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[국내논문] CrPt3(001) 박막의 자성: 제일원리계산
First Principles Calculations on Magnetism of CrPt3(001) Thin Films 원문보기

韓國磁氣學會誌 = Journal of the Korean Magnetics Society, v.27 no.2, 2017년, pp.41 - 48  

정태성 (울산대학교 물리학과) ,  제갈소영 (울산대학교 물리학과) ,  임성현 (울산대학교 물리학과) ,  홍순철 (울산대학교 물리학과)

초록
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$CrPt_3$ 합금은 큰 Kerr 효과를 보여 주는 강한 자기결정 이방성을 가지고 있고 흥미롭게도 훈트 제3법칙을 따르지 않는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 $CrPt_3$ 합금 박막의 두께의 따른 자성과 자기결정 이방성의 변화를 제일원리계산 방법을 이용하여 연구하였다. 기준 자료로 활용하기 위해 덩치 $CrPt_3$의 다양한 자성 상태, 즉 강자성(FM), A-, C-, G-type 반강자성(A-, C-, G-AF)에 대한 계산을 우선 수행하였는데 덩치 $CrPt_3$은 FM 상태가 안정하였고 이는 실험과 일치하였다. A-, C-, G-AF 상태가 FM 상태일 때 보다 총에너지가 각각 0.517, 0.591, 0.183 eV 만큼 높았고 Cr의 자기모멘트는 FM, A-, C-, G-AF 일 때 각각 2.782, 2.805, 2.794, $2.869_{{\mu}_B}$으로 확인되었다. $CrPt_3$(001) 박막의 표면은 CrPt 표면과 Pt 표면으로 두 종류의 원소 구성을 가질 수 있다. 각각의 표면에 대해 3층에서 9층까지 두께를 변화시켜 가면서 계산을 수행하였다. CrPt 표면의 3층 박막은 덩치와는 다르게 C-AF 상태가 FM 상태에 비해 8 meV 안정하였고 그 보다 두꺼운 5층, 7층, 9층 박막은 덩치처럼 FM 상태가 안정하였다. Pt 표면의 3층 박막은 C-AF 상태가 FM 상태에 비해 37 meV, 5층 박막은 G-AF이 FM 상태에 비해 54 meV 만큼 안정하였고 그 보다 두꺼운 7, 9층 박막은 덩치와 같이 FM 상태가 더 안정하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Recent study shows that ordered alloy of $L1_2$ $XPt_3$ (M = V, Cr, Mn, Co, and Fe) exhibits various magnetic phases such as ferromagnetic-to-antiferromagnetic transition at the $MnPt_3$ surface. Moreover, it has been argued that $CrPt_3$, in particular, p...

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제안 방법

  • 박막 계산에서는 표면 간의 상호작용을 무시하기 위해 표면과 표면사이에 약 15 Å의 진공 영역을 설정하였다.
  • XPt3 결정구조는 L12, 혹은 층 쌓기가 L12와 약간 상이한D022 인데, CrPt3는 L12 구조가 안정하다고 알려져 있어 본연구에서는 L12 구조 CrPt3(001) 박막의 자성을 중심으로 제일원리계산을 수행하였다. 박막의 표면 조성과 박막의 두께에 따른 자성의 변화를 살펴 보았고 박막에서의 MCA 에너지도 계산하였다.
  • (001) 박막의 자성을 중심으로 제일원리계산을 수행하였다. 박막의 표면 조성과 박막의 두께에 따른 자성의 변화를 살펴 보았고 박막에서의 MCA 에너지도 계산하였다. 기준 자료를 확보하기 위해 덩치 CrPt3 자성을 계산하였고 다른 계산 결과와 비교하여 본 연구의 계산의 엄밀성도 동시에 점검하였다.
  • CrPt3의 격자상수를 결정하기 위해서 격자상수의 함수로FM, A-AF, C-AF, G-AF 상태의 총에너지 계산을 수행하였다. 계산결과에 의하면 CrPt3는 FM 상태가 가장 안정하였으며 격자상수는 3.
  • 5에 나타내었다. 먼저 총 전자 상태 밀도는 검은 실선으로 나타내었고, 고동 실선, 초록 점선은 각각의 Cr, Pt 원자에 투영된 전자 상태밀도를 의미한다. 다음으로는 Cr, Pt 원자의 d 오비탈 별로 투영된 전자 상태밀도를 나타내었다.
  • CrPt 표면으로 끝나는 CrPt3(001) 박막의 두께에 따른 자성변화를 계산하기 위해 본 연구에서는 3, 5, 7, 9층 두께의 박막을 설정하였다. 2차원 격자상수는 덩치 CrPt3에서 얻어진 격자 상수를 그대로 사용하였다.
  • 7은 CrPt 표면으로 끝나는 C-AF 상태일 때 CrPt3(001)박막 3층에서의 전자 상태밀도를 나타낸 것이다. 먼저 총 전자 상태 밀도는 검은 실선으로 나타낸 것이고 파란색 실선은C-AF 상태에서의 Cr 원자에 투영된 전자 상태밀도를 나타낸 것이고 빨간색, 올리브색 점선은 각각 표면 Pt 원자, 중앙 Pt원자에 투영된 전자 상태밀도를 나타낸 것이다. 다음으로는 표면의 Cr 원자의 d 오비탈에 따른 전자상태를 확인하였고, 표면과 중앙의 Pt 원자의 d 오비탈에 따른 전자 상태 밀도를 확인할 수 있었다.
  • 먼저 총 전자 상태 밀도는 검은 실선으로 나타낸 것이고 파란색 실선은C-AF 상태에서의 Cr 원자에 투영된 전자 상태밀도를 나타낸 것이고 빨간색, 올리브색 점선은 각각 표면 Pt 원자, 중앙 Pt원자에 투영된 전자 상태밀도를 나타낸 것이다. 다음으로는 표면의 Cr 원자의 d 오비탈에 따른 전자상태를 확인하였고, 표면과 중앙의 Pt 원자의 d 오비탈에 따른 전자 상태 밀도를 확인할 수 있었다.
  • 9은 Pt 표면으로 끝나는 C-AF 상태일 때 CrPt3(001)박막 3층에서의 전자 상태밀도를 나타낸 것이다. 먼저 총 전자 상태 밀도는 검은 실선으로 나타낸 것이고 파란색 실선은C-AF 상태에서의 Cr 원자에 투영된 전자 상태밀도를 나타낸 것이고 올리브색, 빨간색 점선은 각각 표면 Pt 원자, 중앙 Pt원자에 투영된 전자상태밀도를 나타낸 것이다. 다음으로는 표면과 중앙의 Pt 원자의 d 오비탈에 따른 전자상태를 확인하였고, 중앙의 Cr 원자의 d 오비탈에 따른 전자 상태 밀도를 확인할 수 있었다.
  • 먼저 총 전자 상태 밀도는 검은 실선으로 나타낸 것이고 파란색 실선은C-AF 상태에서의 Cr 원자에 투영된 전자 상태밀도를 나타낸 것이고 올리브색, 빨간색 점선은 각각 표면 Pt 원자, 중앙 Pt원자에 투영된 전자상태밀도를 나타낸 것이다. 다음으로는 표면과 중앙의 Pt 원자의 d 오비탈에 따른 전자상태를 확인하였고, 중앙의 Cr 원자의 d 오비탈에 따른 전자 상태 밀도를 확인할 수 있었다.
  • AF 상태가 안정한 3층 표면 박막의 자기결정이방성 에너지 계산을 수행하였다. k-점에 대한 자기이방성 에너지의 수렴성을 확인하기 위해 Monkhorst-Pack k-점 그물을 12 ×12 × 1부터 20 × 20 × 1 k-점까지 k-점 수를 늘려가며 계산을 수행하였고 그 결과 18 × 18 × 1 Monkhorst-Pack k-점 그물이면 수렴된 자기이방성 에너지를 얻을 수 있음을 알았다.

대상 데이터

  • 역격자 영역의 적분을 수행하기 위해 덩치에서는 8 × 8 × 8, 박막에서는 8×8×1의 Monkhorst-Pack k-점 그물을 사용하였다.
  • 역격자 영역의 적분을 수행하기 위해 덩치에서는 8 × 8 × 8, 박막에서는 8×8×1의 Monkhorst-Pack k-점 그물을 사용하였다. 절단 에너지(cutoff energy) 450 eV까지의 평면파를 기저함수로 사용하였다. Fig.
  • (001) 박막의 두께에 따른 자성변화를 계산하기 위해 본 연구에서는 3, 5, 7, 9층 두께의 박막을 설정하였다. 2차원 격자상수는 덩치 CrPt3에서 얻어진 격자 상수를 그대로 사용하였다. Fig.

이론/모형

  • 박막의 MCA 에너지를 계산하기 위한 2차원 역격자 영역의 적분을 수행하기 위하여 18 × 18 × 1 Monkhorst-Pack k-점 그물을 사용하였다.
  • CrPt3 박막의 표면 조성과 두께의 따른 자기모멘트와 자성을 확인하기 위하여 Vienna ab-initio simulation package(VASP)[13-15]을 이용하여 계산을 수행하였다. 계산에서 사용된 슈도포텐셜은 projected augmented wave(PAW)[16]로 생성하였다.
  • 계산에서 사용된 슈도포텐셜은 projected augmented wave(PAW)[16]로 생성하였다. 전자들 사이의 교환상관 작용을 고려하기 위해 Perdew-Burke-Ernzerhof에 의해 정립된 gerneralized gradientapproximation(GGA)[17] 방법을 사용하였다. Fig.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
$CrPt_3$ 합금의 특성은? $CrPt_3$ 합금은 큰 Kerr 효과를 보여 주는 강한 자기결정 이방성을 가지고 있고 흥미롭게도 훈트 제3법칙을 따르지 않는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 $CrPt_3$ 합금 박막의 두께의 따른 자성과 자기결정 이방성의 변화를 제일원리계산 방법을 이용하여 연구하였다.
자성의 특성은? 자성은 주변 환경에 매우 민감한 물리 현상이어서 원자 수준까지 감지할 수 있는 최신 실험 기술의 발달로 이전에는 규명할 수 없었던 자성을 연구할 수가 있게 되었다[1]. 자성은 표면 등 차원이 감소하면 덩치와는 다른 자성을 보이기도하고[2, 3], 자성이 없던 물질도 빈 격자 공간에서 자성을 보여 주는 등[4], 덩치에서는 자성이 없던 물질도 특별한 환경에서는 자성이 보이기도 한다[1, 5]. MnPt3(001) 표면 자성에
이전에는 규명할 수 없었던 자성에는 무엇이 있는가? 자성은 주변 환경에 매우 민감한 물리 현상이어서 원자 수준까지 감지할 수 있는 최신 실험 기술의 발달로 이전에는 규명할 수 없었던 자성을 연구할 수가 있게 되었다[1]. 자성은 표면 등 차원이 감소하면 덩치와는 다른 자성을 보이기도하고[2, 3], 자성이 없던 물질도 빈 격자 공간에서 자성을 보여 주는 등[4], 덩치에서는 자성이 없던 물질도 특별한 환경에서는 자성이 보이기도 한다[1, 5]. MnPt3(001) 표면 자성에
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참고문헌 (17)

  1. T. L. Makarova, B. Sundqvist, R. Hohne, P. Esquinazi, Y. Kopelevich, P. Scharff, V. A. Davydov, L. S. Kash-evarova, and A. V. Rakhmanina, Nature (London) 413, 716 (2001). 

  2. W. S. Yun and S. C. Hong, J. Korean Phys. Soc. 53, 384 (2008). 

  3. M.-J. Woo and S. C. Hong, J. Korean Phys. Soc. 48, 1405 (2006). 

  4. J. J. Palacios and J. Fernandex-Rossier, Phys. Rev. B 77, 195428 (2008). 

  5. S. C. Hong, J. I. Lee, and R. Wu, Phys. Rev. B 75, 172402 (2007). 

  6. W. Kim, S. C. Hong, J. Seo, S.-J. Oh, H. G. Min, and J.-S. Kim, Phys. Rev. B 70, 174453 (2004). 

  7. W. Kim, S.-J. Oh, J. Seo, H. G. Min, S. C. Hong, and J.-S. Kim, Phys. Rev. B 65, 205407 (2002). 

  8. T. D. Leonhardt, Y. Chen, M. Rao, D. E. Laughlin, D. N. Lambeth, and M. H. Kryder, J. Appl. Phys. 85, 4307 (1999). 

  9. M. Maret, M. Albrecht, J. Kohler, R. Poinsot, C. Ulhaq-Bouillet, J. M. Tonnerre, J. F. Berar, and E. Bucher, J. Magn. Magn. Mater. 218, 151 (2000). 

  10. M. Vergohl and J. Schoenes, J. Magn. Soc. Japan 20, S1, 141 (1996). 

  11. J. Cho, M. Park, H.-S. Kim, T. Kato, S. Iwata, and S. Tsunashima, J. Appl. Phys. 86, 3149 (1999). 

  12. I. Galanakis, P. M. Oppeneer, P. Ravindran, L. Nord-strom, P. James, M. Alouani, Dreysse, and O. Eriksson, Phys. Rev. B 63, 172405 (2001). 

  13. G. Kresse and J. Furthmuller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996). 

  14. G. Kresse and J. Furthmuller, Comput. Mater. Sci. 5, 15 (1996). 

  15. G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 59, 1758 (1999). 

  16. P. E. Blochl, Phys. Rev. B 50, 17953 (1994). 

  17. J. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996). 

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