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NTIS 바로가기대한화학회지 = Journal of the Korean Chemical Society, v.61 no.4, 2017년, pp.163 - 167
Along with the progress of white LED technology, red phosphors have become increasingly important in industry and academia, and a more specific demand has steadily increased in the market. Red phosphors are used in high efficiency and high rendering LED lightings. However, using red phosphors with <...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Mn4+ 도핑된 형광체의 color tuning 방법으로 알려진 것은? | 특정 모체에서 고정된 발광 파장은 모체를 바꾸기 전에는 Mn4+ 형광체의 color tuning이 힘들다는 단점으로 작용한다. 이러한 Mn4+ 도핑된 형광체의 color tuning 방법은 오직 다른 모체를 사용하거나 조성을 변경하여 격자 사이즈를 변화시키는 방법밖에는 보고 되어있지 않다. 이에 본 연구는 모체 조성이 다르지만, 결정구조가 동일하며, 발광 파장이 서로 다른 SrGe4O9, BaGe4O9모체에 고정된 Mn4+ 도핑하여 color tuning을 시도하기 위해 연구되었다. | |
적색 영역에서 발광하는 형광체에 대한 중요성과 수요가 늘어나고 있는 이유는? | 최근 형광체 및 LED 업계에서는 적색 영역에서 발광하는 형광체에 대한 중요성과 수요가 증가하고 있다. 이러한 이유는 적색 형광체가 일반 조명용 백색 발광 다이오드(LED)의 연색성 지수(CRI)를 향상하는데 중요한 역할을 할 뿐만 아니라 디스플레이 애플리케이션에서 LED 후면 조명의 색 영역을 증가시켜주기 때문이다.1-6 특히 확대 된 색상 범위를 갖는 ITU-R BT. | |
상업적으로 사용되고 있는 Eu2+가 도핑 된 몇몇 적색 형광체의 문제점은? | 2020-2의 권장 사항을 충족할 수 있는 650 nm 이상의 짙은 적색 발광 형광체를 찾는데 큰 관심을 끌고 있다.7 현재 상업적으로 사용되고 있는 Eu2+ 도핑 된 CaAlSiN3:Eu2+, Sr2Si5N8:Eu2+, Sr[LiAl3N4]:Eu2+ 적색 형광체는 실용화를 위한 실제 요구 사항을 충족 시켜주지만 극단적이고 가혹한(고온 및 고압) 합성 조건과 4f-5d 전이로 발생하는 녹색 또는 황색 파장 영역에서의 강한 재흡수로 인해 백색 LED 칩에서 색상 변경 및 발광 강도의 저하를 유발한다.8-10 이러한 점에서 Mn4+ 도핑된 형광체는 우수한 적색 발광뿐만 아니라 여기 영역이 녹색 또는 황색 파장 영역에서의 재흡수가 없으므로 백색 LED칩 제작에 장점으로 작용한다. |
Zhu, H.; Lin, C. C.; Luo, W.; Shu, S.; Liu, Z.; Liu, Y.; Kong, J.; Ma, E.; Cao, Y.; Liu, R-S.; Chen, X. Nat. Commun. 2014, 5, 4312.
Pust, P.; Weiler, V.; Hecht, C.; Tucks, A.; Wochnik, A. S.; Henss, A.-K.; Wiechert, D.; Scheu, C.; Schmidt, P. J.; Schnick, W. Nat. Mater. 2014, 13, 891.
Daicho, H.; Iwasaki, T.; Enomoto, K.; Sasaki, Y.; Maeno, Y.; Shinomiya, Y.; Aoyagi, S.; Nishibori, E.; Sakata, M.; Sawa, H.; Matsuishi, S.; Hosono, H. Nat. Commun. 2012, 3, 1132.
Chen, W. T.; Sheu, H. S.; Liu, R. S.; Attfield, J. P. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 8022.
Im, W. B.; George, N.; Kurzman, J.; Brinkley, S.; Mikhailovsky, A.; Hu, J.; Chmelka, B. F.; DenBaars, S. P.; Seshadri, R. Adv. Mater. 2011, 23, 2300.
Shang, M.; Li, C.; Lin, J. Chem. Soc. Rev. 2014, 43, 1372.
Recommendations ITU-R BT.2020-2, Parameter values for ultra-high definition television systems for production and international programme exchange, International Telecommunication Union, 2015.
Trupke, T.; Green, M. A.; Wurfel, P. J. Appl. Phys. 2002, 92, 1668.
Van der Ende, B. M.; Aarts, L.; Meijerink, A. Adv. Mater. 2009, 21, 3073.
Xie, R.-J.; Hirosaki, N.; Suehiro, T.; Xu, F.-F.; Mitomo, M. A. Chem. Mater. 2006, 18, 5578.
Brik, M. G.; Camerdello, S. J.; Srivastava, A. M. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2015, 4, R39.
Wang, B.; Lin, H.; Xu, J.; Chen, H.; Wang, Y. ACS Appl. Mater. Interfaces 2014, 6, 22905.
Brik, M. G.; Srivastava, A. M.; J. Lumin. 2013, 133, 69.
Liang, S.; Shang, M.; Lian, H.; Li, K.; Zhang, Y.; Lin, J.; J. Mater. Chem. 2016, 4, 6409.
Kresse, G.; Hafner, J. Phys. Rev. B. 1993, 47, 558.
Kresse, G.; Hafner, J. Phys. Rev. B. 1994, 49, 14251.
Kresse, G.; Furthmuller, J. Comput. Mater. Sci. 1996, 6, 15.
Kresse, G.; Furthmuller, J. J. Phys. Rev. B. 1996, 54, 11169.
Perdew, J. P.; Burke, K.; Ernzerhof, M. Phys. Rev. Lett. 1996, 77, 3865.
Monkhorst, H. J.; Pack, J. D. Phys. Rev. B. 1976, 13, 5188.
Blochl, P. E. Phys. Rev. B. 1994, 50, 17953.
Kresse, G.; Joubert, D. Phys. Rev. B. 1999, 59, 1758.
Heyd, J.; Scuseria, G. E.; Ernzerhof, M. J. Chem. Phys. 2003, 118, 8207.
Krukau, A. V.; Vydrov, O. A.; Izmaylov, A. F.; Scuseria, G. E. J. Chem. Phys. 2006, 125, 224106.
Vydrov, O. A.; Heyd, J.; Krukau, A. V.; Scuseria, G. E. J. Chem. Phys. 2006, 125, 074106.
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