$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

유도 결합 플라즈마 기술 원문보기

인포메이션 디스플레이 = Information display, v.18 no.6, 2017년, pp.3 - 11  

이효창 (한국표준과학연구원)

초록이 없습니다.

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 그에 따라서, 본 논문은 유도 결합 플라즈마의 방전 모드 및 물성에 대한 리뷰를 시작으로 이를 통한 플라즈마 변수 제어 및 공정결과를 이야기하고자 한다.
  • 본 논문은 유도 결합 플라즈마의 원리, 방전 모드, 히스테리시스 현상, 방전 역학, 균일도 및 전자에너지분포 제어 등에 대하여 방전 기초 물성부터 제어 기술에 이르기까지 폭 넓고 깊이 있게 다루었으며, 이를 바탕으로 차세대 디스플레이/ 반도체 장비 원천 기술 개발 및 공정 제어에 도움이 되었으면 한다.
  • 그 이유는 여러 턴의 안테나를 한 평면에 위치시키게 되면, 가장 안쪽 작은 안테나의 임피던스가 작기 때문에 대부분의 전류가 작은 안테나로 흐르게 되며 그에 따라서 플라즈마 균일도의 개선 여지가 적다. 즉, 플라즈마 균일도 제어는 앞서 이야기 했듯이 전력 전달 기술의 연장선상에 있으며, 이와 관련된 연구를 소개하도록 하겠다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
플라즈마 제어 기술이 요구되는 이유는 무엇인가? 이러한 고도의 플라즈마 기술을 이용한 공정 결과를 획득하기 위해서는 그림 1에 나와 있듯이 유도 결합 플라즈마의 방전모드 및 물성 이해를 바탕으로 그에 대한 플라즈마 제어 기술이 필요하다. 그 이유는 공정 결과에 영향을 주는 활성종의 비율과 밀도는 플라즈마 변수에 의해서 결정되며, 표면에 입사하는 이온종의 선속 및 에너지는 플라즈마 밀도와 쉬스 전압에 의해서 결정되기 때문이다.
유도 결합 플라즈마의 기본 원리는 무엇에 기초하였는가? 유도 결합 플라즈마의 기본 원리는 페리데이 법칙을 이용한 플라즈마 생성에 기초한 것이며, 100년 넘게 다양한 산업에서 널리 사용되어 왔다.[1] 이에 대한 가장 오래된 응용 분야 중에 하나는 Hittorf에 의해 개발된 플라즈마 램프가 있다.
유도 결합 플라즈마를 반도체, 디스플레이, 솔라셀 제조 공정에 적용이 가능한 이유는? 1970년도 이후에는 유도 결합 플라즈마의 활용이 확장되어 고압/상압 분야에서는 공기 정화 및 철강 공정을 위한 플라즈마 토치[4]와 저압 분야에서는 반도체, 디스플레이, 솔라셀 제조를 위한 식각 공정[5]에 적용되었다. 반도체, 디스플레이, 솔라셀 제조 공정에 적용이 가능한 이유는 플라즈마에서 생성된 이온이 쉬스를 통해 가속되어 표면에 입사되기 때문에 비등방성 식각이 가능하며, 이온과 활성종의 시너지 효과에 의하여 식각율이 극적으로 증진되는 결과를 보였기 때문이다. 이때까지만 하더라도, 플라즈마 물성에 대한 심도 있는 이해보다는 단순히 인가전력 및 주파수, 가스 유량, 압력 등의 외부 변수 조절을 통한 시행착오를 거듭하여 식각률, 증착율, 표면 특성 등의 공정 결과를 얻어 왔다.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (34)

  1. H.C. Lee, Appl. Phys. Rev. "Review of Inductively Coupled Plasmas: Nano-Applications and Bistable Hysteresis Physics" (submitted 2018). 

  2. P. C. Hewitt, U.S. Patent "Method of producing electric light," 843, 534 (1907). 

  3. V.A. Godyak, IEEE Industry Applications Magazine 8,42 (2002a). 

  4. H Eckert, High Temp. Sci. 6, 99 (1974). 

  5. J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Appl. Phys. 50,3189 (1979). 

    상세보기 crossref

  6. H.C. Lee and C. Chung, 23, 062002 (2014). 

    상세보기 crossref

  7. M A Lieberman and A J Lichtenberg "Principle of Plasma Discharges and Materials Processing", 2nd edn (New York: Wiley 2005). 

  8. HC Lee, MH Lee, and CW Chung, Appl. Phys. Lett. 96, 071501 (2010). 

    상세보기 crossref

  9. HC Lee and CW Chung, Appl. Phys. Lett. 101, 244104 (2012). 

    상세보기 crossref

  10. R B Piejak, V A Godyak, and B M Alexandrovich, Plasma Sources Sci. Technol. 1, 179 (1992). 

    상세보기 crossref

  11. El-Fayoumi I M, Jones I R, and Turner M M, J. Phys. D: Appl. Phys. 31, 3082 (1998). 

    상세보기 crossref

  12. H.-C. Lee and C.-W. Chung, Phys. Plasmas 22, 053505 (2015). 

    상세보기 crossref

  13. M.-H. Lee and C.-W. Chung, Phys. Plasmas 13, 063510 (2006). 

    상세보기 crossref

  14. H-C Lee, J-K Lee, and C-W Chung, Phys. Plasmas 17, 033506 (2010). 

    상세보기 crossref

  15. S-H Seo, J-I Hong, K-H Bai, and H-Y Chang, Phys. Plasmas 6, 614 (1999). 

    상세보기 crossref

  16. Kortshagen U, Gibson N D, and Lawler J E, 29, 1224 (1996). 

    상세보기 crossref

  17. M M Turner and M A Lieberman, Plasma Sources Sci. Technol. 8, 313 (1999). 

    상세보기 crossref

  18. Lee MH, Lee KH, Hyun DS, and Chung CW, Appl. Phys. Lett. 90, 191502 (2007). 

    상세보기 crossref

  19. Daltrini A. M., Moshkalev S. A., Monteiro M. J. R., and Besseler E., J. Appl. Phys. 101, 073309 (2007). 

    상세보기 crossref

  20. Lee H., Kim D., and Chung C., App. Phys. Lett. 102, 234104 (2013). 

    상세보기 crossref

  21. Lee H. and Chung C., Sci. Rep. 5, 15254 (2015). 

    상세보기 crossref

  22. H-C Lee, Y-C Kim, and C-W Chung, IEEE TRANS. PLASMA SCI. 39, 2536 (2011). 

    상세보기 crossref

  23. H-C Lee and C-W Chung, Phys. Plasmas 20, 101607 (2013) 

    상세보기 crossref

  24. H-C Lee and C-W Chung, Phys. Plasmas 19, 033514 (2012). 

    상세보기 crossref

  25. L. D. Tsendin, Phys. Usp. 53, 133 (2010). 

    상세보기 crossref

  26. HC Lee, MH Lee, and CW Chung, Appl. Phys. Lett. 96, 041503 (2010). 

    상세보기 crossref

  27. V. A. Godyak and R. B. Piejak, Appl. Phys. Lett. 63, 3137 (1993). 

    상세보기 crossref

  28. S. S. Kim, H. Y. Chang, C. S. Chang, and N. S. Yoon, Appl. Phys. Lett. 77, 492 (2000). 

    상세보기 crossref

  29. H-J Lee, H-C Lee, Y-C Kim and C-W Chung, Plasma Sources Sci. Technol. 22, 032002 (2013). 

    상세보기 crossref

  30. A Kurs, A Karalis, R Moffatt, J D Joannopoulos, P Fisher, and M Soljacic, Science 317, 83 (2007). 

    상세보기 crossref

  31. Y.J. Lee, K.N. Kim, B.K. Song, G.Y. Yeom, Thin Solid Films 435, 275 (2003). 

    상세보기 crossref

  32. F. F. Chen and H. Torreblanca, Phys. Plasmas 16, 057102 (2009). 

    상세보기 crossref

  33. R. W. Boswell, Plasma Phys. Controlled Fusion 26, 1147 (1984). 

    상세보기 crossref

  34. H.C. Lee and C. Chung, Plasma Sources Sci. Technol. 24, 024001 (2015). 

    상세보기 crossref

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로