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RuO2-유리 복합분말을 이용하여 제조된 후막 저항의 전기적 특성 연구
Electrical Properties of Thick-Film Resistor Prepared by Using RuO2-Glass Composite Powder 원문보기

한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.50 no.5, 2017년, pp.301 - 307  

김민식 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터) ,  류성수 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The purpose of this study is to investigate the electrical properties of thick-film resistor (TFR) prepared from $CaO-ZnO-B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ (CZBAS) glass containing $RuO_2$ particles. $RuO_2$-glass composite powder was made by mixing and melting oxide powders of ...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 RuO2-유리 복합분말을 이용하여 제조된 후막저항의 전기적 특성에 관해 연구하였다. RuO2-유리 복합분말은 RuO2와 유리상이 상호 화학적 반응이 없이 RuO2가 유리상에 완전히 둘러싸여 균일한 분포하고 있음을 확인할 수 있었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
유리상을 사용할때 적절한 유리 조성을 선택하는 것이 매우 중요한 이유는? 일반적으로 후막저항 재료는 저항값이 낮고 전기전도를 담당하게 되는 RuO2나 루테네이트(ruthenate)와 같은 도전상(conductive phase)과 저항값이 높으면서 기판과의 접합력을 부여하는 역할을 하는 유리(glass) 산화물을 유기 바인더에 분산시킨 점성이 있는 페이스트 형태로 만들어진다. 그 중, 유리상은 기판과의 접합을 높이는 역할을 하기 때문에 적절한 유리 조성을 선택하는 것이 매우 중요하다. 현재 상용화 되어있는 알루미나 기판용 저항페이스트에서는 납(Pb)이 포함되어있는 저융점의 유리 조성을 사용하고 있다[5, 6].
스크린 프린팅을 이용해 제작된 후막저항에 최근 발생하는 문제는? 스크린 프린팅(screen printing) 방법에 의해 제조되는 후막저항은 기존에는 알루미나(Al2O3) 기판 위에 형성되었다. 그러나, 최근 전자 부품의 소형화,고주파수화, 고전력화에 따라 단위 면적당 방출하는 열이 증가하기 때문에 칩이나 회로의 신뢰도 및 수명을 저하하는 문제가 발생한다. 이를 해결하기 위해 최근에는 질화알루미늄(AlN)과 같은 우수한 열전도도를 가지는 기판이 알루미나 기판을 대체하여 사용하게 되었다[3, 4].
RuO2계 후막저항이 칩저항과 혼성미세회로 등에 광범위하게 응용되는 이유는? RuO2계 후막저항(thick film resistor)은 RuO2과유리(glass) 성분의 비를 조절함으로써 넓은 범위의 저항값을 구현할 수 있고, 우수한 온도저항계수(temperature coefficient of resistance, TCR)을 가지고 있기 때문에 칩저항과 혼성 미세회로(hybridmicrocircuits) 등에 광범위하게 응용되고 있다[1, 2].
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참고문헌 (12)

  1. C. S. Mccandish and A. L. Dow, Outlook for thick film hybrids 1985 - 90, Am. Ceram. Soc. Bull., 63 (1985) 547. 

  2. T. Inokuma, Y. Taketa and M. Haradome, The Microstructure of $RuO_2$ thick film resistors and the Influence of glass particle size on their electrical properties, IEEE Trans. Component, Hybrid. Manuf Tech., CHMT-7 [2] (1984) 166-75. 

  3. F. Miyashiro, N. Iwase, A. Tsuge, F. Ueno, M. Nakahashi and T. Takahashi, High thermal conductivity aluminum nitride ceramic substrates and packages, IEEE trans. Components, Hybrids and Manufacturing Technology, 13 (1990) 313-319. 

  4. G. Reppe, C. Kretzschmar, A. Scheffel, H. Thust, T. Kirchner and M. Grobe, Realization of attenuators and termination in thick film technology on AlN-substrates, 11th European Microelectronics conference (1997) 69-76. 

  5. O. Abe, Y. Taketa and M. Haradome, The effect of various factors on the resistance and TCR of $RuO_2$ thick film resistors-Relation between the electrical properties and particle size of constituents, the physical properties of glass and firing temperature, Active and Passive Elec., 13 (1988) 67-83. 

  6. M. Hrovat, Z. Samardzija and J. Holc, The development of microstructural and electrical characteristics in some thick-film resistors during firing, J. Mater. Sci., 37 (2002) 2331-39. 

  7. C. Kretzschmar, P. Otschik, K. Jaenicke-Rossler and D. SchlAfer, The reaction between ruthenium dioxide and aluminium nitride in resistor pastes, J. Mater. Sci., 28 (1993) 5713-16. 

  8. L. S. Chen, S. L. Fu and J. H. Wu, Electrical properties of $Al_2O_3$ and $MnO_2$ -doped thick film resistors on AlN substrates, Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) 2969-73. 

  9. M. S. Kim, H. J. Kim, H. T. Kim, D. J. Kim, Y. D. Kim and S. S. Ryu, Electrical properties of eco-friendly $RuO_{2}$ -based thick-film resistors containing CaO-ZnO- $B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ system glass for AlN substrate, Journal of the Korean Ceramic Society, 47 (2010) 467-473. 

  10. M. V. H. Rao, V. D. Giramkar, G. J. Phatak, D. P. Amalnerkar, K. S. Sastri and V. N. Krishnamurthy, Microstructure and electrical properties of 'pre-sintered bismuth ruthenate-glass composite' based thick film paste for resistor application, International Journal of Electronics, 92 (2005) 451-466. 

  11. R. W. Vest; Ceramic Materials for Electronics: Processing, Properties and Application, ed. R. C. Buchanan, Marcel Dekker 2nd ed., New York (1991) 473. 

  12. T. Yamaguchi and K. Iizuka, Microstructure development in $RuO_2$ -glass thick film resistors and its effect on the electrical resistivity, J. Am. Ceram. Sci., 73 (1984) 166-75. 

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