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N형 고분자 반도체의 전하주입 특성 향상을 통한 저전압 유기전계효과트랜지스터 특성 연구
Low-Voltage Operating N-type Organic Field-Effect Transistors by Charge Injection Engineering of Polymer Semiconductors and Bi-Layered Gate Dielectrics 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.30 no.10, 2017년, pp.665 - 671  

문지훈 (부경대학교 공과대학 인쇄정보공학과) ,  백강준 (부경대학교 공과대학 인쇄정보공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Herein, we report the fabrication of low-voltage N-type organic field-effect transistors by using high capacitance fluorinated polymer gate dielectrics such as P(VDF-TrFE), P(VDF-TrFE-CTFE), and P(VDF-TrFE-CFE). Electron-withdrawing functional groups in PVDF-based polymers typically cause the deplet...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 CMOS 기반 유기전자회로 구현을 위하여 N형 OFET 소자의 성능을 향상시키면서 낮은 구동전압 특성을 동시에 확보하기 위한 연구를 수행하였다. 구동전압을 감소시키기 위해서는 반도체와 절연체 사이의 상호작용(coupling)이 중요하며, 절연층의 정전용량을 증가시키기 위해 높은 유전율을 가지는 PVDF 계열의 고분자 절연체(P (VDF-TrFE), P (VDF-TrFECTFE), P (VDF-TrFE-CFE))를 이용하여 저전압 구동 가능한 N형 OFET 소자를 제작하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
유기물 반도체의 특징은? 현재 유기물 반도체는 유연하고 신축성이 있으며, 쉬운 용액공정을 통하여 저비용으로 다양한 전자소자를 대면적으로 제작할 수 있기 때문에 학계는 물론이고 산업계에서도 큰 관심을 끌고 있다 [1]. 그 대표적인 예로 유기발광다이오드(organic light-emitting diodes, OLEDs) 디스플레이의 경우 소형 모바일기기와 초고화질 TV 등에 적용되고 있으며, 최근 사물인터넷과 웨어러블 디바이스 구현을 위해 중요한 소재부품 기술로서 웨어러블 센서와 무선인식 태그(radio frequency identification, RFID) 등이 중요한 소재부품 기술로서 부각되고 있다 [2-7].
유기물 반도체를 고성능 전자소자로 구현하기 위한 조건은? 하지만 비교적 낮은 전하 이동도와 높은 구동 전압, 안정성 등의 전기적 특성에 대한 부족함이 있으며, 이는 반드시 극복해야 할 문제이다. 유기물 반도체를 활용해 저전압 구동 가능한 고성능 전자소자를 구현하기 위해서는 우선 소스/드레인(source/drain) 전극으로부터 반도체로의 전하 주입이 원활해야하며 게이트 절연체와 반도체 사이의 계면에서 전하의 축적이 용이하여 많은 양의 전하 캐리어들이 쉽게 채널을 따라 이동할 수 있도록 해 주어야 한다 [8].
유기물 반도체가 활용되고 있는 분야는 무엇인가? 현재 유기물 반도체는 유연하고 신축성이 있으며, 쉬운 용액공정을 통하여 저비용으로 다양한 전자소자를 대면적으로 제작할 수 있기 때문에 학계는 물론이고 산업계에서도 큰 관심을 끌고 있다 [1]. 그 대표적인 예로 유기발광다이오드(organic light-emitting diodes, OLEDs) 디스플레이의 경우 소형 모바일기기와 초고화질 TV 등에 적용되고 있으며, 최근 사물인터넷과 웨어러블 디바이스 구현을 위해 중요한 소재부품 기술로서 웨어러블 센서와 무선인식 태그(radio frequency identification, RFID) 등이 중요한 소재부품 기술로서 부각되고 있다 [2-7]. 이러한 유기물 반도체 응용 전자소자 중에서 유기전계효과트랜지스터(organic fieldeffect transistors, OFETs)는 각종 디스플레이 구동소자, 플래시 메모리, 마이크로프로세서 및 전자회로 구현을 위한 핵심 요소기술로서 유연/인쇄전자 구현을 위해 매우 중요한 핵심 기술이다 [2,3].
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참고문헌 (13)

  1. A. Facchetti, Chem. Mater., 23, 733 (2011). [DOI: http://doi.org/10.1021/cm102419z] 

  2. Y. Guo, G. Yu, and Y. Liu, Adv. Mater., 22, 4427 (2010). [DOI: http://doi.org/10.1002/adma.201000740] 

  3. G. Gelinck, P. Heremans, K. Nomoto, and T. D. Anthooulos, Adv. Mater., 22, 3778 (2010). [DOI: http://doi.org/10.1002/adma.200903559] 

  4. T. Sakanoue and H. Sirringhaus, Nat. Mater., 9, 736 (2010). [DOI: http://doi.org/10.1038/nmat2825] 

  5. T. Sekitani, U. Zschieschang, H. Klauk, and T. Someya, Nat. Mater., 9, 1015 (2010). [DOI: http://doi.org/10.1038/nmat2896] 

  6. H. Klauk, Chem. Soc. Rev., 39, 2643 (2010). [DOI: http://doi.org/10.1039/b909902f] 

  7. A. C. Arias, J. D. MacKenzie, I. McCulloch, J. Rivnay, and A. Salleo, Chem. Rev., 110, 3 (2010). [DOI: http://doi.org/10.1021/cr900150b] 

  8. D. Natali and M. Caironi, Adv. Mater., 24, 1357 (2012). [DOI: http://doi.org/10.1002/adma.201104206] 

  9. K. J. Baeg, M. Caironi, and Y. Y. Noh, Adv. Mater., 25, 4210 (2013). [DOI: http://doi.org/10.1002/adma.201205361] 

  10. K. J. Baeg, D. Khim, S. W. Jung, M. Kang, I. K. You, D. Y. Kim, A. Facchetti, and Y. Y. Noh, Adv. Mater., 24, 5433 (2012). [DOI: http://doi.org/10.1002/adma.201201464] 

  11. K. J. Baeg, J. Kim, D. Khim, M. Caironi, D. Y. Kim, I. K. You, J. R. Quinn, A. Facchetti, and Y. Y. Noh, ACS Appl. Mater. Interfaces, 3, 3205 (2011). [DOI: https://dx.doi.org/10.1021/am200705j] 

  12. J. Li, D. Liu, Q. Miao, and F. Yan, J. Mater. Chem., 22, 15998 (2012). [DOI: http://doi.org/10.1039/C2JM32177G] 

  13. J. H. Kim and J. W. Park, J. Mater. Chem. C, 5, 3097 (2017). [DOI: http://doi.org/10.1039/c7tc00488e] 

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