선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
문제 정의
- 이러한 펨토초 레이저를 이용하면 미세 공정에 유리하여 빠르고 저렴하며 공정이 안정적이고, 레이저와 재료의 상호반응 시에 재료의 열적 손상이나 구조 변화를 발생시키지 않는 장점이 있다 [17,18]. 따라서 본 논문에서는 소자의 전기적 특성을 향상시키기 위해서 펨토초 레이저 어닐링을 거친 용액 공정 기반의 IZO 산화물 반도체를 제작하였으며, 제작한 산화물 반도체를 기반으로 한 트랜지스터 소자의 전기적 특성을 평가하기 위해 Ⅰ-Ⅴ curve를 측정하였고, 박막의 표면 상태를 확인하기 위해서 원자간력 현미경(atomic force microscope, AFM)의 이미지를 촬영하여 분석하였다.
- 본 논문에서는 용액 공정 기반으로 제작한 IZO 산화물 반도체의 성능을 향상시키기 위해서 공정 후에 5초간의 펨토초 레이저 어닐링을 통하여 보다 안정성을 제공하며 빠르고 저비용의 제조 방법을 실현하였다. 제작한 소자의 output curve, transfer curve를 측정하여 전기적 특성을 분석하였고, 5초로 진행한 펨토초 레이저 어닐링을 통해서 제작하였을 때 문턱 전압이 1.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.