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문제 정의
- 본고에서는 화학기상증착법을 이용한 SiC 에피택셜 성장 시스템을 소개하고 그 구조와 방법에 대하여 설명하고자 한다. 또한 나아가 SiC 에피택셜 성장에 적용되고 있는 기법과 응용에 대하여 그 이론과 연구결과를 바탕으로 소개하고자 한다.
- 앞서 말했듯이 SiC의 화학기상증착법에는 반응기의 구조와 형태에 따라 여러 가지로 분류할 수 있다. 본 절에서는 그 중에서 수평 냉벽 반응기(horizontal cold-wall reactor)와 수평 고온 벽 반응기(horizontal hot-wall reactor) 수직 고온 벽 반응기(vertical hot-wall reactor)의 구조와 특성에 대하여 소개하고자 한다.
- 본고에서는 화학기상증착법을 이용한 SiC 에피택셜 성장 시스템을 소개하고 그 구조와 방법에 대하여 설명하고자 한다. 또한 나아가 SiC 에피택셜 성장에 적용되고 있는 기법과 응용에 대하여 그 이론과 연구결과를 바탕으로 소개하고자 한다.
- 지금까지 탄화SiC의 에피택셜 성장에 사용되는 여러 방법 중, 가장 많이 연구되고 활용되는 화학기상증착법을 이용한 SiC 에피택셜 성장에 대하여 알아보았다. 화학기상증착법에서의 성공적인 에피택셜 성장을 위해 여러 가지 반응기의 형태와 구조, 그리고 전구체가 제안되었으며 본고에서 그 중 대표적인 예를 소개하였다.
- 지금까지 탄화SiC의 에피택셜 성장에 사용되는 여러 방법 중, 가장 많이 연구되고 활용되는 화학기상증착법을 이용한 SiC 에피택셜 성장에 대하여 알아보았다. 화학기상증착법에서의 성공적인 에피택셜 성장을 위해 여러 가지 반응기의 형태와 구조, 그리고 전구체가 제안되었으며 본고에서 그 중 대표적인 예를 소개하였다. 에피택셜 성장을 위한 기법으로써 SiC 에피택셜 층의 폴리타입 안정성을 개선하기 위해 오프-엑시스 기판을 이용한 계단 제어 성장법을 활용하고 있다.
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