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Suppression of silicon clusters using a grid mesh under DC bias 원문보기

한국마린엔지니어링학회지 = Journal of the Korean Society of Marine Engineering, v.41 no.2, 2017년, pp.146 - 149  

Kim, Yonwon (Division of Marine Mechatronics, Mokpo National Maritime University) ,  Kang, Jun (Division of Marine Engineering, Korea Maritime and Ocean University)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Si clusters generated during the plasma chemical vapor deposition (CVD) process have a great influence on the quality of the fabricated films. In particular, in hydrogenated amorphous silicon thin films (a-Si:H) used for thin film solar cells, Si clusters are mainly responsible for light-induced deg...

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  • This is because the SiH* intensity is proportional to the rate of radical generation due to electron collision dissociation of SiH4. As shown in Figure 3 (a), the intensity of SiH* remained almost constant with the grid bias change. The Si*/SiH* value represents the high-energy tail of the EEDF, as described above, which represents the electron temperature.
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참고문헌 (16)

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