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NTIS 바로가기大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers. B. B, v.41 no.6 = no.381, 2017년, pp.423 - 427
박우성 (국방과학연구소 제3기술연구본부 4부) , 안준은 (국방과학연구소 제3기술연구본부 4부) , 윤성진 (국방과학연구소 제3기술연구본부 4부)
본 논문은 silicon-on-glass(SOG) 공정에서 접합력 균일도 향상을 위한 고정단 설계에 대한 내용을 다룬다. SOG 공정은 전극이 형성된 유리 기판층과 실리콘 구조층의 양극접합을 기반으로 하며, 가속도 센서와 공진형 센서를 비롯한 고종횡비 구조를 갖는 다양한 실리콘 센서들의 제작에 널리 사용된다. 본 논문에서는 전극과 유리 기판층의 표면 사이에 발생하는 단차로 인한 불균일한 접합을 방지하기 위해, 실리콘 구조층에서 유리 기판층과 접합되는 부분과 전극과 겹쳐지는 부분을 트렌치(trench)를 이용해 분리하는 새로운 형상의 고정단을 제안한다. 본 고정단은 추가적인 공정 없이 기존의 SOG 공정으로 제작되는 디바이스들에 손쉽게 적용이 가능하다.
In this paper, an anchor design that improves bonding strength uniformity in the silicon-on-glass (SOG) process is presented. The SOG process is widely used in conjunction with electrode-patterned glass substrates as a standard fabrication process for forming high-aspect-ratio movable silicon micros...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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고종횡비 실리콘 식각 기술의 발달과 함께 수십에서 수백 마이크로에 달하는 두께를 갖는 다양한 실리콘 구조물의 제작은 센서의 성능에 어떠한 영향을 미쳤는가? | DRIE(Deep reactive ion etch)로 대표되는 고종횡비 (high aspect ratio) 실리콘 식각 기술의 발달과 함께 수십에서 수백 마이크로에 달하는 두께를 갖는 다양한 실리콘 구조물의 제작이 가능해졌으며, 이는 관성센서(inertial sensors)를 비롯한 다양한 MEMS (micro electro-mechanical systems) 센서들에서 성능 향상을 가능하게 하였다. (1) | |
도핑된 실리콘을 식각 한 계층으로 사용하는 dissolved wafer process 등의 한계를 극복한 다른 방법에는 무엇이 있는가? | 이에 반해, 유리(glass) 기판층(substrate) 웨이퍼 (wafer)과 구조물이 형성될 실리콘 웨이퍼의 양극 접합(anodic bonding)을 기반으로 하는 silicon-onglass(SOG) 제작 공정은 더 균일하고 더 두꺼운 실리콘 층의 제작이 가능하며, 제작 시간과 비용에 관계없이 두께의 조절이 가능하다. 이외에도 낮은 기생용량(parasitic capacitance)과 내부 전극 형성의 경로 유연성 등 다양한 장점으로 인해, 특히 관성 센서나 공진형 센서(resonant sensor) 등 다양한 센서들에 널리 활용되고 있다. (5~11) | |
SOG 공정의 특징은 무엇인가? | 본 논문은 silicon-on-glass(SOG) 공정에서 접합력 균일도 향상을 위한 고정단 설계에 대한 내용을 다룬다. SOG 공정은 전극이 형성된 유리 기판층과 실리콘 구조층의 양극접합을 기반으로 하며, 가속도 센서와 공진형 센서를 비롯한 고종횡비 구조를 갖는 다양한 실리콘 센서들의 제작에 널리 사용된다. 본 논문에서는 전극과 유리 기판층의 표면 사이에 발생하는 단차로 인한 불균일한 접합을 방지하기 위해, 실리콘 구조층에서 유리 기판층과 접합되는 부분과 전극과 겹쳐지는 부분을 트렌치(trench)를 이용해 분리하는 새로운 형상의 고정단을 제안한다. |
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