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반도체 공정에서 TEMAZ폭발사고 사례연구
A Case Study on the TEMAZ Explosion Accident in Semiconductor Process 원문보기

한국가스학회지 = Journal of the Korean institute of gas, v.21 no.6, 2017년, pp.52 - 60  

양원백 (한국교통대학교 대학원 안전공학전공) ,  임종국 (한국교통대학교 대학원 안전공학전공) ,  홍성민 (인하대학교 대학원 환경안전융합전공)

초록
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반도체 제조공정 중 확산공정 배기라인에 "반응 부산물인 $ZrO_2$TEMAZ, TMA, $O_3$ 등 미반응 물질"과 "퇴적되어 있는 분체"를 제거하여 배관 내 운송효율을 높이고자 히터 자켓을 사용하여 배관온도를 $80^{\circ}C$이상으로 올리던 중 진공펌프 후단의 신축배관이 파열되는 사고가 발생하여 사례연구를 진행하였고 사례연구를 통해 동일한 사고가 발생하는 것을 예방하고자 한다. 사고원인을 분석해보면 진공펌프 흡입 측의 틈새발생으로 외부 공기 배관유입과 히터 자켓으로 배관을 가열함으로서 미 반응된 TEMAZ가 분해되어 발생하는 가스의 부피팽창으로 배관 내 과압이 발생하였고 배관 중에서도 가장 취약한 벨로우즈에서 파열된 것으로 추정할 수 있다. 이와 같은 사고를 예방하기 위하여 배관파열사고의 원인물질로 추정되는 TEMAZ에 대한 물리적 위험성을 평가하여 배관파열사고의 원인을 규명하고 동종재해를 예방하기 위한 안전대책을 수립하고자 하는데 목적이 있다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In diffusion process exhaust line during semiconductor manufacturing process, In order to improve the transportation efficiency in the piping by removing "The reaction by-product, $ZrO_2$ and The unreacted material, TEMAZ, TMA, $O_3$, etc" and "Powder being deposited", the pipi...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 2013년 SEMATECH와 뉴욕 주 유티카 주립대학(SUNY Polytechnic Institute)의 Nano-scale Science and Engineering 학과가 공동으로 반도체산업과 반도체 관련 산업에서 사용물질과 공정 관련된 사고이력을 찾아내는 연구를 실시하였다. 그 연구에 따르면 최근 5년 동안 발생했던 70건의 사고를 사고 근본원인분석 (RCA ; Root Cause Analysis)을통해 사용물질의 구매와 운송 그리고 폐기물의 취급과 처리까지 사용물질의 수명주기 동안 사고결과를 분석하였고 보고된 사고의 대부분은 Fig.
  • 그 중에 배관파열사고 원인추정물질로 추정되는TEMAZ와 반응부산물인 산화지르코늄에 대한 공기 접촉에 따른 위험성을 가속속도열량계(ARC)를 이용하여 조사하고 작성된 물리적 위험성 자료를 활용하여 배관파열사고의 원인을 규명하고 동종재해 예방을 하고자 실시한 것으로 얻어진 결론은 다음과 같다.
  • 배관파열사고가 발생한 공정의 가장 큰 문제점은 진공펌프에서 미 반응물과 반응부산물을 1차 스크러버로 보내는 과정에서 미 반응물과 반응부산물이 고형화 되어 배관을 막는 경우가 발생한다는 것이다. 따라서 고형물 축적에 의한 배관 막힘 때문에발생될 수 있는 배관파열사고와 같은 동종재해 발생을 예방하기 위한 대책을 다음과 같이 제시한다.
  • 본 연구는 반도체에 지르코늄을 증착하는 확산(Diffusion)공정의 후처리공정인 진공펌프 후단과 1차 스크러버 전단 배관에서 배관파열사고가 발생하였고 이사고의 원인물질로 추정되는 TEMAZ (Tetrakis Ethyl Methyl Amino Zirconium)에 대한 물리적 위험성을 평가하여 배관파열사고의 원인을 규명하고 동종재해 예방을 위한 안전대책을 수립하고자 하는데 목적이 있다.
  • 이에 본 연구에서는 반도체 제조공정에서의 잠재위험요인과 그 해결책을 찾기 위해서 반도체 제조공정의 특성과 위험성을 알아보고자 한다.

가설 설정

  • TEMAZ에 대한 열안정성 실험은 두 가지의 환경조건에서 공정상황을 가정하여 실시하였다. 하나는 배관 내에 체류하고 있는 미 반응물인 TEMAZ에 대하여 공기 등의 접촉에 의한 산화반응이 없는 상태인 질소분위기에서의 배관 내부의 온도상승에 의한 열적 위험성을 실험적으로 고찰하고, 다른 하나는 배관 내부에 공기 등의 유입으로 미 반응물인TEMAZ의 산화반응이 일어나는 공기분위기 상태에서의 열적 위험성을 실험적으로 고찰하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
반도체 제조공정은 어떻게 분류되는가? (1) 확산(Diffusion)공정은 고온의 전기로(확산로) 내에서 웨이퍼에 불순물(dopant)을 확산시켜 반도체 층 일부분의 전도형태를 변화시키는 공정으로,암모니아, 아르신(삼수소화비소), 포스핀, 디클로로실란, 불소, 수소, 일산화질소, 아산화질소, 옥시염화인, 실란, TEMAZ (Tetrakis Ethyl Methyl Amino Zirconium), 세척액(이소프로필알콜, 불산 등)을 사용하며 불산, 황산 등의 산류 또는 암모니아수 등의 알칼리류에 접촉할 경우 화상의 위험과 아르신, 포스핀 등 독성가스에 의한 급성중독의 위험이 있고,실란, TEMAZ, 이소프로필알콜 등에 의한 화재․폭발 위험이 있다. (2) 포토(photolithography)공정은 웨이퍼에 회로 패턴을 형성시키는 공정으로, 반도체 웨이퍼에 감광 성질을 가지고 있는 포토레지스트(PR)를 도포한후, 마스크 패턴을 올려놓고 UV(자외선) 등의 빛을 쬐어 회로패턴을 얻는 공정이다. 2-헵타논, 사이클로헥사논, 에틸벤젠, 에틸락테이트, IPA(이소프로필알콜), 1-메톡시-2-프로판올 (PGM E), 2-메톡시-1-프로판올(β-PGME), 1-메톡시-2-프로필아세테이트 (PGMEA),2-메톡시-1-프로필 아세테이트 (β-PGMEA) 등을 사용함으로서 포토레지스트 (PR) 등에 의한 화재․발위험이 있다. (3) 식각(etch)공정은 포토공정에서 구성한 회로를 완성하기 위해 불필요한 부분을 제거해주는 공정으로서, 무기산 및 염기성 물질을 이용하여 식각하는 습식식각 방식과 반응성 가스 등을 이온화하여 식각될 표면과의 충돌 및 반응 등을 통해 식각하는 건식식각 방식이 있다. 식각공정에서는 불산,염산, 과산화수소, 질산, 황산, 암모니아수, 불화암모늄, 암모니아, 삼염화붕소, 일산화탄소, 사불화탄소, 황화카르보닐, 염소, 수소, 브롬화수소, 삼불화질소, 오존, 기타 할로겐화탄화수소, 세척액(이소프로필알콜 등) 등을 사용함으로서 불산, 황산 등의 산류 및 암모니아수 등의 알칼리류에 접촉 시 화상의 위험과 염소, 일산화탄소 등 독성가스에 의한 급성중독의 위험이 있고, 수소, 이소프로필알콜 등에 의한 화재․발위험이 있다. (4) 증착(deposition)공정은 웨이퍼 상에 화학적 또는 물리적 방법으로 전도성 또는 절연성 박막을 형성시키는 공정으로, 박막(thin film)공정이라고도하며 화학반응을 통해 박막을 형성하는 화학적 기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 방식과 기판상에 금속을 물리적으로 증착시키는 공정으로 금속배선이라고도 하는 물리적 기상증착(physical vapor deposition, PVD) 방식이 있다. 증착공정에서는 아세틸렌, 암모니아, 삼불화염소, 디보란, 디클로로실란, 수소, 염화수소, 불화수소, 삼불화질소,아산화질소, 오존, 포스핀, 실란, 사염화티타늄, 육불화텅스텐, 세척액(이소프로필알콜 등) 등을 사용함으로서 염화수소, 포스핀 등 독성가스에 의한 급성중독의 위험이 있고 아세틸렌, 이소프로필알콜등에 의한 화재․폭발위험이 있다. (5) 이온주입(ion implantation)공정은 반도체에 전도성을 부여하기 위해 웨이퍼에 불순물을 주입하는 공정으로, 이온주입 장비를 이용하여 입자를 가속시켜 웨이퍼에 주입하는 공정으로 아르신(삼수소화비소), 포스핀, 삼불화붕소 등을 사용함으로서 독성가스에 의한 급성중독의 위험과 이온주입장비에서 전리 방사선이 발생할 위험이 있으며, 부산물로서 아르신에서 파생 가능 화합물로는 비소 및 그 화합물 등이 있고 포스핀에서 파생 가능 화합물로는 인,수소 등이 있다. (6) 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 공정은 웨이퍼 표면에 생성된 산화막 등을 화학적 또는 물리적 방법으로 연마하여 평탄화하는 공정으로, 연마액(실리카, 산화세륨, 암모니아수, 수산화칼륨), 불산, 염산, 질산 등을 사용함으로서 불산, 질산 등의 산류 및 암모니아수 등의 알칼리류에 접촉 시 화상위험이 있다[5].
배관파열사고 원인물질은 무엇인가? 배관파열사고 원인물질은 원료물질의 미 반응물인 TEMAZ로 추정된다. TEMAZ는 흐릿한 노란색의 투명한 액체로서 공기, 물, 수분과 접촉하면 기체상의 에틸메틸아민(ethylmethylamine)과 함께 산화지르코늄과 수산화물을 형성하며, 즉시 반응을
가속속도열량계은 무엇을 측정하는가? 가속속도열량계(ARC:Accelerating Rate Calorimeter)를 사용하여 연구를 수행하였다. 가속속도열량계는 단열조건에서 물질의 열안정성을 측정하는 장비로 발열개시온도, 시간에 따른 온도변화, 시간 및 온도에 따른 압력변화, 자열 속도(Self Heating Rate), 최대 속도까지의 시간(TMR:Time to Maximum Rate) 등을 측정할 수 있다. 열안정성 실험에 사용된 가속속도열량계는 단열열량계로 영국의 THT(Thermal Hazard Technology)사에서 제작한 실험장비로 Fig.
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참고문헌 (11)

  1. Shasha Zhang, David E. Speed and Susan T. Sharfstein "Reactivity of deposited byproducts generated from $ZrO_2$ atomic layer deposition", Journal of Loss Prevention in the Process Industries 45, 78-87, (2017) 

  2. Occupational Safety & Health Agency), http://www.kosha.or.kr 

  3. Safety and Health Practice Guide Line, Electronics Manufacturing, (2016) 

  4. Samsung Semiconductor Story Blog (samsung semiconstory.com) 

  5. KOSHA, Health care management for semiconductor industry workers, (2012) 

  6. KOSHA, Accident Investigation Report of TEMAZ explosion in semiconductor process, (2015) 

  7. Material Safety Data Sheet For TEMAZ 

  8. KOSHA, Technical Guidelines for Safety Operations in Semiconductor Manufacturing Processes, (2012) 

  9. KOSHA, Technical guidelines for fire prevention and protection of semiconductor manufacturing facilities, (2012) 

  10. Lee. N. E, "Continuous Monitoring System for Hazardous and Toxic Substances in the Semiconductor Manufacturing Industry", Changwon University, (2016) 

  11. Lee. K. W, "Reactivity Considerations with Miscibility of Process Gases in Semiconductor industry", KIGAS Vol. 20, No. 4, pp 15-24, (2016) 

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