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NTIS 바로가기한국가스학회지 = Journal of the Korean institute of gas, v.21 no.6, 2017년, pp.52 - 60
양원백 (한국교통대학교 대학원 안전공학전공) , 임종국 (한국교통대학교 대학원 안전공학전공) , 홍성민 (인하대학교 대학원 환경안전융합전공)
In diffusion process exhaust line during semiconductor manufacturing process, In order to improve the transportation efficiency in the piping by removing "The reaction by-product,
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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반도체 제조공정은 어떻게 분류되는가? | (1) 확산(Diffusion)공정은 고온의 전기로(확산로) 내에서 웨이퍼에 불순물(dopant)을 확산시켜 반도체 층 일부분의 전도형태를 변화시키는 공정으로,암모니아, 아르신(삼수소화비소), 포스핀, 디클로로실란, 불소, 수소, 일산화질소, 아산화질소, 옥시염화인, 실란, TEMAZ (Tetrakis Ethyl Methyl Amino Zirconium), 세척액(이소프로필알콜, 불산 등)을 사용하며 불산, 황산 등의 산류 또는 암모니아수 등의 알칼리류에 접촉할 경우 화상의 위험과 아르신, 포스핀 등 독성가스에 의한 급성중독의 위험이 있고,실란, TEMAZ, 이소프로필알콜 등에 의한 화재․폭발 위험이 있다. (2) 포토(photolithography)공정은 웨이퍼에 회로 패턴을 형성시키는 공정으로, 반도체 웨이퍼에 감광 성질을 가지고 있는 포토레지스트(PR)를 도포한후, 마스크 패턴을 올려놓고 UV(자외선) 등의 빛을 쬐어 회로패턴을 얻는 공정이다. 2-헵타논, 사이클로헥사논, 에틸벤젠, 에틸락테이트, IPA(이소프로필알콜), 1-메톡시-2-프로판올 (PGM E), 2-메톡시-1-프로판올(β-PGME), 1-메톡시-2-프로필아세테이트 (PGMEA),2-메톡시-1-프로필 아세테이트 (β-PGMEA) 등을 사용함으로서 포토레지스트 (PR) 등에 의한 화재․발위험이 있다. (3) 식각(etch)공정은 포토공정에서 구성한 회로를 완성하기 위해 불필요한 부분을 제거해주는 공정으로서, 무기산 및 염기성 물질을 이용하여 식각하는 습식식각 방식과 반응성 가스 등을 이온화하여 식각될 표면과의 충돌 및 반응 등을 통해 식각하는 건식식각 방식이 있다. 식각공정에서는 불산,염산, 과산화수소, 질산, 황산, 암모니아수, 불화암모늄, 암모니아, 삼염화붕소, 일산화탄소, 사불화탄소, 황화카르보닐, 염소, 수소, 브롬화수소, 삼불화질소, 오존, 기타 할로겐화탄화수소, 세척액(이소프로필알콜 등) 등을 사용함으로서 불산, 황산 등의 산류 및 암모니아수 등의 알칼리류에 접촉 시 화상의 위험과 염소, 일산화탄소 등 독성가스에 의한 급성중독의 위험이 있고, 수소, 이소프로필알콜 등에 의한 화재․발위험이 있다. (4) 증착(deposition)공정은 웨이퍼 상에 화학적 또는 물리적 방법으로 전도성 또는 절연성 박막을 형성시키는 공정으로, 박막(thin film)공정이라고도하며 화학반응을 통해 박막을 형성하는 화학적 기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 방식과 기판상에 금속을 물리적으로 증착시키는 공정으로 금속배선이라고도 하는 물리적 기상증착(physical vapor deposition, PVD) 방식이 있다. 증착공정에서는 아세틸렌, 암모니아, 삼불화염소, 디보란, 디클로로실란, 수소, 염화수소, 불화수소, 삼불화질소,아산화질소, 오존, 포스핀, 실란, 사염화티타늄, 육불화텅스텐, 세척액(이소프로필알콜 등) 등을 사용함으로서 염화수소, 포스핀 등 독성가스에 의한 급성중독의 위험이 있고 아세틸렌, 이소프로필알콜등에 의한 화재․폭발위험이 있다. (5) 이온주입(ion implantation)공정은 반도체에 전도성을 부여하기 위해 웨이퍼에 불순물을 주입하는 공정으로, 이온주입 장비를 이용하여 입자를 가속시켜 웨이퍼에 주입하는 공정으로 아르신(삼수소화비소), 포스핀, 삼불화붕소 등을 사용함으로서 독성가스에 의한 급성중독의 위험과 이온주입장비에서 전리 방사선이 발생할 위험이 있으며, 부산물로서 아르신에서 파생 가능 화합물로는 비소 및 그 화합물 등이 있고 포스핀에서 파생 가능 화합물로는 인,수소 등이 있다. (6) 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 공정은 웨이퍼 표면에 생성된 산화막 등을 화학적 또는 물리적 방법으로 연마하여 평탄화하는 공정으로, 연마액(실리카, 산화세륨, 암모니아수, 수산화칼륨), 불산, 염산, 질산 등을 사용함으로서 불산, 질산 등의 산류 및 암모니아수 등의 알칼리류에 접촉 시 화상위험이 있다[5]. | |
배관파열사고 원인물질은 무엇인가? | 배관파열사고 원인물질은 원료물질의 미 반응물인 TEMAZ로 추정된다. TEMAZ는 흐릿한 노란색의 투명한 액체로서 공기, 물, 수분과 접촉하면 기체상의 에틸메틸아민(ethylmethylamine)과 함께 산화지르코늄과 수산화물을 형성하며, 즉시 반응을 | |
가속속도열량계은 무엇을 측정하는가? | 가속속도열량계(ARC:Accelerating Rate Calorimeter)를 사용하여 연구를 수행하였다. 가속속도열량계는 단열조건에서 물질의 열안정성을 측정하는 장비로 발열개시온도, 시간에 따른 온도변화, 시간 및 온도에 따른 압력변화, 자열 속도(Self Heating Rate), 최대 속도까지의 시간(TMR:Time to Maximum Rate) 등을 측정할 수 있다. 열안정성 실험에 사용된 가속속도열량계는 단열열량계로 영국의 THT(Thermal Hazard Technology)사에서 제작한 실험장비로 Fig. |
Shasha Zhang, David E. Speed and Susan T. Sharfstein "Reactivity of deposited byproducts generated from $ZrO_2$ atomic layer deposition", Journal of Loss Prevention in the Process Industries 45, 78-87, (2017)
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