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The Stability of Plating Solution and the Current Density Characteristics of the Sn-Ag Plating for the Wafer Bumping 원문보기

한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.50 no.3, 2017년, pp.155 - 163  

Kim, Dong-Hyun (MSC Co., Ltd.) ,  Lee, Seong-Jun (MSC Co., Ltd.)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, the effects of the concentration of metal ions and the applied current density in the Sn-Ag plating solutions were examined in regards to the resulting composition and morphology of the solder bumps' surface. Furthermore the effect of any impurities present in the methanesulfonic acid...

주제어

#Solder bump   #Sn-Ag alloy   #Electroplating   #Stability   #Purification  

AI 본문요약
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제안 방법

  • In this study the following conclusion is obtained by examining the effects of the current density on the Sn-Ag alloy plating solution used for the semiconductor wafer bumping. The plating solution for forming the Sn-Ag alloy solder bumps exhibited good characteristics in terms of stability and deposition rate when using methansulfonic acid as an electrolyte, Thiourea and succinic imide as complexing agents, and stannous methanesulfonate and silver methanesulfonate as metal salts.
  • The Ag content in the plated Sn-Ag alloy film is a very important factor on the properties of the resultant bump. In this study, the composition of the Sn-Ag plating solution was examined and the possibility of applying a semiconductor package was investigated by testing deposition properties in electroplating and the stability of the plating solution.
  • The effects of impurities or concentrations of Cl- , Fe2+, Bi2+ and K+, in the plating solution were analyzed in order to investigate their effects on the Ag content and the crystal structure of the plating. The characteristics of the solutions were compared to purified and non-purified solutions by means of purification of the major component, methanesulfonic acid and stannous methanesulfonate in the plating solution.
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