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100 nm thick Sn doped ZnO (ZTO) single layer, 15 nm thick Ag buffered ZTO (ZTO/Ag), Ag intermediated ZTO (ZTO/Ag/ZTO) and Ag capped ZTO (Ag/ZTO) films were prepared on poly-carbonate (PC) substrates by RF and DC magnetron sputtering and then the influence of the Ag thin film on the optical and elect...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 RF와 DC 마그네트론 스퍼터를 이용하여 Ag 금속층의 위치에 따른 ZTO 박막의 광학적, 전기적 물성변화를 고찰하였다. 15 nm 두께의 Ag 박막이 ZTO 층간에 삽입된 적층형 박막이 ZTO 단층박막보다 평탄한 표면거칠기를 가졌으며, 광학적 특성 또한 단일 ZTO 박막 보다 높은 가시광투과도를 보였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
투명전도성 산화물이 용사(Spray) 또는 물리적 기상 증착( PVD) 공정을 통한 차세대 차량용 핵심소재로 연구되고 있는 이유는? 최근 인듐산화물(In2O3) 또는 주석산화물(SnO2) 등의 투명전도성 산화물(Transparent CondictingOxide, TCO)은 높은 가시광 투과도, 낮은 적외선투과율(저방사특성) 그리고 우수한 전기전도도 특성을 동시에 갖기 때문에 용사(Spray) 또는 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 공정을 통한 차세대 차량용 핵심소재로 연구되고 있다. 특히 넓은 광학적 밴드-갭을 갖는 2-6족 화합물 반도체인 ZnO에 Sn이 첨가된 ZTO 박막은 In2O3보다 높은 가격경쟁력과 화학적 안정성이 보고되어, In2O3의 효율적인 대체재로 개발되고 있다[1].
투명전도성 산화물에는 무엇이 있는가? 최근 인듐산화물(In2O3) 또는 주석산화물(SnO2) 등의 투명전도성 산화물(Transparent CondictingOxide, TCO)은 높은 가시광 투과도, 낮은 적외선투과율(저방사특성) 그리고 우수한 전기전도도 특성을 동시에 갖기 때문에 용사(Spray) 또는 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 공정을 통한 차세대 차량용 핵심소재로 연구되고 있다. 특히 넓은 광학적 밴드-갭을 갖는 2-6족 화합물 반도체인 ZnO에 Sn이 첨가된 ZTO 박막은 In2O3보다 높은 가격경쟁력과 화학적 안정성이 보고되어, In2O3의 효율적인 대체재로 개발되고 있다[1].
Ag 금속층의 위치에 따른 ZTO 박막의 FOM 수치를 비교한 결과는 어떠한가? 15 nm 두께의 Ag 박막이 ZTO 층간에 삽입된 적층형 박막이 ZTO 단층박막보다 평탄한 표면거칠기를 가졌으며, 광학적 특성 또한 단일 ZTO 박막 보다 높은 가시광투과도를 보였다. Ag 금속층의 위치에 따른 박막의 FOM 수치를 비교한 결과, Ag 박막이 중간에 삽입된 ZTO 박막이 가장 우수한 전기적, 광학적 완성도를 보였으며 경량성과 유연성을 갖는 차량용 플렉시블 투명전극재로 ZTO 단층박막 보다 Ag 중간층을 채용한 ZTO/Ag/ZTO 박막이 유용함을 알 수 있었다.
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참고문헌 (9)

  1. S. H. Kim and D. Kim : Ceramic Inter. 41 (2015) 2770. 

  2. S. Heo, M. Park and B. Cha : J. Korean Inst. Surf. Eng, 47 (2014) 341. 

  3. H. Shin, K. Kim, T. Kim and H. Kim : Cerami Inter. 42 (2016) 13983. 

  4. N. Meshram, C. Loka, K. R. Park and K. Lee : Mater. Lett. 145 (2015) 120. 

  5. Y. S. Kim, J. H. Park and D. Kim : Vacuum 82 (2008) 574. 

  6. J. H. Park, J. H. Chae and D. Kim : J. Alloy. Compd. 478 (2009) 330. 

  7. X. Ding, J. Yan, T. Li and L. Zhang : Vacuum 86 (2011) 443. 

  8. B. Kim, K. Lee, H. Kang, T. Lee, S. Oh, J. Lee and J. Song : Trans. Electr. Electron. Mater. 20 (2007) 1044. 

  9. G. Haacke : J. Appl. Phys. 47 (1976) 4086. 

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