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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.30 no.2, 2017년, pp.115 - 118
Highly photosensitive and wide bandgap amorphous silicon oxide (a-
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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비정질실리콘 및 미세결정 실리콘 태양전지가 넓은 영역의 태양광 스펙트럼을 흡수할 수 있는 이유는 무엇인가? | 실리콘 박막 태양전지는 단일접합 뿐만 아니라 다양한 밴드갭의 조합을 통해서 적층 구조의 구현을 통해서 고효율을 구현할 수 있다는 장점이 있어서 대면적 고효율 태양전지로서 주목을 받고 있다. 비정질실리콘(hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H) 태양전지 및 미세결정 실리콘(nanocrystalline silicon, nc-Si:H) 태양전지는 적층형 구조에서 각각 상부와 하부에 위치하여 넓은 영역에서의 태양광 스펙트럼을 흡수할 수 있다 [1-3]. 단파장 대역에서 더 높은 흡수 특성을 갖추기 위해서 밴드갭을 더 높인 광흡수층은 소자의 출력특성 측면에서 볼 때, 개방전압(Voc, open circuit voltage)의 향상에도 도움이 되기 때문에 여러 부분에서 필요한데, 산소를 첨가하여 제작한 비정질실리콘(a-SiOx:H)은 밴드갭을 더 높여서 수 있어서 대표적으로 연구가 진행되어 왔다. | |
실리콘계 태양전지에서 밴드갭을 더 높인 광흡수층이 필요한 이유는 무엇인가? | 비정질실리콘(hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H) 태양전지 및 미세결정 실리콘(nanocrystalline silicon, nc-Si:H) 태양전지는 적층형 구조에서 각각 상부와 하부에 위치하여 넓은 영역에서의 태양광 스펙트럼을 흡수할 수 있다 [1-3]. 단파장 대역에서 더 높은 흡수 특성을 갖추기 위해서 밴드갭을 더 높인 광흡수층은 소자의 출력특성 측면에서 볼 때, 개방전압(Voc, open circuit voltage)의 향상에도 도움이 되기 때문에 여러 부분에서 필요한데, 산소를 첨가하여 제작한 비정질실리콘(a-SiOx:H)은 밴드갭을 더 높여서 수 있어서 대표적으로 연구가 진행되어 왔다. | |
실리콘 박막 태양전지의 장점은 무엇인가? | 실리콘 박막 태양전지는 단일접합 뿐만 아니라 다양한 밴드갭의 조합을 통해서 적층 구조의 구현을 통해서 고효율을 구현할 수 있다는 장점이 있어서 대면적 고효율 태양전지로서 주목을 받고 있다. 비정질실리콘(hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H) 태양전지 및 미세결정 실리콘(nanocrystalline silicon, nc-Si:H) 태양전지는 적층형 구조에서 각각 상부와 하부에 위치하여 넓은 영역에서의 태양광 스펙트럼을 흡수할 수 있다 [1-3]. |
S. Kim, J. W. Chung, H. Lee, J. Park, Y. Heo, and H. M. Lee, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 119, 26 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2013.04.016]
J. W. Schuttauf, B. Niesen, L. Lofgren, M. Bonnet-Eymard, M.Stuckelberger, S. Hanni, M. Boccard, G. Bugnon, M. Despeisse, F. J. Haug, F. Meillaud, and C. Ballif, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 133, 163 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2014.11.006]
G. W. Shu, J. Y. Lin, H. T. Jian, J. L. Shen, S. C. Wang, C. L. Chou, W. C. Chou, C. H. Wu, C. H. Chiu, and H. C. Kuo, Opt. Express, 21, A123 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1364/OE.21.00A123]
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J. Sritharathikhun, A. Moollakorn, S. Kittisontirak, A. Limmanee, and K. Sriprapha, Curr. Appl. Phys., 11, S17 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.11.100]
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D. W. Kang, P. Sichanugrist, and M. Konagai, Electron. Mater. Lett., 12, 451 (2016). [DOI: https://doi.org/10.1007/s13391-016-4005-0]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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