최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.28 no.5, 2017년, pp.430 - 433
한장훈 (광운대학교 전자공학과) , 김정근 (광운대학교 전자공학과)
This paper presents a S/C/X-band LNA MMIC with resistive feedback structure in 0.25 um GaN HEMT process. The GaN devices have advantages as a high output power device having high breakdown voltage, energy band gap and stability at high temperature. Since the receiver using the GaN device with high l...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
S/C/X-대역에서 동작 가능한 송수신기는 향후 어떤 분야에 소요될 것으로 기대되는가? | 다양한 디지털 통신에 사용될 수 있는 SDR(Software Defined Radio)기반의 S/C/X-대역을 이용하는 다기능, 다목적 디지털 무선통신용 송수신기에 대한 수요가 앞으로 증대될 것으로 기대된다. 단일 플랫폼으로 S/C/X-대역에서 동작 가능한 송수신기는 향후 민/군용 무선통신 사업 및 방위사업(레이다, 전자전) 등 다양한 사업에 소요될 것으로 기대 되며, 특히 저잡음 증폭기의 경우, 다중 대역을 동시에 지원하기 위해서 광대역 특성이 요구된다[1]. 기존 레이다에서 사용된 저잡음 증폭기의 경우, 높은 출력의 장점을 가지는 GaAs 소자를 기반으로 개발하였으나, 재밍 신호와 같은 큰 전력을 가지는 신호가 안테나 입력으로 들어오게 될 경우, 수신단 전체가 포화되어 오동작을 유발시키는 단점이 있다. | |
기존에 발표된 GaAs 소자 기반의 저잡음 증폭기는 큰 전력의 재밍 신호 및 송신 신호의 누설 전력으로부터 회로를 보호하기 위해서 PIN 다이오드를 이용한 회로 보호용 리미터를 포함한 이유는? | 단일 플랫폼으로 S/C/X-대역에서 동작 가능한 송수신기는 향후 민/군용 무선통신 사업 및 방위사업(레이다, 전자전) 등 다양한 사업에 소요될 것으로 기대 되며, 특히 저잡음 증폭기의 경우, 다중 대역을 동시에 지원하기 위해서 광대역 특성이 요구된다[1]. 기존 레이다에서 사용된 저잡음 증폭기의 경우, 높은 출력의 장점을 가지는 GaAs 소자를 기반으로 개발하였으나, 재밍 신호와 같은 큰 전력을 가지는 신호가 안테나 입력으로 들어오게 될 경우, 수신단 전체가 포화되어 오동작을 유발시키는 단점이 있다. 따라서 기존에 발표된 GaAs 소자 기반의 저잡음 증폭기는 큰 전력의 재밍 신호 및 송신 신호의 누설 전력으로부터 회로를 보호하기 위해서 PIN 다이오드를 이용한 회로 보호용 리미터를 포함하였다[2],[3]. | |
저잡음 증폭기은 다중 대역을 동시에 지원하기위해 무엇이 요구되는가? | 다양한 디지털 통신에 사용될 수 있는 SDR(Software Defined Radio)기반의 S/C/X-대역을 이용하는 다기능, 다목적 디지털 무선통신용 송수신기에 대한 수요가 앞으로 증대될 것으로 기대된다. 단일 플랫폼으로 S/C/X-대역에서 동작 가능한 송수신기는 향후 민/군용 무선통신 사업 및 방위사업(레이다, 전자전) 등 다양한 사업에 소요될 것으로 기대 되며, 특히 저잡음 증폭기의 경우, 다중 대역을 동시에 지원하기 위해서 광대역 특성이 요구된다[1]. 기존 레이다에서 사용된 저잡음 증폭기의 경우, 높은 출력의 장점을 가지는 GaAs 소자를 기반으로 개발하였으나, 재밍 신호와 같은 큰 전력을 가지는 신호가 안테나 입력으로 들어오게 될 경우, 수신단 전체가 포화되어 오동작을 유발시키는 단점이 있다. |
A. F Osman, N. Mohd. Noh, "Wideband LNA design for SDR radio using balanced amplifier topology", IEEE 2012 4th Asia Symposium on Quality Electronic Design (ASQED), Oct. 2012.
Patrick Schuh, Rolf Reber, "Robust X-band low noise limiting amplifiers", IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest(IMS), Jan. 2014.
F. Giannini, E. Limiti, A. Serino, and V. Dainelli, "A medium medium power low-noise amplifier for X-band applications", 2004 Microwave Conference, 34th European, Amsterdam, Holland, pp. 37-39. Oct. 2004.
S.-E. Shih, W. R. Deal, D. M. Yamauchi, and W. E. Sutton, "Design and analysis of ultra wideband GaN dualgate HEMT low-noise amplifiers", Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on, vol. 57, no. 12, pp. 3270-3277, Dec. 2009.
W. Ciccognani, E. Limiti, P. E. Longhi, C. Mitrano, A. Nanni, and M. Peroni, "An ultra-broadband robust LNA for defense applications in AlGaN/GaN technology", IEEE International Microwave Symposium, 2010, pp. 493-496, May 2010.
Mingqi Chen et. al., "A 1-25 GHz GaN HEMT MMIC low-noise amplifier", IEEE Microwave Theory and Techniques Society, vol. 20, issue. 10, pp. 563-565, Oct. 2010.
Sergio Colangeli, Andrea Bentini, Walter Ciccognani, Ernesto Limiti, and Antonio Nanni, "GaN-based robust low-noise amplifiers", IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, issue. 10, pp. 3238-3248, Oct. 2013.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.