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인라인 마그네트론 스퍼티링에 의한 ITO/Ag/ITO 다층 구조 투명전극의 최적화에 관한 연구
A Study on the Optimization of the ITO/Ag/ITO Multilayer Transparent Electrode by Using In-line Magnetron Sputtering 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.30 no.3, 2017년, pp.162 - 169  

이승용 (가천대학교 전자공학과) ,  윤여탁 (가천대학교 전자공학과) ,  조의식 (가천대학교 전자공학과) ,  권상직 (가천대학교 전자공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Indium tin oxide (ITO) thin films show a low sheet resistance and high transmittance in the visible range of the spectrum. Therefore, they play an important role as transparent electrodes for flat panel displays. However, their resistivity is rather high for use as a transparent electrode in large d...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 투명합성전극의 기본적인 등가회로는 그림 2와 같다. 따라서 본 연구에서는 ITO 박막을 이용하여 ITO/Ag/ITO 다층박막을 제작하였다. ITO/Ag/ITO 다층박막은 금속(Ag)의 삽입으로 상온에서 낮은 면저항과 높은 투과도를 갖는다.
  • 변화에 따른 전기적 광학적 특성 ITO/Ag/ITO 다층막을 사용하는 근본 목적은 ITO 상, 하부 층의 가운데에 고전도성 물질인 Ag 층을 삽입함으로써 낮은 전기전도도를 보완하는데 목적이 있다. 따라서 ITO 층은 가능한 투과도를 높일 수 있는 조건을 찾는 것이 중요하다.
  • 연구에서는 디스플레이에 가장 많이 사용되고 있는 ITO의 전기적 특성을 향상시키기 위하여 중간층에 Ag층을 삽입하여 투명합성전극을 제작하는 실험을 수행하였다. ITO/Ag/ITO 다층막의 최적의 두께를 확인하기 위해 ITO 단일막과 Ag 단일막의 두께 변화에 따른 전기적, 광학적 특성을 확인하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
ITO 성능 이상을 만족할만한 차세대 투명전극 물질에 대한 연구가 진행 중인 이유는 무엇인가? 7 eV 이상의 밴드갭을 가진 n-형(ntype) 반도체로서, 우수한 투명전극 소재이다 [2]. 하지만 13인치 이상의 대형 터치스크린 제작시 높은 면저항으로 인해 ITO 성능 이상을 만족할만한 새로운 투명전극 개발 필요성이 대두되었다. 최근에는 Ag nanowires, graphene, CNT 등 차세대 투명전극 물질에 대한 연구가 진행 중이다.
TCE가 ITO 단일막을 대체할 수 있는 기술로 각광받는 이유는 무엇인가 최근에는 Ag nanowires, graphene, CNT 등 차세대 투명전극 물질에 대한 연구가 진행 중이다. 또한 기존의 물질을 이용하여 새로운 방식으로 제작하는 방법도 연구 중에 있는데, 그중 TCE (transparent composite electrode)는 대면적화 시 낮은 면저항, 높은 투과도를 확보할 수 있고 산화물 재료가 다양하기 때문에 ITO 단일막을 대체할 수 있는 기술로 각광받고 있다. 그림 1에서 보여주는 바와 같이 투명합성전극은 TCO 층 사이에 얇은 금속 층을 삽입함으로써 제작하며, 일반적인 투명합성전극의 전체 면저항은 금속 층의 면저항에 의해 결정된다 [3].
투명 전도성 산화물의 장점은 무엇인가? 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)은 넓은 밴드갭, 낮은 저항값, 가시영역에서 높은 투과율로 인해 터치스크린, 디스플레이 패널, 태양전지 등에 이용되고 있다. 투명 전도성 산화물은 디스플레이에서 중요한 위치를 차지하고 있다 [1].
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참고문헌 (7)

  1. B. G. Lewis and D. C. Paine, MRS Bull., 25, 22 (2000). [DOI: https://doi.org/10.1557/mrs2000.147] 

  2. T. Minami, Thin Solid Films, 516, 5822 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.10.063] 

  3. B. G. Lewis and D. C. Paine, MRS Bull., 25, 22 (2000). [DOI: https://doi.org/10.1557/mrs2000.147] 

  4. C. C. Fan, J. Bachner, H. Foley, and M. Zavracky, Appl. Phys. Letts., 25, 693 (1974). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.1655364] 

  5. H. Jeon, V. P. Verma, K. Noh, D. H. Kim, W. Choi, and M. Jeon, J. Korean Vacuum Soc., 6, 359 (2007). [DOI: https://doi.org/10.5757/JKVS.2007.16.5.359] 

  6. S. H. Jeong, S. B. Lee, and J. H. Boo, Curr. Appl. Phys., 4, 655 (2004). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.cap.2003.11.065] 

  7. H. Kim and J. Kim, J. Korean Vacuum Soc., 14, 238 (2005). 

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