S. Hong, K. S. Park, C. G. Lee, B. S. Kim, L. S. Kang and Y. H. Jin: J. Korean Powder Metall. Inst., 19 (2012) 451. 

  3. J. Lovric, S. J. Cho, F. M. Winnik and D. Maysinger: Chem. Biol., 12 (2005) 1227. 

  4. O. I. Micic, C. J. Curtis, K. M. Jones, J. R. Sprague and A. J. Nozik: J. Phys. Chem., 98 (1994) 4966. 

  5. S. Haubold, M. Haase, A. Kornowski and H. Weller : Chem. Phys. Chem., 2 (2001) 331. 

  6. S. Adam, D. V. Talapin, H. Borchert, A. Lobo, C. McGinley, A. R. B. de Castro, M. Haase, H. Weller and T. Moller : J. Chem. Phys., 123 (2005) 084706. 

  7. W. S. Song, H. S. Lee, J. C. Lee, D. S. Jang, Y. Choi, M. Choi and H. Yang: J. Nanopart. Res., 15 (2013) 1750. 

  8. W. W. Yu, L. H. Qu, W. Guo and X. G. Peng: Chem. Mater., 15 (2003) 2854. 

  9. O. I. Micic, H. M. Cheong, H. Fu, A. Zunger, J. R. Sprague, A. Mascarenhas and A. J. Nozik: J. Phys. Chem. B, 101 (1997) 4904. 

  10. K. Fuwa and B. L. Valle: Anal. Chem., 35 (1963) 942. 

  11. J. D. Dow and R. E. Allen: J. Vac. Sci. Technol. B, 20 (1982) 659. 

  12. B. S. Kim, J. S. Lee, S. T. Oh, Y. H. Choa, T. Sekino and K. Niihara: J. Korean Powder Metall. Inst., 7 (2000) 237. 

  13. P. J. F. Harris, E. D. Boyes and J. A. Cains: J. Catal., 82 (1983) 127. 

  14. U. T. D. Thuy, A. Maurice, N. Q. Liem and P. Reiss: Dalton Trans., 42 (2013) 12606. 

  15. R. Xie, Z. Li and X. Peng: J. Am. Chem. Soc., 131 (2009) 15457. 

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