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전자 포텐셜 변형과 포논 상호작용에 의한 준 이차원 Si 구조의 전도 현상 해석
Quantum Transition Properties of Quasi-Two Dimensional Si System in Electron Deformation Potential Phonon Interacting 원문보기

전기학회논문지. The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. P, v.66 no.3, 2017년, pp.129 - 134  

이수호 (Dept. of Electrical Engineering, Donga University) ,  김영문 (Dept. of Electrical Engineering, Masan University) ,  김해재 (Dept. of Electrical Engineering, Masan University) ,  주석민 (Dept. of Electrical Engineering, Masan University)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated theoretically the quantum optical transition properties of Si, in quasi 2-Dimensinal Landau splitting system, based on quantum transport theory. We apply the quantum transport theory (QTR) to the system in the confinement of electrons by square well confinement potential under linear...

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  • We also found the dominant scattering processes are the phonon emission transition process. The results of this work will help to analyze experimental the scattering mechanisms in the electron-deformation potential interacting materials.
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참고문헌 (19)

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